Microchip MOSFET, canale N, 5 Ω, 350 mA, TO-39, Su foro
Microchip MOSFET, canale N, 5 Ω, 350 mA, TO-39, Su foro, Tensione massima drain source: 90 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 2V, Tensione di soglia gate minima: 0.8V, Dissipazione di potenza massima: 6,25 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: 20 V, Massima temperatura operativa: +150 °C, MPN: 2N6661
Microchip MOSFET, 2N6661, N-Canal-Canal, 350 mA, 90 V, 3-Pin, TO-39 2N6661 Simple
Microchip MOSFET, N-Canal-Canal, 350 mA, 90 V, 3-Pin, TO-39 2N6661 Simple, Tipo de Montaje: Montaje en orificio pasante, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 5 Ω, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 2V, Tensión de umbral de puerta mínima: 0.8V, Disipación de Potencia Máxima: 6,25 W, Tensión Máxima Puerta-Fuente: 20 V, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +150 °C