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TE Connectivity 510-AG90D10=INLINE SOCKET ASSEMBLY

TE Connectivity 510-AG90D10=INLINE SOCKET ASSEMBLY, MPN: 2-1437530-8

EUR 3.55

1

DiodesZetex MOSFET canal P,, X2-DFN0604-3 510 mA 20 V, 3 broches

DiodesZetex MOSFET canal P,, X2-DFN0604-3 510 mA 20 V, 3 broches, MPN: DMP22D5UFO-7B

EUR 0.11

1

Ohmite RESISTOR, CARBON FILM;510; 0.25 W; 5%; 250 V; AXIAL LEADED; 22 AWG

Ohmite RESISTOR, CARBON FILM;510; 0.25 W; 5%; 250 V; AXIAL LEADED; 22 AWG, MPN: OK5115E

EUR 0.03

1

DiodesZetex MOSFET canal P,, X2-DFN0604-3 510 mA 20 V, 3 broches

DiodesZetex MOSFET canal P,, X2-DFN0604-3 510 mA 20 V, 3 broches, Résistance Drain Source maximum: 1,9 O, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 1V, Série: DMP22D5UFO, MPN: DMP22D5UFO-7B

EUR 0.14

1

DiodesZetex MOSFET canal P,, X2-DFN0604-3 510 mA 20 V, 3 broches

DiodesZetex MOSFET canal P,, X2-DFN0604-3 510 mA 20 V, 3 broches, Résistance Drain Source maximum: 1,9 O, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 1V, Série: DMP22D5UFO, MPN: DMP22D5UFO-7B

EUR 0.04

1

DiodesZetex MOSFET canal N,, X2-DFN0806 510 mA 20 V, 3 broches

DiodesZetex MOSFET canal N,, X2-DFN0806 510 mA 20 V, 3 broches, Type de montage: CMS, Résistance Drain Source maximum: 2,4 Ω, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 1V, Dissipation de puissance maximum: 400 mW, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: -8 V, +8 V, Hauteur: 0.35mm, Longueur: 0.65mm, MPN: DMN2990UFA-7B

EUR 0.08

1

onsemi MOSFET canal N,, SOT-23 510 mA 50 V, 6 broches

onsemi MOSFET canal N,, SOT-23 510 mA 50 V, 6 broches, Type de montage: CMS, Résistance Drain Source maximum: 4 Ω, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil minimale de la grille: 1V, Dissipation de puissance maximum: 960 mW, Configuration du transistor: Isolé, Tension Grille Source maximum: -20 V, +20 V, Hauteur: 1mm, Longueur: 3mm, MPN: NDC7002N

EUR 0.46

1

DiodesZetex MOSFET canal N,, X2-DFN0806 510 mA 20 V, 3 broches

DiodesZetex MOSFET canal N,, X2-DFN0806 510 mA 20 V, 3 broches, Type de montage: CMS, Résistance Drain Source maximum: 2,4 Ω, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 1V, Dissipation de puissance maximum: 400 mW, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: -8 V, +8 V, Longueur: 0.65mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: DMN2990UFA-7B

EUR 0.08

1

onsemi MOSFET canal N,, SOT-23 510 mA 50 V, 6 broches

onsemi MOSFET canal N,, SOT-23 510 mA 50 V, 6 broches, Type de montage: CMS, Résistance Drain Source maximum: 4 Ω, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil minimale de la grille: 1V, Dissipation de puissance maximum: 960 mW, Configuration du transistor: Isolé, Tension Grille Source maximum: -20 V, +20 V, Longueur: 3mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: NDC7002N

EUR 0.13

1

onsemi MOSFET canal N,, SOT-23 510 mA 50 V, 6 broches

onsemi MOSFET canal N,, SOT-23 510 mA 50 V, 6 broches, Type de montage: CMS, Résistance Drain Source maximum: 4 Ω, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil minimale de la grille: 1V, Dissipation de puissance maximum: 960 mW, Configuration du transistor: Isolé, Tension Grille Source maximum: -20 V, +20 V, Longueur: 3mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: NDC7002N

EUR 0.49

1

DiodesZetex MOSFET canal N,, X2-DFN0806 510 mA 20 V, 3 broches

DiodesZetex MOSFET canal N,, X2-DFN0806 510 mA 20 V, 3 broches, Type de montage: CMS, Résistance Drain Source maximum: 2,4 Ω, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 1V, Dissipation de puissance maximum: 400 mW, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: -8 V, +8 V, Longueur: 0.65mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: DMN2990UFA-7B

EUR 0.08

1

onsemi MOSFET canal N/P,, SOT-23 340 mA, 510 mA 60 V, 6 broches

onsemi MOSFET canal N/P,, SOT-23 340 mA, 510 mA 60 V, 6 broches, Type de canal: N, P, Type de montage: CMS, Résistance Drain Source maximum: 4 Ω, 10 Ω, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil minimale de la grille: 1V, Dissipation de puissance maximum: 960 mW, Configuration du transistor: Isolé, Tension Grille Source maximum: -20 V, +20 V, Hauteur: 1mm, Longueur: 3mm, MPN: NDC7001C

EUR 0.27

1

onsemi MOSFET canal N/P,, SOT-23 340 mA, 510 mA 60 V, 6 broches

onsemi MOSFET canal N/P,, SOT-23 340 mA, 510 mA 60 V, 6 broches, Type de canal: N, P, Type de montage: CMS, Résistance Drain Source maximum: 4 Ω, 10 Ω, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil minimale de la grille: 1V, Dissipation de puissance maximum: 960 mW, Configuration du transistor: Isolé, Tension Grille Source maximum: -20 V, +20 V, Longueur: 3mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: NDC7001C

EUR 0.46

1

onsemi MOSFET ON Semiconductor canal N/P,, SOT-23 340 mA, 510 mA 60 V, 6 broches

onsemi MOSFET ON Semiconductor canal N/P,, SOT-23 340 mA, 510 mA 60 V, 6 broches, Type de canal: N, P, Type de montage: CMS, Résistance Drain Source maximum: 4 Ω, 10 Ω, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil minimale de la grille: 1V, Dissipation de puissance maximum: 960 mW, Configuration du transistor: Isolé, Tension Grille Source maximum: -20 V, +20 V, Longueur: 3mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: NDC7001C

EUR 0.15

1

Bourns Varistance disque, 510V, IsoMOV

Bourns Varistance disque, 510V, IsoMOV, Tension DC maximale: 670V, Tension de pincement: 1300V, Courant de pincement: 200A, Capacité: 100pF, MPN: IsoM8-510-B-L2

EUR 0.97

1

Mapa Spontex Gants de manutention Mapa Ultrane taille 9, L, Manutention générale, 2 gants, Vert

Mapa Spontex Gants de manutention Mapa Ultrane taille 9, L, Manutention générale, 2 gants, Vert, EN388 Lame: 1, EN407 Thermique: Non, MPN: 510 9

EUR 3.63

1

Bourns Varistance disque, 510V, IsoMOV

Bourns Varistance disque, 510V, IsoMOV, Tension DC maximale: 670V, Tension de pincement: 1300V, Courant de pincement: 100A, Capacité: 75pF, MPN: IsoM5-510-B-L2

EUR 1.75

1

CAMDENBOSS joint à utiliser avec Boîtier 5000

CAMDENBOSS joint à utiliser avec Boîtier 5000, Longueur: 120mm, Largeur: 2mm, Matériau: Néoprène, Dimensions: 120 x 1.5 x 66mm, Couleur: Noir, MPN: FT094-510

EUR 2.65

1

Mapa Spontex Gants de manutention Mapa Ultrane taille 10, L, Manutention générale, 2 gants, Vert

Mapa Spontex Gants de manutention Mapa Ultrane taille 10, L, Manutention générale, 2 gants, Vert, EN407 Thermique: Non, EN388 Déchirure: 3, MPN: 510 10

EUR 3.56

1

Bourns Varistance disque, 510V, IsoMOV

Bourns Varistance disque, 510V, IsoMOV, Tension DC maximale: 670V, Tension de pincement: 1300V, Courant de pincement: 200A, Capacité: 100pF, MPN: IsoM8-510-B-L2

EUR 1.93

1

Bourns Varistance disque, 510V, IsoMOV

Bourns Varistance disque, 510V, IsoMOV, Tension DC maximale: 670V, Tension de pincement: 1300V, Courant de pincement: 100A, Capacité: 75pF, MPN: IsoM5-510-B-L2

EUR 0.83

1

Mapa Spontex Gants de manutention Mapa Ultrane taille 8, M, Manutention générale, 2 gants, Vert

Mapa Spontex Gants de manutention Mapa Ultrane taille 8, M, Manutention générale, 2 gants, Vert, EN388 Lame: 1, EN407 Thermique: Non, MPN: 510 8

EUR 3.56

1

Texas Instruments Convertisseur, TPS54302DDCR, Abaisseur, 3A, SOT-23-THIN 6 broches.

Texas Instruments Convertisseur, Abaisseur, 3A, SOT-23-THIN 6 broches., Nombre de sorties: 1, Précision: ±2%, Type de sortie: Fixe, Fréquence de découpage maximum: 510 kHz, MPN: TPS54302DDCR

EUR 0.84

1

Texas Instruments Convertisseur, TPS54302DDCR, Abaisseur, 3A, SOT-23-THIN 6 broches.

Texas Instruments Convertisseur, Abaisseur, 3A, SOT-23-THIN 6 broches., Nombre de sorties: 1, Précision: ±2%, Type de sortie: Fixe, Fréquence de découpage maximum: 510 kHz, MPN: TPS54302DDCR

EUR 1.60

1

Susumu Co Résistance CMS 51Ω ±0.1%, boitier 0805 (2012M) 0.125W, ±25ppm/°C

Susumu Co Résistance CMS 51Ω ±0.1%, boitier 0805 (2012M) 0.125W, ±25ppm/°C, Technologie: Film métallique, Température d'utilisation minimum: -55°C, Température d'utilisation maximum: +155°C, MPN: RG2012P-510-B

EUR 0.32

1

Marque

Genre

Marchand

Prix (EUR)

TE Connectivity 510-AG90D10=INLINE SOCKET ASSEMBLY

DiodesZetex MOSFET canal P,, X2-DFN0604-3 510 mA 20 V, 3 broches

Ohmite RESISTOR, CARBON FILM;510; 0.25 W; 5%; 250 V; AXIAL LEADED; 22 AWG

DiodesZetex MOSFET canal P,, X2-DFN0604-3 510 mA 20 V, 3 broches

DiodesZetex MOSFET canal P,, X2-DFN0604-3 510 mA 20 V, 3 broches

DiodesZetex MOSFET canal N,, X2-DFN0806 510 mA 20 V, 3 broches

onsemi MOSFET canal N,, SOT-23 510 mA 50 V, 6 broches

DiodesZetex MOSFET canal N,, X2-DFN0806 510 mA 20 V, 3 broches

onsemi MOSFET canal N,, SOT-23 510 mA 50 V, 6 broches

onsemi MOSFET canal N,, SOT-23 510 mA 50 V, 6 broches

DiodesZetex MOSFET canal N,, X2-DFN0806 510 mA 20 V, 3 broches

onsemi MOSFET canal N/P,, SOT-23 340 mA, 510 mA 60 V, 6 broches

onsemi MOSFET canal N/P,, SOT-23 340 mA, 510 mA 60 V, 6 broches

onsemi MOSFET ON Semiconductor canal N/P,, SOT-23 340 mA, 510 mA 60 V, 6 broches

Bourns Varistance disque, 510V, IsoMOV

Mapa Spontex Gants de manutention Mapa Ultrane taille 9, L, Manutention générale, 2 gants, Vert

Bourns Varistance disque, 510V, IsoMOV

CAMDENBOSS joint à utiliser avec Boîtier 5000

Mapa Spontex Gants de manutention Mapa Ultrane taille 10, L, Manutention générale, 2 gants, Vert

Bourns Varistance disque, 510V, IsoMOV

Bourns Varistance disque, 510V, IsoMOV

Mapa Spontex Gants de manutention Mapa Ultrane taille 8, M, Manutention générale, 2 gants, Vert

Texas Instruments Convertisseur, TPS54302DDCR, Abaisseur, 3A, SOT-23-THIN 6 broches.

Texas Instruments Convertisseur, TPS54302DDCR, Abaisseur, 3A, SOT-23-THIN 6 broches.

Susumu Co Résistance CMS 51Ω ±0.1%, boitier 0805 (2012M) 0.125W, ±25ppm/°C

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