onsemi IGBT, VCE 650 V, IC 200 A, canale P, TO-247
onsemi IGBT, VCE 650 V, IC 200 A, canale P, TO-247, Tensione massima gate emitter: ±20V, Dissipazione di potenza massima: 375 W, Numero di transistor: 1, Tipo di montaggio: Su foro, Velocità di switching: 1MHz, Configurazione transistor: Singolo, Dimensioni: 15.8 x 5.2 x 22.74mm, Classe di efficienza energetica: 160mJ, Capacità del gate: 5100pF, Massima temperatura operativa: +175 °C, MPN: FGH75T65SQDNL4
onsemi IGBT, FGH75T65SQDNL4, P-Canal, 200 A, 650 V, TO-247, 4-Pines, 1MHZ 1 Simple
onsemi IGBT, P-Canal, 200 A, 650 V, TO-247, 4-Pines, 1MHZ 1 Simple, Tensión Máxima Puerta-Emisor: ±20V, Disipación de Potencia Máxima: 375 W, Tipo de Montaje: Montaje en orificio pasante, Dimensiones: 15.8 x 5.2 x 22.74mm, Energía nominal: 160mJ, Capacitancia de puerta: 5100pF, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +175 °C, MPN: FGH75T65SQDNL4