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onsemi Transistor numérique, TO-251AA, 3 + Tab broches

onsemi Transistor numérique, TO-251AA, 3 + Tab broches, Type de montage: Traversant, Dissipation de puissance maximum: 38 W, Dimensions: 6.8 x 2.5 x 6.3mm, Température d'utilisation maximum: +175 °C, Longueur: 6.8mm, Température de fonctionnement minimum: -55 °C, Largeur: 2.5mm, MPN: RFD3055LE

EUR 21.28

2

onsemi Transistor numérique, PNP Simple, 260 V c.c., TO-264, 5 broches

onsemi Transistor numérique, PNP Simple, 260 V c.c., TO-264, 5 broches, Type de montage: Traversant, Dissipation de puissance maximum: 180 W, Tension Emetteur Base maximum: 5 V c.c., Dimensions: 20.15 x 5.18 x 26.11mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: NJL0302DG

EUR 25.00

2

onsemi Transistor numérique, A-220, 3 broches

onsemi Transistor numérique, A-220, 3 broches, Type de montage: Traversant, Dissipation de puissance maximum: 294 W, Nombre d'éléments par circuit: 1, Dimensions: 10.36 x 4.67 x 8.78mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, Longueur: 10.36mm, Température de fonctionnement minimum: -55 °C, Largeur: 4.67mm, MPN: FDP083N15A-F102

EUR 21.49

2

onsemi Transistor numérique, ChipFET, 8 broches Dual

onsemi Transistor numérique, ChipFET, 8 broches Dual, Type de montage: CMS, Dissipation de puissance maximum: 1,1 W, Nombre d'éléments par circuit: 2, Dimensions: 3.1 x 1.7 x 1.1mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, Longueur: 3.1mm, Température de fonctionnement minimum: -55 °C, Largeur: 1.7mm, MPN: NTHD3100CT1G

EUR 20.58

2

onsemi Transistor numérique, PNP Simple, 60 V c.c., A-220, 3 broches

onsemi Transistor numérique, PNP Simple, 60 V c.c., A-220, 3 broches, Type de montage: Traversant, Dissipation de puissance maximum: 65 W, Tension Emetteur Base maximum: 5 V c.c., Nombre d'éléments par circuit: 1, Dimensions: 10.53 x 4.83 x 15.75mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: TIP42AG

EUR 21.00

2

onsemi Module IGBT, FPDB40PH60B,, 40 A, 600 V, SPM27 GC, 27 broches

onsemi Module IGBT,, 40 A, 600 V, SPM27 GC, 27 broches, Dissipation de puissance maximum: 113 W, Type de montage: Traversant, Vitesse de découpage: 20kHz, Dimensions: 44 x 26.8 x 5.5mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, Température de fonctionnement minimum: -40 °C, Largeur: 26.8mm, MPN: FPDB40PH60B

EUR 21.81

1

onsemi Module IGBT, FSBF15CH60BT,, 15 A, 600 V, SPM27 JA, 27 broches

onsemi Module IGBT,, 15 A, 600 V, SPM27 JA, 27 broches, Dissipation de puissance maximum: 25 W, Type de montage: Traversant, Vitesse de découpage: 20kHz, Dimensions: 44 x 26.8 x 5.5mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, Température de fonctionnement minimum: -40 °C, Largeur: 26.8mm, MPN: FSBF15CH60BT

EUR 20.64

1

onsemi Module IGBT, NXH80T120L2Q0P2TGOS,, 1200 V, Q0Pack, 20 broches

onsemi Module IGBTOS,, 1200 V, Q0Pack, 20 broches, Tension Grille Emetteur maximum: ±20V, Type de montage: CMS, Dissipation de puissance maximum: 158 W, Dimensions: 70.1 x 32.7 x 12.33mm, Longueur: 70.1mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, Température de fonctionnement minimum: -40 °C, Largeur: 32.7mm, MPN: NXH80T120L2Q0P2TG

EUR 39.92

1

onsemi Module IGBT, FSBB30CH60C,, 30 A, 600 V, SPM27 EC, 27 broches

onsemi Module IGBT,, 30 A, 600 V, SPM27 EC, 27 broches, Dissipation de puissance maximum: 106 W, Type de montage: Traversant, Vitesse de découpage: 20kHz, Dimensions: 44 x 26.8 x 5.5mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, Température de fonctionnement minimum: -40 °C, Largeur: 26.8mm, MPN: FSBB30CH60C

EUR 20.00

1

onsemi Transistor numérique, NPN Simple, 230 V c.c., A-247, 3 broches

onsemi Transistor numérique, NPN Simple, 230 V c.c., A-247, 3 broches, Type de montage: Traversant, Dissipation de puissance maximum: 200 W, Tension Emetteur Base maximum: 5 V c.c., Nombre d'éléments par circuit: 1, Dimensions: 16.26 x 5.3 x 21.08mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: MJW3281AG

EUR 20.63

2

onsemi Transistor numérique, PNP Simple, 100 V c.c., IPAK, 3 + Tab broches

onsemi Transistor numérique, PNP Simple, 100 V c.c., IPAK, 3 + Tab broches, Type de montage: Traversant, Dissipation de puissance maximum: 20 W, Tension Emetteur Base maximum: 5 V c.c., Dimensions: 6.73 x 2.38 x 6.35mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, Standard automobile: AEC-Q101, MPN: MJD42C1G

EUR 20.53

2

onsemi Transistor numérique, NPN Simple, 60 V c.c., A-220, 3 broches

onsemi Transistor numérique, NPN Simple, 60 V c.c., A-220, 3 broches, Type de montage: Traversant, Dissipation de puissance maximum: 65 W, Tension Emetteur Base maximum: 5 V c.c., Nombre d'éléments par circuit: 1, Dimensions: 10.53 x 4.83 x 15.75mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: TIP41AG

EUR 20.43

2

onsemi Modulo IGBT ON Semiconductor, VCE 1200 V, canale N, Q0Pack

onsemi Modulo IGBT ON Semiconductor, VCE 1200 V, canale N, Q0Pack, Tensione massima gate emitter: ±20V, Tipo di montaggio: Montaggio superficiale, Dissipazione di potenza massima: 158 W, Dimensioni: 70.1 x 32.7 x 12.33mm, Lunghezza: 70.1mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, Minima temperatura operativa: -40 °C, Larghezza: 32.7mm, MPN: NXH80T120L2Q0P2TG

EUR 39.92

1

onsemi Modulo IGBT, VCE 600 V, IC 40 A, canale N, SPM27 GC

onsemi Modulo IGBT, VCE 600 V, IC 40 A, canale N, SPM27 GC, Dissipazione di potenza massima: 113 W, Tipo di montaggio: Su foro, Velocità di switching: 20kHz, Dimensioni: 44 x 26.8 x 5.5mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, Minima temperatura operativa: -40 °C, Larghezza: 26.8mm, MPN: FPDB40PH60B

EUR 21.81

1

onsemi Modulo IGBT, VCE 600 V, IC 15 A, canale N, SPM27 JA

onsemi Modulo IGBT, VCE 600 V, IC 15 A, canale N, SPM27 JA, Dissipazione di potenza massima: 25 W, Tipo di montaggio: Su foro, Velocità di switching: 20kHz, Dimensioni: 44 x 26.8 x 5.5mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, Minima temperatura operativa: -40 °C, Larghezza: 26.8mm, MPN: FSBF15CH60BT

EUR 20.64

1

onsemi Módulo IGBT, FPDB40PH60B, N-Canal, 40 A, 600 V, SPM27 GC, 27-Pines, 20kHz

onsemi Módulo IGBT, N-Canal, 40 A, 600 V, SPM27 GC, 27-Pines, 20kHz, Disipación de Potencia Máxima: 113 W, Tipo de Montaje: Montaje en orificio pasante, Dimensiones: 44 x 26.8 x 5.5mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +150 °C, Temperatura de Funcionamiento Mínima: -40 °C, Ancho: 26.8mm, MPN: FPDB40PH60B

EUR 21.81

1

onsemi Module IGBT, FSBF15CH60BT,, 15 A, 600 V, SPM27 JA, 27 broches

onsemi Module IGBT,, 15 A, 600 V, SPM27 JA, 27 broches, Type de montage: Traversant, Vitesse de découpage: 20kHz, Dissipation de puissance maximum: 25 W, Dimensions: 44 x 26.8 x 5.5mm, Longueur: 44mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, Température de fonctionnement minimum: -40 °C, Largeur: 26.8mm, MPN: FSBF15CH60BT

EUR 20.23

1

onsemi Modulo IGBT, VCE 600 V, IC 30 A, canale N, SPM27 EC

onsemi Modulo IGBT, VCE 600 V, IC 30 A, canale N, SPM27 EC, Dissipazione di potenza massima: 106 W, Tipo di montaggio: Su foro, Velocità di switching: 20kHz, Dimensioni: 44 x 26.8 x 5.5mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, Minima temperatura operativa: -40 °C, Larghezza: 26.8mm, MPN: FSBB30CH60C

EUR 20.00

1

onsemi Módulo IGBT, FSBB30CH60C, N-Canal, 30 A, 600 V, SPM27 EC, 27-Pines, 20kHz

onsemi Módulo IGBT, N-Canal, 30 A, 600 V, SPM27 EC, 27-Pines, 20kHz, Disipación de Potencia Máxima: 106 W, Tipo de Montaje: Montaje en orificio pasante, Dimensiones: 44 x 26.8 x 5.5mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +150 °C, Temperatura de Funcionamiento Mínima: -40 °C, Ancho: 26.8mm, MPN: FSBB30CH60C

EUR 20.00

1

onsemi Transistor bipolaire, PNP Simple, 10 A, 100 V c.c., DPAK, 3 broches

onsemi Transistor bipolaire, PNP Simple, 10 A, 100 V c.c., DPAK, 3 broches, Type de montage: CMS, Dissipation de puissance maximum: 20 W, Tension Emetteur Base maximum: 5 V c.c., Fréquence de fonctionnement maximum: 1 MHz, Dimensions: 6.73 x 6.22 x 2.25mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: MJD42CG

EUR 20.07

2

onsemi Módulo IGBT, FSBF15CH60BT, N-Canal, 15 A, 600 V, SPM27 JA, 27-Pines, 20kHz

onsemi Módulo IGBT, N-Canal, 15 A, 600 V, SPM27 JA, 27-Pines, 20kHz, Disipación de Potencia Máxima: 25 W, Tipo de Montaje: Montaje en orificio pasante, Dimensiones: 44 x 26.8 x 5.5mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +150 °C, Temperatura de Funcionamiento Mínima: -40 °C, Ancho: 26.8mm, MPN: FSBF15CH60BT

EUR 20.64

1

Marque

Genre

Marchand

Prix (EUR)

onsemi Transistor numérique, TO-251AA, 3 + Tab broches

onsemi Transistor numérique, PNP Simple, 260 V c.c., TO-264, 5 broches

onsemi Transistor numérique, A-220, 3 broches

onsemi Transistor numérique, ChipFET, 8 broches Dual

onsemi Transistor numérique, PNP Simple, 60 V c.c., A-220, 3 broches

onsemi Module IGBT, FPDB40PH60B,, 40 A, 600 V, SPM27 GC, 27 broches

onsemi Module IGBT, FSBF15CH60BT,, 15 A, 600 V, SPM27 JA, 27 broches

onsemi Module IGBT, NXH80T120L2Q0P2TGOS,, 1200 V, Q0Pack, 20 broches

onsemi Module IGBT, FSBB30CH60C,, 30 A, 600 V, SPM27 EC, 27 broches

onsemi Transistor numérique, NPN Simple, 230 V c.c., A-247, 3 broches

onsemi Transistor numérique, PNP Simple, 100 V c.c., IPAK, 3 + Tab broches

onsemi Transistor numérique, NPN Simple, 60 V c.c., A-220, 3 broches

onsemi Modulo IGBT ON Semiconductor, VCE 1200 V, canale N, Q0Pack

onsemi Modulo IGBT, VCE 600 V, IC 40 A, canale N, SPM27 GC

onsemi Modulo IGBT, VCE 600 V, IC 15 A, canale N, SPM27 JA

onsemi Módulo IGBT, FPDB40PH60B, N-Canal, 40 A, 600 V, SPM27 GC, 27-Pines, 20kHz

onsemi Module IGBT, FSBF15CH60BT,, 15 A, 600 V, SPM27 JA, 27 broches

onsemi Modulo IGBT, VCE 600 V, IC 30 A, canale N, SPM27 EC

onsemi Módulo IGBT, FSBB30CH60C, N-Canal, 30 A, 600 V, SPM27 EC, 27-Pines, 20kHz

onsemi Transistor bipolaire, PNP Simple, 10 A, 100 V c.c., DPAK, 3 broches

onsemi Módulo IGBT, FSBF15CH60BT, N-Canal, 15 A, 600 V, SPM27 JA, 27-Pines, 20kHz

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