Pro1.pl | Voir les prix les plus bas et des offres sur !URL

onsemi Transistor, FMB3906, PNP 200 mA 40 V Dual SOT-23, 6 pines, 200 MHz, Aislado

onsemi Transistor, PNP 200 mA 40 V Dual SOT-23, 6 pines, 200 MHz, Aislado, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Disipación de Potencia Máxima: 700 mW, Ganancia Mínima de Corriente DC: 100, Tensión Base Máxima del Colector: -40 V, Tensión Máxima Emisor-Base: -5 V, Dimensiones: 3 x 1.7 x 1mm, MPN: FMB3906

EUR 0.23

1

onsemi Transistor, FMB3906, PNP 200 mA 40 V Dual SOT-23, 6 pines, 200 MHz, Aislado

onsemi Transistor, PNP 200 mA 40 V Dual SOT-23, 6 pines, 200 MHz, Aislado, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Disipación de Potencia Máxima: 700 mW, Tensión Base Máxima del Colector: -40 V, Tensión Máxima Emisor-Base: -5 V, Dimensiones: 3 x 1.7 x 1mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +150 °C, Tensión de Saturación Máxima Colector-Emisor: -0,4 V, MPN: FMB3906

EUR 0.13

1

onsemi Transistor, FMB3906, PNP 200 mA 40 V Dual SOT-23, 6 pines, 200 MHz, Aislado

onsemi Transistor, PNP 200 mA 40 V Dual SOT-23, 6 pines, 200 MHz, Aislado, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Disipación de Potencia Máxima: 700 mW, Tensión Base Máxima del Colector: -40 V, Tensión Máxima Emisor-Base: -5 V, Dimensiones: 3 x 1.7 x 1mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +150 °C, Tensión de Saturación Máxima Colector-Emisor: -0,4 V, MPN: FMB3906

EUR 0.39

1

onsemi 1.91 (Dia.) x 4.56mm Simple 1N5235B +200 °C 500 mW 3μA 5Ω Montaje en orificio pasante 6.8V 1 -65 → +200

onsemi 1.91 (Dia.) x 4.56mm Simple 1N5235B +200 °C 500 mW 3μA 5Ω Montaje en orificio pasante 6.8V 1 -65 → +200, Tipo de Encapsulado: DO-35, Tipo de Zener: Uso general, Tolerancia de Tensión de Zener: 5%, Corriente de Prueba: 20mA, Corriente de Fugas Inversa Máxima: 3µA, MPN: 1N5235BTR

EUR 0.08

1

onsemi 1.91 (Dia.) x 4.56mm Simple 1N5235B +200 °C 500 mW 3μA 5Ω Montaje en orificio pasante 6.8V 1 -65 → +200

onsemi 1.91 (Dia.) x 4.56mm Simple 1N5235B +200 °C 500 mW 3μA 5Ω Montaje en orificio pasante 6.8V 1 -65 → +200, Tipo de Encapsulado: DO-35, Tipo de Zener: Uso general, Tolerancia de Tensión de Zener: 5%, Corriente de Prueba: 20mA, Corriente de Fugas Inversa Máxima: 3µA, Diámetro: 1.91mm, MPN: 1N5235BTR

EUR 0.05

1

onsemi 1.91 (Dia.) x 4.56mm Simple 1N5234C +200 °C 500 mW 5μA 7Ω Montaje en orificio pasante 6.2V 1 Máximo de +200 °C

onsemi 1.91 (Dia.) x 4.56mm Simple 1N5234C +200 °C 500 mW 5μA 7Ω Montaje en orificio pasante 6.2V 1 Máximo de +200 °C, Tipo de Encapsulado: DO-35, Tipo de Zener: Uso general, Tolerancia de Tensión de Zener: 2%, Corriente de Prueba: 20mA, Corriente de Fugas Inversa Máxima: 5µA, MPN: 1N5234CTR

EUR 0.05

1

onsemi 2.72 (Dia.) x 5.2mm Simple 1N4741A +200 °C 1 W 5μA 8Ω -65 °C Montaje en orificio pasante 11V 1 -65 → +200

onsemi 2.72 (Dia.) x 5.2mm Simple 1N4741A +200 °C 1 W 5μA 8Ω -65 °C Montaje en orificio pasante 11V 1 -65 → +200, Tipo de Encapsulado: DO-41, Tipo de Zener: Uso general, Tolerancia de Tensión de Zener: 5%, Corriente de Prueba: 23mA, Corriente de Fugas Inversa Máxima: 5µA, MPN: 1N4741ATR

EUR 0.02

1

onsemi 1.91 (Dia.) x 4.56mm Simple 1N5231C +200 °C 500 mW 5μA 17Ω Montaje en orificio pasante 5.1V 1 Máximo de +200 °C

onsemi 1.91 (Dia.) x 4.56mm Simple 1N5231C +200 °C 500 mW 5μA 17Ω Montaje en orificio pasante 5.1V 1 Máximo de +200 °C, Tipo de Encapsulado: DO-35, Tipo de Zener: Uso general, Tolerancia de Tensión de Zener: 2%, Corriente de Prueba: 20mA, Corriente de Fugas Inversa Máxima: 5µA, MPN: 1N5231CTR

EUR 0.05

1

onsemi 2.72 (Dia.) x 5.2mm Simple 1N4742A +200 °C 1 W 5μA 9Ω -65 °C Montaje en orificio pasante 12V 1 -65 → +200

onsemi 2.72 (Dia.) x 5.2mm Simple 1N4742A +200 °C 1 W 5μA 9Ω -65 °C Montaje en orificio pasante 12V 1 -65 → +200, Tipo de Encapsulado: DO-41, Tipo de Zener: Uso general, Tolerancia de Tensión de Zener: 5%, Corriente de Prueba: 21mA, Corriente de Fugas Inversa Máxima: 5µA, MPN: 1N4742ATR

EUR 0.14

1

onsemi 1.91 (Dia.) x 4.56mm Simple 1N5231C +200 °C 500 mW 5μA 17Ω Montaje en orificio pasante 5.1V 1 Máximo de +200 °C

onsemi 1.91 (Dia.) x 4.56mm Simple 1N5231C +200 °C 500 mW 5μA 17Ω Montaje en orificio pasante 5.1V 1 Máximo de +200 °C, Tipo de Encapsulado: DO-35, Tipo de Zener: Uso general, Tolerancia de Tensión de Zener: 2%, Corriente de Prueba: 20mA, Corriente de Fugas Inversa Máxima: 5µA, Diámetro: 1.91mm, MPN: 1N5231CTR

EUR 0.05

1

onsemi 1.91 (Dia.) x 4.56mm Simple 1N5234C +200 °C 500 mW 5μA 7Ω Montaje en orificio pasante 6.2V 1 Máximo de +200 °C

onsemi 1.91 (Dia.) x 4.56mm Simple 1N5234C +200 °C 500 mW 5μA 7Ω Montaje en orificio pasante 6.2V 1 Máximo de +200 °C, Tipo de Encapsulado: DO-35, Tipo de Zener: Uso general, Tolerancia de Tensión de Zener: 2%, Corriente de Prueba: 20mA, Corriente de Fugas Inversa Máxima: 5µA, Diámetro: 1.91mm, MPN: 1N5234CTR

EUR 0.03

1

onsemi 2.72 (Dia.) x 5.2mm Simple 1N4742A +200 °C 1 W 5μA 9Ω -65 °C Montaje en orificio pasante 12V 1 -65 → +200

onsemi 2.72 (Dia.) x 5.2mm Simple 1N4742A +200 °C 1 W 5μA 9Ω -65 °C Montaje en orificio pasante 12V 1 -65 → +200, Tipo de Encapsulado: DO-41, Tipo de Zener: Uso general, Tolerancia de Tensión de Zener: 5%, Corriente de Prueba: 21mA, Corriente de Fugas Inversa Máxima: 5µA, Diámetro: 2.72mm, MPN: 1N4742ATR

EUR 0.13

1

onsemi 2.72 (Dia.) x 5.2mm Simple 1N4741A +200 °C 1 W 5μA 8Ω -65 °C Montaje en orificio pasante 11V 1 -65 → +200

onsemi 2.72 (Dia.) x 5.2mm Simple 1N4741A +200 °C 1 W 5μA 8Ω -65 °C Montaje en orificio pasante 11V 1 -65 → +200, Tipo de Encapsulado: DO-41, Tipo de Zener: Uso general, Tolerancia de Tensión de Zener: 5%, Corriente de Prueba: 23mA, Corriente de Fugas Inversa Máxima: 5µA, Diámetro: 2.72mm, MPN: 1N4741ATR

EUR 0.02

1

onsemi Transistor, NPN Simple, 15 A, 200 V, TO-3BPL, 3 broches

onsemi Transistor, NPN Simple, 15 A, 200 V, TO-3BPL, 3 broches, Type de montage: Traversant, Dissipation de puissance maximum: 200 W, Tension Collecteur Base maximum: 230 V, Tension Emetteur Base maximum: 7 V, Fréquence de fonctionnement maximum: 30 MHz, Dimensions: 26.4 x 20.3 x 5.3mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: MJL3281AG

EUR 3.75

1

onsemi Transistor, NPN Simple, 15 A, 200 V, TO-3BPL, 3 broches

onsemi Transistor, NPN Simple, 15 A, 200 V, TO-3BPL, 3 broches, Type de montage: Traversant, Dissipation de puissance maximum: 200 W, Tension Collecteur Base maximum: 230 V, Tension Emetteur Base maximum: 7 V, Fréquence de fonctionnement maximum: 30 MHz, Dimensions: 26.4 x 20.3 x 5.3mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, Hauteur: 26.4mm, MPN: MJL3281AG

EUR 4.43

1

onsemi Diode CMS, 1A, 200 (Recurrent)V, SOD-123F

onsemi Diode CMS, 1A, 200 (Recurrent)V, SOD-123F, Configuration de diode: Simple, Temps de recouvrement inverse crête: 2µs, courant direct de surcharge non-répétitif de crête: 30A, MPN: S1DFL

EUR 0.35

3

onsemi Diode CMS, 1A, 200 (Recurrent)V, SOD-123F

onsemi Diode CMS, 1A, 200 (Recurrent)V, SOD-123F, Configuration de diode: Simple, Temps de recouvrement inverse crête: 2µs, courant direct de surcharge non-répétitif de crête: 30A, MPN: S1DFL

EUR 0.15

3

onsemi Diode CMS, 1A, 200 (Recurrent)V, SOD-123F

onsemi Diode CMS, 1A, 200 (Recurrent)V, SOD-123F, Configuration de diode: Simple, Temps de recouvrement inverse crête: 2µs, courant direct de surcharge non-répétitif de crête: 30A, MPN: S1DFL

EUR 0.11

1

onsemi Transistor, NPN Simple, 15 A, 200 V, TO-3BPL, 3 broches

onsemi Transistor, NPN Simple, 15 A, 200 V, TO-3BPL, 3 broches, Type de montage: Traversant, Dissipation de puissance maximum: 200 W, Gain en courant DC minimum: 12, Tension Collecteur Base maximum: 230 V, Tension Emetteur Base maximum: 7 V, Fréquence de fonctionnement maximum: 30 MHz, Dimensions: 26.4 x 20.3 x 5.3mm, Hauteur: 26.4mm, MPN: MJL3281AG

EUR 3.78

1

onsemi Transistor, PNP Simple, 200 mA, -30 V, SOT-23, 3 broches

onsemi Transistor, PNP Simple, 200 mA, -30 V, SOT-23, 3 broches, Courant continu de Collecteur maximum: 100 A (continu), 200 mA (crête), Type de montage: CMS, Dissipation de puissance maximum: 300 mW, Gain en courant DC minimum: 420, Fréquence de fonctionnement maximum: 100 MHz, Standard automobile: AEC-Q101, Dimensions: 3.04 x 1.4 x 1.01mm, MPN: BC858CLT1G

EUR 0.02

3

onsemi Transistor PNP, 6 Pin, SOT-23, 200 mA, 40 V, Montaggio superficiale

onsemi Transistor PNP, 6 Pin, SOT-23, 200 mA, 40 V, Montaggio superficiale, Dissipazione di potenza massima: 700 mW, Guadagno minimo corrente c.c.: 100, Configurazione transistor: Isolato, Tensione massima base del collettore: -40 V, Tensione massima base emitter: -5 V, Frequenza operativa massima: 200 MHz, Dimensioni: 3 x 1.7 x 1mm, MPN: FMB3906

EUR 0.23

1

onsemi Transistor, PNP Isolé, 200 mA, 40 V, SOT-23, 6 broches Dual

onsemi Transistor, PNP Isolé, 200 mA, 40 V, SOT-23, 6 broches Dual, Type de montage: CMS, Dissipation de puissance maximum: 700 mW, Gain en courant DC minimum: 100, Tension Collecteur Base maximum: -40 V, Tension Emetteur Base maximum: -5 V, Fréquence de fonctionnement maximum: 200 MHz, Dimensions: 3 x 1.7 x 1mm, MPN: FMB3906

EUR 0.23

1

onsemi Transistor, NPN Simple, 200 mA, 15 V, SOT-23, 3 broches

onsemi Transistor, NPN Simple, 200 mA, 15 V, SOT-23, 3 broches, Courant continu de Collecteur maximum: 200 mA (continu), Type de montage: CMS, Dissipation de puissance maximum: 225 mW, Tension Collecteur Base maximum: 40 V, Tension Emetteur Base maximum: 4,5 V, Fréquence de fonctionnement maximum: 100 MHz, Standard automobile: AEC-Q101, Dimensions: 3.04 x 1.4 x 1.01mm, MPN: MMBT2369ALT1G

EUR 0.06

3

Marque

Genre

Marchand

Prix (EUR)

onsemi Transistor, FMB3906, PNP 200 mA 40 V Dual SOT-23, 6 pines, 200 MHz, Aislado

onsemi Transistor, FMB3906, PNP 200 mA 40 V Dual SOT-23, 6 pines, 200 MHz, Aislado

onsemi Transistor, FMB3906, PNP 200 mA 40 V Dual SOT-23, 6 pines, 200 MHz, Aislado

onsemi 1.91 (Dia.) x 4.56mm Simple 1N5235B +200 °C 500 mW 3μA 5Ω Montaje en orificio pasante 6.8V 1 -65 → +200

onsemi 1.91 (Dia.) x 4.56mm Simple 1N5235B +200 °C 500 mW 3μA 5Ω Montaje en orificio pasante 6.8V 1 -65 → +200

onsemi 1.91 (Dia.) x 4.56mm Simple 1N5234C +200 °C 500 mW 5μA 7Ω Montaje en orificio pasante 6.2V 1 Máximo de +200 °C

onsemi 2.72 (Dia.) x 5.2mm Simple 1N4741A +200 °C 1 W 5μA 8Ω -65 °C Montaje en orificio pasante 11V 1 -65 → +200

onsemi 1.91 (Dia.) x 4.56mm Simple 1N5231C +200 °C 500 mW 5μA 17Ω Montaje en orificio pasante 5.1V 1 Máximo de +200 °C

onsemi 2.72 (Dia.) x 5.2mm Simple 1N4742A +200 °C 1 W 5μA 9Ω -65 °C Montaje en orificio pasante 12V 1 -65 → +200

onsemi 1.91 (Dia.) x 4.56mm Simple 1N5231C +200 °C 500 mW 5μA 17Ω Montaje en orificio pasante 5.1V 1 Máximo de +200 °C

onsemi 1.91 (Dia.) x 4.56mm Simple 1N5234C +200 °C 500 mW 5μA 7Ω Montaje en orificio pasante 6.2V 1 Máximo de +200 °C

onsemi 2.72 (Dia.) x 5.2mm Simple 1N4742A +200 °C 1 W 5μA 9Ω -65 °C Montaje en orificio pasante 12V 1 -65 → +200

onsemi 2.72 (Dia.) x 5.2mm Simple 1N4741A +200 °C 1 W 5μA 8Ω -65 °C Montaje en orificio pasante 11V 1 -65 → +200

onsemi Transistor, NPN Simple, 15 A, 200 V, TO-3BPL, 3 broches

onsemi Transistor, NPN Simple, 15 A, 200 V, TO-3BPL, 3 broches

onsemi Diode CMS, 1A, 200 (Recurrent)V, SOD-123F

onsemi Diode CMS, 1A, 200 (Recurrent)V, SOD-123F

onsemi Diode CMS, 1A, 200 (Recurrent)V, SOD-123F

onsemi Transistor, NPN Simple, 15 A, 200 V, TO-3BPL, 3 broches

onsemi Transistor, PNP Simple, 200 mA, -30 V, SOT-23, 3 broches

onsemi Transistor PNP, 6 Pin, SOT-23, 200 mA, 40 V, Montaggio superficiale

onsemi Transistor, PNP Isolé, 200 mA, 40 V, SOT-23, 6 broches Dual

onsemi Transistor, NPN Simple, 200 mA, 15 V, SOT-23, 3 broches

Powered by Cobiro