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onsemi IGBT, FGY75T95LQDT,, 950 V, A-247, 3 broches, Simple

onsemi IGBT,, 950 V, A-247, 3 broches, Simple, Dissipation de puissance maximum: 453 W, Type de montage: Traversant, Dimensions: 15.87 x 4.82 x 20.82mm, Température d'utilisation maximum: +175 °C, Température de fonctionnement minimum: -55 °C, MPN: FGY75T95LQDT

EUR 4.02

1

onsemi IGBT, FGY75T95LQDTOS,, 950 V, A-247, 3 broches, Simple

onsemi IGBTOS,, 950 V, A-247, 3 broches, Simple, Dissipation de puissance maximum: 453 W, Type de montage: Traversant, Dimensions: 15.87 x 4.82 x 20.82mm, Température d'utilisation maximum: +175 °C, Température de fonctionnement minimum: -55 °C, MPN: FGY75T95LQDT

EUR 3.94

1

onsemi IGBT, FGY75T95LQDT,, 950 V, A-247, 3 broches, Simple

onsemi IGBT,, 950 V, A-247, 3 broches, Simple, Type de transistor: NPN, Courant continu de Collecteur maximum: 150 A, Type de montage: Traversant, Dissipation de puissance maximum: 453 W, Fréquence de fonctionnement maximum: 1 MHz, Dimensions: 15.87 x 4.82 x 20.82mm, Longueur: 15.87mm, Température d'utilisation maximum: +175 °C, Température de fonctionnement minimum: -55 °C, MPN: FGY75T95LQDT

EUR 4.02

1

onsemi MOSFET canal P,, SOT-563 950 mA 20 V, 6 broches

onsemi MOSFET canal P,, SOT-563 950 mA 20 V, 6 broches, Type de montage: CMS, Résistance Drain Source maximum: 240 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 1V, Dissipation de puissance maximum: 210 mW, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: -8 V, +8 V, Hauteur: 0.6mm, Longueur: 1.7mm, MPN: NTZS3151PT1G

EUR 0.30

1

onsemi MOSFET canal P,, SOT-563 950 mA 20 V, 6 broches

onsemi MOSFET canal P,, SOT-563 950 mA 20 V, 6 broches, Type de montage: CMS, Résistance Drain Source maximum: 240 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 1V, Dissipation de puissance maximum: 210 mW, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: -8 V, +8 V, Longueur: 1.7mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: NTZS3151PT1G

EUR 0.12

1

onsemi MOSFET canal P,, SOT-563 950 mA 20 V, 6 broches

onsemi MOSFET canal P,, SOT-563 950 mA 20 V, 6 broches, Type de montage: CMS, Résistance Drain Source maximum: 240 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 1V, Dissipation de puissance maximum: 210 mW, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: -8 V, +8 V, Longueur: 1.7mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: NTZS3151PT1G

EUR 0.44

1

onsemi Diode Zener, 43V,, dissip. ≤ 1,5 W SMA

onsemi Diode Zener, 43V,, dissip. ≤ 1,5 W SMA, Configuration de diode: Simple, Type de montage: CMS, Type de zener: Régulateur de tension, Tolérance de la tension zener: 5%, Nombre de broche: 2, Courant de test: 8.7mA, Impédance zener maximum: 53 Ω, 950 Ω, Courant de fuite inverse maximum: 500nA, Longueur: 4.57mm, Largeur: 2.92mm, Dimensions: 4.57 x 2.92 x 2.05mm, MPN: 1SMA5940BT3G

EUR 0.18

1

onsemi MOSFET canal N,, SC-89 915 mA 20 V, 3 broches

onsemi MOSFET canal N,, SC-89 915 mA 20 V, 3 broches, Type de montage: CMS, Résistance Drain Source maximum: 950 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 1.1V, Tension de seuil minimale de la grille: 0.45V, Dissipation de puissance maximum: 300 mW, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: ±6 V, Longueur: 1.7mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: NTE4153NT1G

EUR 24.49

1

onsemi MOSFET canal N,, SC-89 915 mA 20 V, 3 broches

onsemi MOSFET canal N,, SC-89 915 mA 20 V, 3 broches, Type de montage: CMS, Résistance Drain Source maximum: 950 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 1.1V, Tension de seuil minimale de la grille: 0.45V, Dissipation de puissance maximum: 300 mW, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: ±6 V, Standard automobile: AEC-Q101, MPN: NTE4153NT1G

EUR 0.18

1

onsemi Diode Zener, 43V,, dissip. ≤ 3 W SMB

onsemi Diode Zener, 43V,, dissip. ≤ 3 W SMB, Configuration de diode: Simple, Type de montage: CMS, Nombre d'éléments par circuit: 1, Type de zener: Régulateur de tension, Tolérance de la tension zener: 5%, Nombre de broche: 2, Courant de test: 8.7mA, Impédance zener maximum: 53 Ω, 950 Ω, Courant de fuite inverse maximum: 1µA, Longueur: 4.6mm, Largeur: 3.95mm, Dimensions: 4.6 x 3.95 x 2.28mm, MPN: 1SMB5940BT3G

EUR 0.38

1

onsemi MOSFET canal N,, SC-89 915 mA 20 V, 3 broches

onsemi MOSFET canal N,, SC-89 915 mA 20 V, 3 broches, Type de montage: CMS, Résistance Drain Source maximum: 950 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 1.1V, Tension de seuil minimale de la grille: 0.45V, Dissipation de puissance maximum: 300 mW, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: ±6 V, Longueur: 1.7mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: NTE4153NT1G

EUR 0.12

1

Marque

Genre

Marchand

Prix (EUR)

onsemi IGBT, FGY75T95LQDT,, 950 V, A-247, 3 broches, Simple

onsemi IGBT, FGY75T95LQDTOS,, 950 V, A-247, 3 broches, Simple

onsemi IGBT, FGY75T95LQDT,, 950 V, A-247, 3 broches, Simple

onsemi MOSFET canal P,, SOT-563 950 mA 20 V, 6 broches

onsemi MOSFET canal P,, SOT-563 950 mA 20 V, 6 broches

onsemi MOSFET canal P,, SOT-563 950 mA 20 V, 6 broches

onsemi Diode Zener, 43V,, dissip. ≤ 1,5 W SMA

onsemi MOSFET canal N,, SC-89 915 mA 20 V, 3 broches

onsemi MOSFET canal N,, SC-89 915 mA 20 V, 3 broches

onsemi Diode Zener, 43V,, dissip. ≤ 3 W SMB

onsemi MOSFET canal N,, SC-89 915 mA 20 V, 3 broches

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