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onsemi Transistor MOSFET ON Semiconductor, canale N, 0,0039 Ω, 103 A, PQFN8

onsemi Transistor MOSFET ON Semiconductor, canale N, 0,0039 Ω, 103 A, PQFN8, MPN: NTTFS3D7N06HLTWG

EUR 1.24

1

onsemi Transistor MOSFET ON Semiconductor, canale N, 0,0039 Ω, 103 A, PQFN8

onsemi Transistor MOSFET ON Semiconductor, canale N, 0,0039 Ω, 103 A, PQFN8, Tensione massima drain source: 60 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 2V, Serie: NTTF, MPN: NTTFS3D7N06HLTWG

EUR 0.80

1

onsemi Transistor MOSFET ON Semiconductor, canale N, 0,0039 Ω, 103 A, PQFN8

onsemi Transistor MOSFET ON Semiconductor, canale N, 0,0039 Ω, 103 A, PQFN8, Tensione massima drain source: 60 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 2V, Serie: NTTF, MPN: NTTFS3D7N06HLTWG

EUR 1.60

1

onsemi MOSFET, canale N, 4,5 mΩ, 103 A, DFN, Montaggio superficiale

onsemi MOSFET, canale N, 4,5 mΩ, 103 A, DFN, Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 80 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 4V, Tensione di soglia gate minima: 2V, Dissipazione di potenza massima: 115 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: ±20 V, Standard per uso automobilistico: AEC-Q101, MPN: NVMFS6H824NT1G

EUR 1.40

1

onsemi MOSFET, canale N, 4,5 mΩ, 103 A, DFN, Montaggio superficiale

onsemi MOSFET, canale N, 4,5 mΩ, 103 A, DFN, Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 80 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 4V, Tensione di soglia gate minima: 2V, Dissipazione di potenza massima: 115 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: ±20 V, Lunghezza: 5.1mm, Massima temperatura operativa: +175 °C, MPN: NVMFS6H824NT1G

EUR 0.76

1

onsemi MOSFET, canale N, 4,5 mΩ, 103 A, DFN, Montaggio superficiale

onsemi MOSFET, canale N, 4,5 mΩ, 103 A, DFN, Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 80 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 4V, Tensione di soglia gate minima: 2V, Dissipazione di potenza massima: 115 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: ±20 V, Lunghezza: 5.1mm, Massima temperatura operativa: +175 °C, MPN: NVMFS6H824NT1G

EUR 1.66

1

onsemi MOSFET, canale N, 103 mΩ, 24 A, Power 56, Montaggio superficiale

onsemi MOSFET, canale N, 103 mΩ, 24 A, Power 56, Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 150 V, Numero pin: 8, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate minima: 2V, Dissipazione di potenza massima: 78 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -20 V, +20 V, Altezza: 0.75mm, MPN: FDMS2572

EUR 2.22

1

onsemi MOSFET, canale N, 3,5 mΩ, 103 A, WDFN, Montaggio superficiale

onsemi MOSFET, canale N, 3,5 mΩ, 103 A, WDFN, Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 40 V, Numero pin: 8, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 3.5V, Tensione di soglia gate minima: 2.5V, Dissipazione di potenza massima: 69 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: ±20 V, Lunghezza: 3.15mm, Massima temperatura operativa: +175 °C, MPN: NVTFS003N04CTAG

EUR 0.51

1

onsemi MOSFET, canale N, 3,5 mΩ, 103 A, WDFN, Montaggio superficiale

onsemi MOSFET, canale N, 3,5 mΩ, 103 A, WDFN, Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 40 V, Numero pin: 8, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 3.5V, Tensione di soglia gate minima: 2.5V, Dissipazione di potenza massima: 69 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: ±20 V, Lunghezza: 3.15mm, Massima temperatura operativa: +175 °C, MPN: NVTFS003N04CTAG

EUR 1.24

1

onsemi MOSFET, canale N, 103 mΩ, 27 A, Power 56, Montaggio superficiale

onsemi MOSFET, canale N, 103 mΩ, 27 A, Power 56, Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 150 V, Numero pin: 8, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate minima: 2V, Dissipazione di potenza massima: 78 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -20 V, +20 V, Lunghezza: 5mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, MPN: FDMS2572

EUR 1.29

1

onsemi MOSFET, canale N, 103 mΩ, 24 A, Power 56, Montaggio superficiale

onsemi MOSFET, canale N, 103 mΩ, 24 A, Power 56, Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 150 V, Numero pin: 8, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate minima: 2V, Dissipazione di potenza massima: 78 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -20 V, +20 V, Lunghezza: 5mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, MPN: FDMS2572

EUR 2.61

1

onsemi MOSFET, canale N, 3,5 mΩ, 103 A, WDFN, Montaggio superficiale

onsemi MOSFET, canale N, 3,5 mΩ, 103 A, WDFN, Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 40 V, Numero pin: 8, Resistenza massima drain source: 3,5 m Ω, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 3.5V, Tensione di soglia gate minima: 2.5V, Dissipazione di potenza massima: 69 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: ±20 V, Standard per uso automobilistico: AEC-Q101, MPN: NVTFS003N04CTAG

EUR 0.93

1

Marque

Genre

Marchand

Prix (EUR)

onsemi Transistor MOSFET ON Semiconductor, canale N, 0,0039 Ω, 103 A, PQFN8

onsemi Transistor MOSFET ON Semiconductor, canale N, 0,0039 Ω, 103 A, PQFN8

onsemi Transistor MOSFET ON Semiconductor, canale N, 0,0039 Ω, 103 A, PQFN8

onsemi MOSFET, canale N, 4,5 mΩ, 103 A, DFN, Montaggio superficiale

onsemi MOSFET, canale N, 4,5 mΩ, 103 A, DFN, Montaggio superficiale

onsemi MOSFET, canale N, 4,5 mΩ, 103 A, DFN, Montaggio superficiale

onsemi MOSFET, canale N, 103 mΩ, 24 A, Power 56, Montaggio superficiale

onsemi MOSFET, canale N, 3,5 mΩ, 103 A, WDFN, Montaggio superficiale

onsemi MOSFET, canale N, 3,5 mΩ, 103 A, WDFN, Montaggio superficiale

onsemi MOSFET, canale N, 103 mΩ, 27 A, Power 56, Montaggio superficiale

onsemi MOSFET, canale N, 103 mΩ, 24 A, Power 56, Montaggio superficiale

onsemi MOSFET, canale N, 3,5 mΩ, 103 A, WDFN, Montaggio superficiale

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