Vishay Siliconix MOSFET, canale P, 760 mΩ, 9,4 A, SO-8, Montaggio superficiale
Vishay Siliconix MOSFET, canale P, 760 mΩ, 9,4 A, SO-8, Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 200 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 3.5V, Tensione di soglia gate minima: 2.5V, Dissipazione di potenza massima: 68 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: ±20 V, Lunghezza: 5.99mm, Massima temperatura operativa: +175 °C, MPN: SQJ431AEP-T1_GE3
Vishay Siliconix AEC-Q101 MOSFET, SQJ431AEP-T1_GE3, P-Canal, 9,4 A, 200 V, 8-Pin, SO-8 TrenchFET Simple Si
Vishay Siliconix AEC-Q101 MOSFET, P-Canal, 9,4 A, 200 V, 8-Pin, SO-8 TrenchFET Simple Si, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 760 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 3.5V, Tensión de umbral de puerta mínima: 2.5V, Disipación de Potencia Máxima: 68 W, Tensión Máxima Puerta-Fuente: ±20 V, Longitud: 5.99mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +175 °C, MPN: SQJ431AEP-T1_GE3