Infineon IGBT, VCE 1200 V, IC 100 A, canale P, TO-247
Infineon IGBT, VCE 1200 V, IC 100 A, canale P, TO-247, Tensione massima gate emitter: ±30V, Dissipazione di potenza massima: 652 W, Tipo di montaggio: Su foro, Velocità di switching: 20kHz, Configurazione transistor: Singolo, Lunghezza: 15.9mm, Larghezza: 5.1mm, Altezza: 21.1mm, Dimensioni: 15.9 x 5.1 x 21.1mm, MPN: IKQ50N120CT2XKSA1