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onsemi Multiplexeur/démultiplexeur FST16233MTDX, TSSOP 56 broches

onsemi Multiplexeur/démultiplexeur FST16233MTDX, TSSOP 56 broches, Type de montage: CMS, Dimensions: 14 x 6.1 x 0.9mm, Température d'utilisation maximum: +85 °C, Température de fonctionnement minimum: -40 °C, Type de signal d'entrée: Différentiel, Longueur: 14mm, Architecture multiplexeur: 2:1

EUR 1.06

1

onsemi Multiplexeur/démultiplexeur FST16233MTDX, TSSOP 56 broches

onsemi Multiplexeur/démultiplexeur FST16233MTDX, TSSOP 56 broches, Type de montage: CMS, Dimensions: 14 x 6.1 x 0.9mm, Température d'utilisation maximum: +85 °C, Température de fonctionnement minimum: -40 °C, Type de signal d'entrée: Différentiel, Longueur: 14mm, Architecture multiplexeur: 2:1

EUR 2.12

1

onsemi Multiplexeur/démultiplexeur FST16233MTDX, TSSOP 56 broches

onsemi Multiplexeur/démultiplexeur FST16233MTDX, TSSOP 56 broches, Type de montage: CMS, Tension d'alimentation asymétrique typique: 4 → 5,5 V, Type d'alimentation: Simple, Type de signal d'entrée: Différentiel, Température de fonctionnement minimum: -40 °C, Température d'utilisation maximum: +85 °C, Dimensions: 14 x 6.1 x 0.9mm, Longueur: 14mm, Architecture multiplexeur: 2:1

EUR 1.80

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onsemi SerDes LVDS, FIN3385MTDX, 28 LVTTL LVDS 2.38Gbps, TSSOP, 56 broches

onsemi SerDes LVDS, 28 LVTTL LVDS 2.38Gbps, TSSOP, 56 broches, Nombre d'éléments par circuit: 4, Type de montage: CMS, Tension de seuil basse d'entrée différentielle: -100mV, Dimensions: 14 x 6.1 x 1mm, Longueur: 14mm, Tension d'alimentation fonctionnement maximum: 3,6 V, Température d'utilisation maximum: +85 °C, MPN: FIN3385MTDX

EUR 4.97

1

onsemi SerDes LVDS, FIN3386MTDX, 28 LVTTL LVDS 2.38Gbps, TSSOP, 56 broches

onsemi SerDes LVDS, 28 LVTTL LVDS 2.38Gbps, TSSOP, 56 broches, Nombre d'éléments par circuit: 4, Type de montage: CMS, Tension de seuil basse d'entrée différentielle: -100mV, Dimensions: 14 x 6.1 x 1mm, Longueur: 14mm, Tension d'alimentation fonctionnement maximum: 3,6 V, Température d'utilisation maximum: +85 °C, MPN: FIN3386MTDX

EUR 5.13

1

onsemi Multiplexeur différentiel, 1RT hexagonal 8Gbit/s, 3,3 V, WQFN, 56 broches

onsemi Multiplexeur différentiel, 1RT hexagonal 8Gbit/s, 3,3 V, WQFN, 56 broches, Type de montage: CMS, Type de commutation: Multiplexeur, démultiplexeur, Type d'alimentation: Simple, Température de fonctionnement minimum: -40 °C, Température d'utilisation maximum: +85 °C, Dimensions: 11 x 5 x 0.75mm, Longueur: 11mm, MPN: NCN3612BMTTWG

EUR 1.16

1

onsemi SerDes LVDS, FIN3385MTDX, 28 LVTTL LVDS 2.38Gbps, TSSOP, 56 broches

onsemi SerDes LVDS, 28 LVTTL LVDS 2.38Gbps, TSSOP, 56 broches, Nombre d'éléments par circuit: 4, Type de montage: CMS, Tension de seuil haute d'entrée différentielle: 100mV, Tension de seuil basse d'entrée différentielle: -100mV, Dimensions: 14 x 6.1 x 1mm, Longueur: 14mm, Tension d'alimentation fonctionnement maximum: 3,6 V, MPN: FIN3385MTDX

EUR 2.83

1

onsemi SerDes LVDS, FIN3386MTDX, 28 LVTTL LVDS 2.38Gbps, TSSOP, 56 broches

onsemi SerDes LVDS, 28 LVTTL LVDS 2.38Gbps, TSSOP, 56 broches, Nombre d'éléments par circuit: 4, Type de montage: CMS, Tension de seuil haute d'entrée différentielle: 100mV, Tension de seuil basse d'entrée différentielle: -100mV, Dimensions: 14 x 6.1 x 1mm, Longueur: 14mm, Tension d'alimentation fonctionnement maximum: 3,6 V, MPN: FIN3386MTDX

EUR 2.78

1

onsemi SerDes LVDS, FIN3386MTDX, 28 LVTTL LVDS 2.38Gbps, TSSOP, 56 broches

onsemi SerDes LVDS, 28 LVTTL LVDS 2.38Gbps, TSSOP, 56 broches, Nombre d'éléments par circuit: 4, Type de montage: CMS, Tension de seuil basse d'entrée différentielle: -100mV, Dimensions: 14 x 6.1 x 1mm, Longueur: 14mm, Tension d'alimentation fonctionnement maximum: 3,6 V, Température d'utilisation maximum: +85 °C, Tension d'alimentation de fonctionnement minimum: 3 V, MPN: FIN3386MTDX

EUR 4.35

1

onsemi SerDes LVDS, FIN3385MTDX, 28 LVTTL LVDS 2.38Gbps, TSSOP, 56 broches

onsemi SerDes LVDS, 28 LVTTL LVDS 2.38Gbps, TSSOP, 56 broches, Nombre d'éléments par circuit: 4, Type de montage: CMS, Tension de seuil basse d'entrée différentielle: -100mV, Dimensions: 14 x 6.1 x 1mm, Longueur: 14mm, Tension d'alimentation fonctionnement maximum: 3,6 V, Température d'utilisation maximum: +85 °C, Tension d'alimentation de fonctionnement minimum: 3 V, MPN: FIN3385MTDX

EUR 4.23

1

onsemi MOSFET canal N,, Puissance 56 49 A 120 V, 8 broches

onsemi MOSFET canal N,, Puissance 56 49 A 120 V, 8 broches, Type de montage: CMS, Résistance Drain Source maximum: 21,5 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Dissipation de puissance maximum: 104 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: -20 V, +20 V, Hauteur: 1.05mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: FDMS86201

EUR 1.21

1

onsemi MOSFET canal N,, Puissance 56 48 A 80 V, 8 broches

onsemi MOSFET canal N,, Puissance 56 48 A 80 V, 8 broches, Type de montage: CMS, Résistance Drain Source maximum: 29 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Dissipation de puissance maximum: 78 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: -20 V, +20 V, Longueur: 5mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: FDMS3572

EUR 1.43

1

onsemi MOSFET canal N,, Puissance 56 48 A 80 V, 8 broches

onsemi MOSFET canal N,, Puissance 56 48 A 80 V, 8 broches, Type de montage: CMS, Résistance Drain Source maximum: 29 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Dissipation de puissance maximum: 78 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: -20 V, +20 V, Longueur: 5mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: FDMS3572

EUR 3.03

1

onsemi MOSFET canal N,, Power 56 122 A 80 V, 8 broches

onsemi MOSFET canal N,, Power 56 122 A 80 V, 8 broches, Type de montage: CMS, Résistance Drain Source maximum: 5,8 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil minimale de la grille: 2.5V, Dissipation de puissance maximum: 104 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: -20 V, +20 V, Hauteur: 1.05mm, MPN: FDMS86300

EUR 2.17

1

onsemi MOSFET canal N,, Puissance 56 76 A 80 V, 8 broches

onsemi MOSFET canal N,, Puissance 56 76 A 80 V, 8 broches, Type de montage: CMS, Résistance Drain Source maximum: 5 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil minimale de la grille: 2.5V, Dissipation de puissance maximum: 125 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: -20 V, +20 V, Hauteur: 1.05mm, Longueur: 5.1mm, MPN: FDMS86300DC

EUR 2.61

1

onsemi MOSFET canal P,, Power 56 35 A 30 V, 8 broches

onsemi MOSFET canal P,, Power 56 35 A 30 V, 8 broches, Type de montage: CMS, Résistance Drain Source maximum: 37 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil minimale de la grille: 1V, Dissipation de puissance maximum: 39 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: -25 V, +25 V, Hauteur: 1.05mm, MPN: FDMS4435BZ

EUR 0.37

1

onsemi MOSFET canal N,, Power 56 83 A 80 V, 8 broches

onsemi MOSFET canal N,, Power 56 83 A 80 V, 8 broches, Type de montage: CMS, Résistance Drain Source maximum: 14 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil minimale de la grille: 2V, Dissipation de puissance maximum: 104 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: -20 V, +20 V, Hauteur: 1.05mm, MPN: FDMS86322

EUR 1.79

1

onsemi MOSFET canal N,, Puissance 56 35 A 150 V, 8 broches

onsemi MOSFET canal N,, Puissance 56 35 A 150 V, 8 broches, Type de montage: CMS, Résistance Drain Source maximum: 34 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil minimale de la grille: 2V, Dissipation de puissance maximum: 104 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: -20 V, +20 V, Hauteur: 1.05mm, MPN: FDMS86200

EUR 1.81

1

onsemi MOSFET canal N,, Puissance 56 12 A 150 V, 8 broches

onsemi MOSFET canal N,, Puissance 56 12 A 150 V, 8 broches, Type de montage: CMS, Résistance Drain Source maximum: 110 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil minimale de la grille: 1V, Dissipation de puissance maximum: 50 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: -20 V, +20 V, Hauteur: 1.05mm, MPN: FDMS86252L

EUR 1.50

1

onsemi MOSFET canal N,, Puissance 56 22 A 30 V, 8 broches

onsemi MOSFET canal N,, Puissance 56 22 A 30 V, 8 broches, Type de montage: CMS, Résistance Drain Source maximum: 15 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil minimale de la grille: 1V, Dissipation de puissance maximum: 29 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: -20 V, +20 V, Hauteur: 1.05mm, MPN: FDMS7698

EUR 0.34

1

onsemi MOSFET canal N,, Puissance 56 192 A 40 V, 8 broches

onsemi MOSFET canal N,, Puissance 56 192 A 40 V, 8 broches, Type de montage: CMS, Résistance Drain Source maximum: 1,7 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil minimale de la grille: 1V, Dissipation de puissance maximum: 125 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: -20 V, +20 V, Hauteur: 1.05mm, Longueur: 5.1mm, MPN: FDMS8320LDC

EUR 3.08

1

onsemi MOSFET canal N,, Puissance 56 47 A 30 V, 8 broches

onsemi MOSFET canal N,, Puissance 56 47 A 30 V, 8 broches, Type de montage: CMS, Résistance Drain Source maximum: 13 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil minimale de la grille: 1V, Dissipation de puissance maximum: 27 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: -20 V, +20 V, Hauteur: 1.05mm, MPN: FDMS7692

EUR 0.45

1

onsemi MOSFET canal N,, Puissance 56 80 A 100 V, 8 broches

onsemi MOSFET canal N,, Puissance 56 80 A 100 V, 8 broches, Type de montage: CMS, Résistance Drain Source maximum: 14 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil minimale de la grille: 2V, Dissipation de puissance maximum: 104 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: -20 V, +20 V, Hauteur: 1.05mm, Longueur: 5.1mm, MPN: FDMS86101

EUR 1.65

1

onsemi MOSFET canal P,, Puissance 56 7,9 A 100 V, 8 broches

onsemi MOSFET canal P,, Puissance 56 7,9 A 100 V, 8 broches, Type de montage: CMS, Résistance Drain Source maximum: 36 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil minimale de la grille: 2V, Dissipation de puissance maximum: 104 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: -25 V, +25 V, Hauteur: 1.05mm, MPN: FDMS86163P

EUR 2.19

1

onsemi MOSFET canal N,, Puissance 56 130 A 80 V, 8 broches

onsemi MOSFET canal N,, Puissance 56 130 A 80 V, 8 broches, Type de montage: CMS, Résistance Drain Source maximum: 3,8 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil minimale de la grille: 2.5V, Dissipation de puissance maximum: 156 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: -20 V, +20 V, Hauteur: 1.05mm, Longueur: 5.1mm, MPN: FDMS86350

EUR 1.64

1

Marque

Genre

Marchand

Prix (EUR)

onsemi Multiplexeur/démultiplexeur FST16233MTDX, TSSOP 56 broches

onsemi Multiplexeur/démultiplexeur FST16233MTDX, TSSOP 56 broches

onsemi Multiplexeur/démultiplexeur FST16233MTDX, TSSOP 56 broches

onsemi SerDes LVDS, FIN3385MTDX, 28 LVTTL LVDS 2.38Gbps, TSSOP, 56 broches

onsemi SerDes LVDS, FIN3386MTDX, 28 LVTTL LVDS 2.38Gbps, TSSOP, 56 broches

onsemi Multiplexeur différentiel, 1RT hexagonal 8Gbit/s, 3,3 V, WQFN, 56 broches

onsemi SerDes LVDS, FIN3385MTDX, 28 LVTTL LVDS 2.38Gbps, TSSOP, 56 broches

onsemi SerDes LVDS, FIN3386MTDX, 28 LVTTL LVDS 2.38Gbps, TSSOP, 56 broches

onsemi SerDes LVDS, FIN3386MTDX, 28 LVTTL LVDS 2.38Gbps, TSSOP, 56 broches

onsemi SerDes LVDS, FIN3385MTDX, 28 LVTTL LVDS 2.38Gbps, TSSOP, 56 broches

onsemi MOSFET canal N,, Puissance 56 49 A 120 V, 8 broches

onsemi MOSFET canal N,, Puissance 56 48 A 80 V, 8 broches

onsemi MOSFET canal N,, Puissance 56 48 A 80 V, 8 broches

onsemi MOSFET canal N,, Power 56 122 A 80 V, 8 broches

onsemi MOSFET canal N,, Puissance 56 76 A 80 V, 8 broches

onsemi MOSFET canal P,, Power 56 35 A 30 V, 8 broches

onsemi MOSFET canal N,, Power 56 83 A 80 V, 8 broches

onsemi MOSFET canal N,, Puissance 56 35 A 150 V, 8 broches

onsemi MOSFET canal N,, Puissance 56 12 A 150 V, 8 broches

onsemi MOSFET canal N,, Puissance 56 22 A 30 V, 8 broches

onsemi MOSFET canal N,, Puissance 56 192 A 40 V, 8 broches

onsemi MOSFET canal N,, Puissance 56 47 A 30 V, 8 broches

onsemi MOSFET canal N,, Puissance 56 80 A 100 V, 8 broches

onsemi MOSFET canal P,, Puissance 56 7,9 A 100 V, 8 broches

onsemi MOSFET canal N,, Puissance 56 130 A 80 V, 8 broches

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