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onsemi Transistor MOSFET canal N,, PQFN8 103 A 60 V, 8 broches

onsemi Transistor MOSFET canal N,, PQFN8 103 A 60 V, 8 broches, MPN: NTTFS3D7N06HLTWG

EUR 1.24

1

onsemi Transistor MOSFET canal N,, PQFN8 103 A 60 V, 8 broches

onsemi Transistor MOSFET canal N,, PQFN8 103 A 60 V, 8 broches, Résistance Drain Source maximum: 0,0039 Ω, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 2V, Série: NTTF, MPN: NTTFS3D7N06HLTWG

EUR 1.60

1

onsemi Transistor MOSFET canal N,, PQFN8 103 A 60 V, 8 broches

onsemi Transistor MOSFET canal N,, PQFN8 103 A 60 V, 8 broches, Résistance Drain Source maximum: 0,0039 Ω, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 2V, Série: NTTF, MPN: NTTFS3D7N06HLTWG

EUR 0.80

1

onsemi MOSFET canal N,, DFN 103 A 80 V, 5 broches

onsemi MOSFET canal N,, DFN 103 A 80 V, 5 broches, Type de montage: CMS, Résistance Drain Source maximum: 4,5 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 4V, Tension de seuil minimale de la grille: 2V, Dissipation de puissance maximum: 115 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: ±20 V, Standard automobile: AEC-Q101, MPN: NVMFS6H824NT1G

EUR 1.40

1

onsemi MOSFET canal N,, WDFN 103 A 40 V, 8 broches

onsemi MOSFET canal N,, WDFN 103 A 40 V, 8 broches, Type de montage: CMS, Résistance Drain Source maximum: 3,5 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 3.5V, Tension de seuil minimale de la grille: 2.5V, Dissipation de puissance maximum: 69 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: ±20 V, Longueur: 3.15mm, Température d'utilisation maximum: +175 °C, MPN: NVTFS003N04CTAG

EUR 1.24

1

onsemi MOSFET canal N,, DFN 103 A 80 V, 5 broches

onsemi MOSFET canal N,, DFN 103 A 80 V, 5 broches, Type de montage: CMS, Résistance Drain Source maximum: 4,5 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 4V, Tension de seuil minimale de la grille: 2V, Dissipation de puissance maximum: 115 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: ±20 V, Longueur: 5.1mm, Température d'utilisation maximum: +175 °C, MPN: NVMFS6H824NT1G

EUR 0.76

1

onsemi MOSFET canal N,, WDFN 103 A 40 V, 8 broches

onsemi MOSFET canal N,, WDFN 103 A 40 V, 8 broches, Type de montage: CMS, Résistance Drain Source maximum: 3,5 m Ω, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 3.5V, Tension de seuil minimale de la grille: 2.5V, Dissipation de puissance maximum: 69 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: ±20 V, Standard automobile: AEC-Q101, MPN: NVTFS003N04CTAG

EUR 0.93

1

onsemi MOSFET canal N,, WDFN 103 A 40 V, 8 broches

onsemi MOSFET canal N,, WDFN 103 A 40 V, 8 broches, Type de montage: CMS, Résistance Drain Source maximum: 3,5 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 3.5V, Tension de seuil minimale de la grille: 2.5V, Dissipation de puissance maximum: 69 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: ±20 V, Longueur: 3.15mm, Température d'utilisation maximum: +175 °C, MPN: NVTFS003N04CTAG

EUR 0.51

1

onsemi MOSFET canal N,, DFN 103 A 80 V, 5 broches

onsemi MOSFET canal N,, DFN 103 A 80 V, 5 broches, Type de montage: CMS, Résistance Drain Source maximum: 4,5 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 4V, Tension de seuil minimale de la grille: 2V, Dissipation de puissance maximum: 115 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: ±20 V, Longueur: 5.1mm, Température d'utilisation maximum: +175 °C, MPN: NVMFS6H824NT1G

EUR 1.66

1

onsemi MOSFET canal N,, Power 56 24 A 150 V, 8 broches

onsemi MOSFET canal N,, Power 56 24 A 150 V, 8 broches, Type de montage: CMS, Résistance Drain Source maximum: 103 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil minimale de la grille: 2V, Dissipation de puissance maximum: 78 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: -20 V, +20 V, Hauteur: 0.75mm, MPN: FDMS2572

EUR 2.22

1

onsemi MOSFET canal N,, Puissance 56 27 A 150 V, 8 broches

onsemi MOSFET canal N,, Puissance 56 27 A 150 V, 8 broches, Type de montage: CMS, Résistance Drain Source maximum: 103 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil minimale de la grille: 2V, Dissipation de puissance maximum: 78 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: -20 V, +20 V, Longueur: 5mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: FDMS2572

EUR 1.29

1

onsemi MOSFET canal N,, Power 56 24 A 150 V, 8 broches

onsemi MOSFET canal N,, Power 56 24 A 150 V, 8 broches, Type de montage: CMS, Résistance Drain Source maximum: 103 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil minimale de la grille: 2V, Dissipation de puissance maximum: 78 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: -20 V, +20 V, Longueur: 5mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: FDMS2572

EUR 2.61

1

Marque

Genre

Marchand

Prix (EUR)

onsemi Transistor MOSFET canal N,, PQFN8 103 A 60 V, 8 broches

onsemi Transistor MOSFET canal N,, PQFN8 103 A 60 V, 8 broches

onsemi Transistor MOSFET canal N,, PQFN8 103 A 60 V, 8 broches

onsemi MOSFET canal N,, DFN 103 A 80 V, 5 broches

onsemi MOSFET canal N,, WDFN 103 A 40 V, 8 broches

onsemi MOSFET canal N,, DFN 103 A 80 V, 5 broches

onsemi MOSFET canal N,, WDFN 103 A 40 V, 8 broches

onsemi MOSFET canal N,, WDFN 103 A 40 V, 8 broches

onsemi MOSFET canal N,, DFN 103 A 80 V, 5 broches

onsemi MOSFET canal N,, Power 56 24 A 150 V, 8 broches

onsemi MOSFET canal N,, Puissance 56 27 A 150 V, 8 broches

onsemi MOSFET canal N,, Power 56 24 A 150 V, 8 broches

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