IXYS MOSFET, canale N, 100 mΩ, 62 A, SOT-227B, Montaggio a pannello
IXYS MOSFET, canale N, 100 mΩ, 62 A, SOT-227B, Montaggio a pannello, Tensione massima drain source: 500 V, Numero pin: 4, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 5V, Dissipazione di potenza massima: 800 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -30 V, +30 V, Lunghezza: 38.23mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, MPN: IXTN62N50L
RS Component IT
EUR 67.28