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onsemi MOSFET, NTZD3154NT1G, Dual, N-Canal-Canal, 540 mA, 20 V, 6-Pin, SOT-563

onsemi MOSFET, Dual, N-Canal-Canal, 540 mA, 20 V, 6-Pin, SOT-563, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 900 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 1V, Tensión de umbral de puerta mínima: 0.45V, Disipación de Potencia Máxima: 250 mW, Tensión Máxima Puerta-Fuente: ±7 V, Longitud: 1.7mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +150 °C, MPN: NTZD3154NT1G

EUR 0.22

3

onsemi MOSFET, canale N, 900 mΩ, 540 mA, SOT-563, Montaggio superficiale

onsemi MOSFET, canale N, 900 mΩ, 540 mA, SOT-563, Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 20 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 1V, Tensione di soglia gate minima: 0.45V, Dissipazione di potenza massima: 250 mW, Tensione massima gate source: ±7 V, Tensione diretta del diodo: 1.2V, Altezza: 0.6mm, MPN: NTZD3154NT1G

EUR 0.16

1

onsemi MOSFET, canale N, 900 mΩ, 540 mA, SOT-563, Montaggio superficiale

onsemi MOSFET, canale N, 900 mΩ, 540 mA, SOT-563, Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 20 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 1V, Tensione di soglia gate minima: 0.45V, Dissipazione di potenza massima: 250 mW, Tensione massima gate source: ±7 V, Lunghezza: 1.7mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, MPN: NTZD3154NT1G

EUR 0.09

1

onsemi MOSFET, canale N, 540 mΩ, 12 A, TO-220F, Su foro

onsemi MOSFET, canale N, 540 mΩ, 12 A, TO-220F, Su foro, Tensione massima drain source: 500 V, Numero pin: 3, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate minima: 3V, Dissipazione di potenza massima: 42 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -30 V, +30 V, Lunghezza: 10.36mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, MPN: FDPF13N50FT

EUR 1.95

1

onsemi MOSFET canal N,, SOT-563 540 mA 20 V, 6 broches

onsemi MOSFET canal N,, SOT-563 540 mA 20 V, 6 broches, Type de montage: CMS, Résistance Drain Source maximum: 900 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 1V, Tension de seuil minimale de la grille: 0.45V, Dissipation de puissance maximum: 250 mW, Tension Grille Source maximum: ±7 V, Longueur: 1.7mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: NTZD3154NT1G

EUR 0.09

1

onsemi MOSFET canal N,, SOT-563 540 mA 20 V, 6 broches

onsemi MOSFET canal N,, SOT-563 540 mA 20 V, 6 broches, Type de montage: CMS, Résistance Drain Source maximum: 900 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 1V, Tension de seuil minimale de la grille: 0.45V, Dissipation de puissance maximum: 250 mW, Tension Grille Source maximum: ±7 V, Tension directe de la diode: 1.2V, Hauteur: 0.6mm, MPN: NTZD3154NT1G

EUR 0.16

1

onsemi MOSFET ON Semiconductor, canale N, 540 mΩ, 12 A, TO-220F, Su foro

onsemi MOSFET ON Semiconductor, canale N, 540 mΩ, 12 A, TO-220F, Su foro, Tensione massima drain source: 500 V, Numero pin: 3, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate minima: 3V, Dissipazione di potenza massima: 42 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -30 V, +30 V, Lunghezza: 10.36mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, MPN: FDPF13N50FT

EUR 2.27

1

onsemi MOSFET ON Semiconductor, canale N, 540 mΩ, 12 A, TO-220F, Su foro

onsemi MOSFET ON Semiconductor, canale N, 540 mΩ, 12 A, TO-220F, Su foro, Tensione massima drain source: 500 V, Numero pin: 3, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate minima: 3V, Dissipazione di potenza massima: 42 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -30 V, +30 V, Altezza: 16.07mm, Lunghezza: 10.36mm, MPN: FDPF13N50FT

EUR 2.05

1

onsemi MOSFET, NTZD3154NT1G, Dual, N-Canal-Canal, 540 mA, 20 V, 6-Pin, SOT-563

onsemi MOSFET, Dual, N-Canal-Canal, 540 mA, 20 V, 6-Pin, SOT-563, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 900 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 1V, Tensión de umbral de puerta mínima: 0.45V, Disipación de Potencia Máxima: 250 mW, Tensión Máxima Puerta-Fuente: ±7 V, Tensión de diodo directa: 1.2V, Altura: 0.6mm, MPN: NTZD3154NT1G

EUR 0.16

1

onsemi MOSFET, NTZD3154NT1G, Dual, N-Canal-Canal, 540 mA, 20 V, 6-Pin, SOT-563

onsemi MOSFET, Dual, N-Canal-Canal, 540 mA, 20 V, 6-Pin, SOT-563, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 900 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 1V, Tensión de umbral de puerta mínima: 0.45V, Disipación de Potencia Máxima: 250 mW, Tensión Máxima Puerta-Fuente: ±7 V, Longitud: 1.7mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +150 °C, MPN: NTZD3154NT1G

EUR 0.09

1

onsemi Transistor numérique, NPN Simple, 12 V c.c., SOT-23, 3 broches

onsemi Transistor numérique, NPN Simple, 12 V c.c., SOT-23, 3 broches, Type de montage: CMS, Dissipation de puissance maximum: 540 mW, Tension Emetteur Base maximum: 6 V c.c., Dimensions: 3.04 x 1.4 x 1.01mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: NSS12201LT1G

EUR 0.17

1

onsemi Transistor numérique, NPN Simple, 12 V c.c., SOT-23, 3 broches

onsemi Transistor numérique, NPN Simple, 12 V c.c., SOT-23, 3 broches, Type de montage: CMS, Dissipation de puissance maximum: 540 mW, Tension Emetteur Base maximum: 6 V c.c., Dimensions: 3.04 x 1.4 x 1.01mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: NSS12201LT1G

EUR 0.38

1

onsemi Transistor Digitale NPN, 3 Pin, SOT-23, 12 V c.c., Montaggio superficiale

onsemi Transistor Digitale NPN, 3 Pin, SOT-23, 12 V c.c., Montaggio superficiale, Dissipazione di potenza massima: 540 mW, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima base emitter: 6 V c.c., Dimensioni: 3.04 x 1.4 x 1.01mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, Configurazione: Single, MPN: NSS12201LT1G

EUR 0.17

1

onsemi Transistor Digitale NPN, 3 Pin, SOT-23, 12 V c.c., Montaggio superficiale

onsemi Transistor Digitale NPN, 3 Pin, SOT-23, 12 V c.c., Montaggio superficiale, Dissipazione di potenza massima: 540 mW, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima base emitter: 6 V c.c., Dimensioni: 3.04 x 1.4 x 1.01mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, Configurazione: Single, MPN: NSS12201LT1G

EUR 0.38

1

onsemi Transistor, NSS60200LG, PNP 2 A 60 V SOT-23, 3 pines, 100 MHz, Simple

onsemi Transistor, NSS60200LG, PNP 2 A 60 V SOT-23, 3 pines, 100 MHz, Simple, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Disipación de Potencia Máxima: 540 mW, Tensión Base Máxima del Colector: -80 V, Tensión Máxima Emisor-Base: -7 V, Dimensiones: 3.04 x 1.4 x 1.01mm, MPN: NSS60200LT1G

EUR 0.18

1

onsemi Transistor digital, NSS12201LT1G, NPN 12 V dc SOT-23, 3 pines, Simple

onsemi Transistor digital, NPN 12 V dc SOT-23, 3 pines, Simple, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Disipación de Potencia Máxima: 540 mW, Tensión Máxima Emisor-Base: 6 V dc, Dimensiones: 3.04 x 1.4 x 1.01mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +150 °C, Configuración: Único, MPN: NSS12201LT1G

EUR 0.38

1

onsemi Transistor digital, NSS12201LT1G, NPN 12 V dc SOT-23, 3 pines, Simple

onsemi Transistor digital, NPN 12 V dc SOT-23, 3 pines, Simple, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Disipación de Potencia Máxima: 540 mW, Tensión Máxima Emisor-Base: 6 V dc, Dimensiones: 3.04 x 1.4 x 1.01mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +150 °C, Configuración: Único, MPN: NSS12201LT1G

EUR 0.17

1

onsemi Transistor numérique, PNP Simple, -40 V c.c., SOT-23, 3 broches

onsemi Transistor numérique, PNP Simple, -40 V c.c., SOT-23, 3 broches, Type de montage: CMS, Dissipation de puissance maximum: 540 mW, Tension Emetteur Base maximum: -7 V c.c., Nombre d'éléments par circuit: 1, Dimensions: 3.04 x 1.4 x 1.01mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, Standard automobile: AEC-Q101, MPN: NSS40200LT1G

EUR 0.13

1

onsemi Transistor numérique, PNP Simple, -40 V c.c., SOT-23, 3 broches

onsemi Transistor numérique, PNP Simple, -40 V c.c., SOT-23, 3 broches, Type de montage: CMS, Dissipation de puissance maximum: 540 mW, Tension Emetteur Base maximum: -7 V c.c., Nombre d'éléments par circuit: 1, Dimensions: 3.04 x 1.4 x 1.01mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, Standard automobile: AEC-Q101, MPN: NSS40200LT1G

EUR 0.34

3

onsemi Transistor PNP, 3 Pin, SOT-23, 2 A, 60 V, Montaggio superficiale

onsemi Transistor PNP, 3 Pin, SOT-23, 2 A, 60 V, Montaggio superficiale, Dissipazione di potenza massima: 540 mW, Guadagno minimo corrente c.c.: 100, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima base del collettore: -80 V, Tensione massima base emitter: -7 V, Frequenza operativa massima: 100 MHz, Dimensioni: 3.04 x 1.4 x 1.01mm, MPN: NSS60200LT1G

EUR 0.18

1

onsemi Transistor, PNP Simple, 2 A, 60 V, SOT-23, 3 broches

onsemi Transistor, PNP Simple, 2 A, 60 V, SOT-23, 3 broches, Type de montage: CMS, Dissipation de puissance maximum: 540 mW, Gain en courant DC minimum: 100, Tension Collecteur Base maximum: -80 V, Tension Emetteur Base maximum: -7 V, Fréquence de fonctionnement maximum: 100 MHz, Dimensions: 3.04 x 1.4 x 1.01mm, MPN: NSS60200LT1G

EUR 0.18

1

onsemi Transistor numérique, NPN Simple, 12 V c.c., SOT-23, 3 broches

onsemi Transistor numérique, NPN Simple, 12 V c.c., SOT-23, 3 broches, Courant continu de Collecteur maximum: 2 A, Type de montage: CMS, Gain en courant DC minimum: 200, Dissipation de puissance maximum: 540 mW, Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum: 0,09 V, Tension Emetteur Base maximum: 6 V c.c., Dimensions: 3.04 x 1.4 x 1.01mm, MPN: NSS12201LT1G

EUR 0.22

3

Marque

Genre

Marchand

Prix (EUR)

onsemi MOSFET, NTZD3154NT1G, Dual, N-Canal-Canal, 540 mA, 20 V, 6-Pin, SOT-563

onsemi MOSFET, canale N, 900 mΩ, 540 mA, SOT-563, Montaggio superficiale

onsemi MOSFET, canale N, 900 mΩ, 540 mA, SOT-563, Montaggio superficiale

onsemi MOSFET, canale N, 540 mΩ, 12 A, TO-220F, Su foro

onsemi MOSFET canal N,, SOT-563 540 mA 20 V, 6 broches

onsemi MOSFET canal N,, SOT-563 540 mA 20 V, 6 broches

onsemi MOSFET ON Semiconductor, canale N, 540 mΩ, 12 A, TO-220F, Su foro

onsemi MOSFET ON Semiconductor, canale N, 540 mΩ, 12 A, TO-220F, Su foro

onsemi MOSFET, NTZD3154NT1G, Dual, N-Canal-Canal, 540 mA, 20 V, 6-Pin, SOT-563

onsemi MOSFET, NTZD3154NT1G, Dual, N-Canal-Canal, 540 mA, 20 V, 6-Pin, SOT-563

onsemi Transistor numérique, NPN Simple, 12 V c.c., SOT-23, 3 broches

onsemi Transistor numérique, NPN Simple, 12 V c.c., SOT-23, 3 broches

onsemi Transistor Digitale NPN, 3 Pin, SOT-23, 12 V c.c., Montaggio superficiale

onsemi Transistor Digitale NPN, 3 Pin, SOT-23, 12 V c.c., Montaggio superficiale

onsemi Transistor, NSS60200LG, PNP 2 A 60 V SOT-23, 3 pines, 100 MHz, Simple

onsemi Transistor digital, NSS12201LT1G, NPN 12 V dc SOT-23, 3 pines, Simple

onsemi Transistor digital, NSS12201LT1G, NPN 12 V dc SOT-23, 3 pines, Simple

onsemi Transistor numérique, PNP Simple, -40 V c.c., SOT-23, 3 broches

onsemi Transistor numérique, PNP Simple, -40 V c.c., SOT-23, 3 broches

onsemi Transistor PNP, 3 Pin, SOT-23, 2 A, 60 V, Montaggio superficiale

onsemi Transistor, PNP Simple, 2 A, 60 V, SOT-23, 3 broches

onsemi Transistor numérique, NPN Simple, 12 V c.c., SOT-23, 3 broches

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