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onsemi Transistor, NPN Simple, 16 A, 200 V, TO-204, 3 broches

onsemi Transistor, NPN Simple, 16 A, 200 V, TO-204, 3 broches, Type de montage: Traversant, Dissipation de puissance maximum: 250 W, Tension Collecteur Base maximum: 350 V, Tension Emetteur Base maximum: 5 V, Fréquence de fonctionnement maximum: 4 MHz, Dimensions: 8.51 x 39.37 x 26.67mm, Température d'utilisation maximum: +200 °C, MPN: MJ15022G

EUR 7.79

1

onsemi Transistor, PNP Simple, 16 A, 200 V, TO-204, 3 broches

onsemi Transistor, PNP Simple, 16 A, 200 V, TO-204, 3 broches, Type de montage: Traversant, Dissipation de puissance maximum: 250 W, Tension Collecteur Base maximum: 350 V, Tension Emetteur Base maximum: 5 V, Fréquence de fonctionnement maximum: 4 MHz, Dimensions: 8.51 x 39.37 x 26.67mm, Température d'utilisation maximum: +200 °C, MPN: MJ15023G

EUR 5.77

1

onsemi Transistor, PNP Simple, 16 A, 200 V, TO-204, 3 broches

onsemi Transistor, PNP Simple, 16 A, 200 V, TO-204, 3 broches, Type de montage: Traversant, Dissipation de puissance maximum: 250 W, Tension Collecteur Base maximum: 350 V, Tension Emetteur Base maximum: 5 V, Fréquence de fonctionnement maximum: 4 MHz, Dimensions: 8.51 x 39.37 x 26.67mm, Température d'utilisation maximum: +200 °C, MPN: MJ15023G

EUR 7.79

1

onsemi Transistor, NPN Simple, 16 A, 200 V, TO-204, 3 broches

onsemi Transistor, NPN Simple, 16 A, 200 V, TO-204, 3 broches, Type de montage: Traversant, Dissipation de puissance maximum: 250 W, Tension Collecteur Base maximum: 350 V, Tension Emetteur Base maximum: 5 V, Fréquence de fonctionnement maximum: 4 MHz, Dimensions: 8.51 x 39.37 x 26.67mm, Température d'utilisation maximum: +200 °C, MPN: MJ15022G

EUR 5.77

1

onsemi Transistor PNP, 3 Pin, TO-204, 16 A, 200 V,, Montaggio su foro

onsemi Transistor PNP, 3 Pin, TO-204, 16 A, 200 V,, Montaggio su foro, Dissipazione di potenza massima: 250 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima base del collettore: 350 V, Tensione massima base emitter: 5 V, Frequenza operativa massima: 4 MHz, Dimensioni: 8.51 x 39.37 x 26.67mm, Massima temperatura operativa: +200 °C, MPN: MJ15023G

EUR 7.79

1

onsemi Transistor NPN, 3 Pin, TO-204, 16 A, 200 V,, Montaggio su foro

onsemi Transistor NPN, 3 Pin, TO-204, 16 A, 200 V,, Montaggio su foro, Dissipazione di potenza massima: 250 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima base del collettore: 350 V, Tensione massima base emitter: 5 V, Frequenza operativa massima: 4 MHz, Dimensioni: 8.51 x 39.37 x 26.67mm, Massima temperatura operativa: +200 °C, MPN: MJ15022G

EUR 5.77

1

onsemi Transistor NPN, 3 Pin, TO-204, 16 A, 200 V,, Montaggio su foro

onsemi Transistor NPN, 3 Pin, TO-204, 16 A, 200 V,, Montaggio su foro, Dissipazione di potenza massima: 250 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima base del collettore: 350 V, Tensione massima base emitter: 5 V, Frequenza operativa massima: 4 MHz, Dimensioni: 8.51 x 39.37 x 26.67mm, Massima temperatura operativa: +200 °C, MPN: MJ15022G

EUR 7.79

1

onsemi Transistor PNP, 3 Pin, TO-204, 16 A, 200 V,, Montaggio su foro

onsemi Transistor PNP, 3 Pin, TO-204, 16 A, 200 V,, Montaggio su foro, Dissipazione di potenza massima: 250 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima base del collettore: 350 V, Tensione massima base emitter: 5 V, Frequenza operativa massima: 4 MHz, Dimensioni: 8.51 x 39.37 x 26.67mm, Massima temperatura operativa: +200 °C, MPN: MJ15023G

EUR 5.77

1

onsemi Transistor, MJ15022G, NPN 16 A 200 V TO-204, 3 pines, 4 MHz, Simple

onsemi Transistor, NPN 16 A 200 V TO-204, 3 pines, 4 MHz, Simple, Tipo de Montaje: Montaje en orificio pasante, Disipación de Potencia Máxima: 250 W, Tensión Base Máxima del Colector: 350 V, Tensión Máxima Emisor-Base: 5 V, Dimensiones: 8.51 x 39.37 x 26.67mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +200 °C, MPN: MJ15022G

EUR 7.79

1

onsemi Transistor, MJ15022G, NPN 16 A 200 V TO-204, 3 pines, 4 MHz, Simple

onsemi Transistor, NPN 16 A 200 V TO-204, 3 pines, 4 MHz, Simple, Tipo de Montaje: Montaje en orificio pasante, Disipación de Potencia Máxima: 250 W, Tensión Base Máxima del Colector: 350 V, Tensión Máxima Emisor-Base: 5 V, Dimensiones: 8.51 x 39.37 x 26.67mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +200 °C, MPN: MJ15022G

EUR 5.77

1

onsemi Transistor, MJ15023G, PNP 16 A 200 V TO-204, 3 pines, 4 MHz, Simple

onsemi Transistor, PNP 16 A 200 V TO-204, 3 pines, 4 MHz, Simple, Tipo de Montaje: Montaje en orificio pasante, Disipación de Potencia Máxima: 250 W, Tensión Base Máxima del Colector: 350 V, Tensión Máxima Emisor-Base: 5 V, Dimensiones: 8.51 x 39.37 x 26.67mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +200 °C, MPN: MJ15023G

EUR 7.79

1

onsemi Transistor, MJ15023G, PNP 16 A 200 V TO-204, 3 pines, 4 MHz, Simple

onsemi Transistor, PNP 16 A 200 V TO-204, 3 pines, 4 MHz, Simple, Tipo de Montaje: Montaje en orificio pasante, Disipación de Potencia Máxima: 250 W, Tensión Base Máxima del Colector: 350 V, Tensión Máxima Emisor-Base: 5 V, Dimensiones: 8.51 x 39.37 x 26.67mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +200 °C, MPN: MJ15023G

EUR 5.77

1

onsemi Transistor numérique, PNP Simple, 200 V c.c., SOT-93, 3 broches

onsemi Transistor numérique, PNP Simple, 200 V c.c., SOT-93, 3 broches, Type de montage: Traversant, Dissipation de puissance maximum: 150 W, Tension Emetteur Base maximum: 5 V c.c., Dimensions: 15.2 x 4.9 x 20.35mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: MJH11019G

EUR 9.14

2

onsemi IGBT, FGH75T65SQDNL4,, 200 A, 650 V, A-247, 4 broches, Simple

onsemi IGBT,, 200 A, 650 V, A-247, 4 broches, Simple, Tension Grille Emetteur maximum: ±20V, Dissipation de puissance maximum: 375 W, Nombre de transistors: 1, Type de montage: Traversant, Vitesse de découpage: 1MHz, Longueur: 15.8mm, Largeur: 5.2mm, Hauteur: 22.74mm, Dimensions: 15.8 x 5.2 x 22.74mm, MPN: FGH75T65SQDNL4

EUR 7.92

3

onsemi IGBT, FGH75T65SQDNL4,, 200 A, 650 V, A-247, 4 broches, Simple

onsemi IGBT,, 200 A, 650 V, A-247, 4 broches, Simple, Tension Grille Emetteur maximum: ±20V, Dissipation de puissance maximum: 375 W, Nombre de transistors: 1, Type de montage: Traversant, Vitesse de découpage: 1MHz, Dimensions: 15.8 x 5.2 x 22.74mm, Indice énergétique: 160mJ, Capacité de grille: 5100pF, Température d'utilisation maximum: +175 °C, MPN: FGH75T65SQDNL4

EUR 6.67

1

onsemi IGBT, FGH75T65SQDNL4,, 200 A, 650 V, A-247, 4 broches, Simple

onsemi IGBT,, 200 A, 650 V, A-247, 4 broches, Simple, Tension Grille Emetteur maximum: ±20V, Dissipation de puissance maximum: 375 W, Nombre de transistors: 1, Type de montage: Traversant, Vitesse de découpage: 1MHz, Dimensions: 15.8 x 5.2 x 22.74mm, Indice énergétique: 160mJ, Capacité de grille: 5100pF, Température d'utilisation maximum: +175 °C, MPN: FGH75T65SQDNL4

EUR 8.87

3

onsemi MOSFET canal N,, TO-3PN 65 A 200 V, 3 broches

onsemi MOSFET canal N,, TO-3PN 65 A 200 V, 3 broches, Type de montage: Traversant, Résistance Drain Source maximum: 32 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil minimale de la grille: 3V, Dissipation de puissance maximum: 310 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: -30 V, +30 V, Hauteur: 18.9mm, Longueur: 15.8mm, MPN: FQA65N20

EUR 6.17

1

onsemi Transistor Darlington, MJ11012G, NPN 30 A, 60 V, HFE:200, TO-204AA, 2 pines Simple

onsemi Transistor Darlington, NPN 30 A, 60 V, HFE:200, TO-204AA, 2 pines Simple, Tensión Máxima Emisor-Base: 5 V, Tipo de Montaje: Montaje en orificio pasante, Tensión de Saturación Máxima Colector-Emisor: 4 V, Dimensiones: 21.08 (Dia.) x 8.51mm, MPN: MJ11012G

EUR 6.96

1

onsemi Transistor Darlington, MJ11012G, NPN 30 A, 60 V, HFE:200, TO-204AA, 2 pines Simple

onsemi Transistor Darlington, NPN 30 A, 60 V, HFE:200, TO-204AA, 2 pines Simple, Tensión Máxima Emisor-Base: 5 V, Tipo de Montaje: Montaje en orificio pasante, Tensión de Saturación Máxima Colector-Emisor: 4 V, Dimensiones: 21.08 (Dia.) x 8.51mm, MPN: MJ11012G

EUR 5.18

1

onsemi MOSFET canal N,, TO-3PN 65 A 200 V, 3 broches

onsemi MOSFET canal N,, TO-3PN 65 A 200 V, 3 broches, Type de montage: Traversant, Résistance Drain Source maximum: 32 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil minimale de la grille: 3V, Dissipation de puissance maximum: 310 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: -30 V, +30 V, Longueur: 15.8mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: FQA65N20

EUR 6.17

1

onsemi MOSFET canal N,, TO-3PN 65 A 200 V, 3 broches

onsemi MOSFET canal N,, TO-3PN 65 A 200 V, 3 broches, Type de montage: Traversant, Résistance Drain Source maximum: 32 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil minimale de la grille: 3V, Dissipation de puissance maximum: 310 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: -30 V, +30 V, Longueur: 15.8mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: FQA65N20

EUR 5.26

1

onsemi Transistor Darlington, MJ11016G, NPN 30 A, 120 V, HFE:200, TO-204, 3 pines Simple

onsemi Transistor Darlington, NPN 30 A, 120 V, HFE:200, TO-204, 3 pines Simple, Tensión Máxima Emisor-Base: 5 V, Tipo de Montaje: Montaje en orificio pasante, Tensión de Saturación Máxima Colector-Emisor: 4 V, Dimensiones: 39.37 x 26.67 x 8.51mm, MPN: MJ11016G

EUR 6.13

1

onsemi Transistor Darlington, MJ11016G, NPN 30 A, 120 V, HFE:200, TO-204, 3 pines Simple

onsemi Transistor Darlington, NPN 30 A, 120 V, HFE:200, TO-204, 3 pines Simple, Tensión Máxima Emisor-Base: 5 V, Tipo de Montaje: Montaje en orificio pasante, Tensión de Saturación Máxima Colector-Emisor: 4 V, Dimensiones: 39.37 x 26.67 x 8.51mm, MPN: MJ11016G

EUR 6.52

1

Marque

Genre

Marchand

Prix (EUR)

onsemi Transistor, NPN Simple, 16 A, 200 V, TO-204, 3 broches

onsemi Transistor, PNP Simple, 16 A, 200 V, TO-204, 3 broches

onsemi Transistor, PNP Simple, 16 A, 200 V, TO-204, 3 broches

onsemi Transistor, NPN Simple, 16 A, 200 V, TO-204, 3 broches

onsemi Transistor PNP, 3 Pin, TO-204, 16 A, 200 V,, Montaggio su foro

onsemi Transistor NPN, 3 Pin, TO-204, 16 A, 200 V,, Montaggio su foro

onsemi Transistor NPN, 3 Pin, TO-204, 16 A, 200 V,, Montaggio su foro

onsemi Transistor PNP, 3 Pin, TO-204, 16 A, 200 V,, Montaggio su foro

onsemi Transistor, MJ15022G, NPN 16 A 200 V TO-204, 3 pines, 4 MHz, Simple

onsemi Transistor, MJ15022G, NPN 16 A 200 V TO-204, 3 pines, 4 MHz, Simple

onsemi Transistor, MJ15023G, PNP 16 A 200 V TO-204, 3 pines, 4 MHz, Simple

onsemi Transistor, MJ15023G, PNP 16 A 200 V TO-204, 3 pines, 4 MHz, Simple

onsemi Transistor numérique, PNP Simple, 200 V c.c., SOT-93, 3 broches

onsemi IGBT, FGH75T65SQDNL4,, 200 A, 650 V, A-247, 4 broches, Simple

onsemi IGBT, FGH75T65SQDNL4,, 200 A, 650 V, A-247, 4 broches, Simple

onsemi IGBT, FGH75T65SQDNL4,, 200 A, 650 V, A-247, 4 broches, Simple

onsemi MOSFET canal N,, TO-3PN 65 A 200 V, 3 broches

onsemi Transistor Darlington, MJ11012G, NPN 30 A, 60 V, HFE:200, TO-204AA, 2 pines Simple

onsemi Transistor Darlington, MJ11012G, NPN 30 A, 60 V, HFE:200, TO-204AA, 2 pines Simple

onsemi MOSFET canal N,, TO-3PN 65 A 200 V, 3 broches

onsemi MOSFET canal N,, TO-3PN 65 A 200 V, 3 broches

onsemi Transistor Darlington, MJ11016G, NPN 30 A, 120 V, HFE:200, TO-204, 3 pines Simple

onsemi Transistor Darlington, MJ11016G, NPN 30 A, 120 V, HFE:200, TO-204, 3 pines Simple

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