onsemi MOSFET, canale N, 220 mΩ, 22 A, TO-220, Su foro
onsemi MOSFET, canale N, 220 mΩ, 22 A, TO-220, Su foro, Tensione massima drain source: 500 V, Numero pin: 3, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate minima: 3V, Dissipazione di potenza massima: 312,5 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -30 V, +30 V, Altezza: 9.2mm, Lunghezza: 9.9mm, MPN: FDP22N50N