Vishay Siliconix MOSFET, canale N, 80 mΩ, 17,2 A, SO-8, Montaggio superficiale
Vishay Siliconix MOSFET, canale N, 80 mΩ, 17,2 A, SO-8, Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 200 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 4V, Tensione di soglia gate minima: 2V, Dissipazione di potenza massima: 52 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: ±20 V, Tensione diretta del diodo: 1.1V, MPN: Si7172ADP-T1-RE3
Vishay Siliconix MOSFET, Si7172ADP-T1-RE3, N-Canal-Canal, 17,2 A, 200 V, 8-Pin, SO-8 TrenchFET Simple Si
Vishay Siliconix MOSFET, N-Canal-Canal, 17,2 A, 200 V, 8-Pin, SO-8 TrenchFET Simple Si, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 80 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 4V, Tensión de umbral de puerta mínima: 2V, Disipación de Potencia Máxima: 52 W, Tensión Máxima Puerta-Fuente: ±20 V, Tensión de diodo directa: 1.1V, MPN: Si7172ADP-T1-RE3