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onsemi Transistor PNP, 3 Pin, TO-126, 100 mA, 180 V,, Montaggio su foro

onsemi Transistor PNP, 3 Pin, TO-126, 100 mA, 180 V,, Montaggio su foro, Dissipazione di potenza massima: 8 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima base del collettore: -180 V, Tensione massima base emitter: -5 V, Frequenza operativa massima: 1 MHz, Dimensioni: 8 x 3.25 x 11mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, Tensione massima di saturazione collettore emitter: -0,5 V, MPN: KSA1142OSTU

EUR 0.45

1

onsemi MOSFET, canale N, 180 mΩ, 12,8 A, TO-220AB, Su foro

onsemi MOSFET, canale N, 180 mΩ, 12,8 A, TO-220AB, Su foro, Tensione massima drain source: 100 V, Numero pin: 3, Modalità del canale: Enhancement, Dissipazione di potenza massima: 65 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -20 V, +20 V, Lunghezza: 10.1mm, Massima temperatura operativa: +175 °C, MPN: FQP13N10L

EUR 1.21

1

onsemi MOSFET, canale P, 180 mΩ, 1,3 A, SOT-23, Montaggio superficiale

onsemi MOSFET, canale P, 180 mΩ, 1,3 A, SOT-23, Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 30 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate minima: 0.8V, Dissipazione di potenza massima: 500 mW, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -25 V, +25 V, Altezza: 0.94mm, Lunghezza: 2.92mm, MPN: FDN352AP

EUR 0.19

1

onsemi MOSFET, canale P, 180 mΩ, 1 A, SOT-23, Montaggio superficiale

onsemi MOSFET, canale P, 180 mΩ, 1 A, SOT-23, Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 20 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 2.3V, Dissipazione di potenza massima: 400 mW, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -20 V, +20 V, Altezza: 0.94mm, Lunghezza: 2.9mm, MPN: NTR1P02T1G

EUR 0.58

1

onsemi MOSFET, canale P, 180 mΩ, 1 A, SOT-23, Montaggio superficiale

onsemi MOSFET, canale P, 180 mΩ, 1 A, SOT-23, Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 20 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 2.3V, Dissipazione di potenza massima: 400 mW, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -20 V, +20 V, Altezza: 1.01mm, Lunghezza: 3.04mm, MPN: NVR1P02T1G

EUR 0.34

1

onsemi MOSFET, canale P, 5 Ω, 180 mA, SOT-23, Montaggio superficiale

onsemi MOSFET, canale P, 5 Ω, 180 mA, SOT-23, Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 60 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate minima: 1V, Dissipazione di potenza massima: 360 mW, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -20 V, +20 V, Altezza: 0.93mm, Lunghezza: 2.92mm, MPN: NDS0605

EUR 0.28

1

onsemi MOSFET, canale N, 180 mΩ, 12,8 A, TO-220AB, Su foro

onsemi MOSFET, canale N, 180 mΩ, 12,8 A, TO-220AB, Su foro, Tensione massima drain source: 100 V, Numero pin: 3, Modalità del canale: Enhancement, Dissipazione di potenza massima: 65 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -20 V, +20 V, Lunghezza: 10.1mm, Massima temperatura operativa: +175 °C, MPN: FQP13N10L

EUR 1.21

1

onsemi MOSFET, canale N, 180 mΩ, 17 A, Power88, Montaggio superficiale

onsemi MOSFET, canale N, 180 mΩ, 17 A, Power88, Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 650 V, Numero pin: 4, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 4.5V, Tensione di soglia gate minima: 2.5V, Dissipazione di potenza massima: 139 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: ±30 V, Tensione diretta del diodo: 1.2V, MPN: FCMT180N65S3

EUR 2.44

1

onsemi MOSFET, canale P, 180 mΩ, 1 A, SOT-23, Montaggio superficiale

onsemi MOSFET, canale P, 180 mΩ, 1 A, SOT-23, Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 20 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 2.3V, Dissipazione di potenza massima: 400 mW, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -20 V, +20 V, Lunghezza: 2.9mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, MPN: NTR1P02T1G

EUR 0.60

1

onsemi MOSFET, canale P, 5 Ω, 180 mA, SOT-23, Montaggio superficiale

onsemi MOSFET, canale P, 5 Ω, 180 mA, SOT-23, Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 60 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate minima: 1V, Dissipazione di potenza massima: 360 mW, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -20 V, +20 V, Lunghezza: 2.92mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, MPN: NDS0605

EUR 0.06

1

onsemi MOSFET, canale P, 180 mΩ, 1 A, SOT-23, Montaggio superficiale

onsemi MOSFET, canale P, 180 mΩ, 1 A, SOT-23, Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 20 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 2.3V, Dissipazione di potenza massima: 400 mW, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -20 V, +20 V, Lunghezza: 2.9mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, MPN: NTR1P02T1G

EUR 0.10

1

onsemi MOSFET, canale P, 180 mΩ, 1,3 A, SOT-23, Montaggio superficiale

onsemi MOSFET, canale P, 180 mΩ, 1,3 A, SOT-23, Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 30 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate minima: 0.8V, Dissipazione di potenza massima: 500 mW, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -25 V, +25 V, Lunghezza: 2.92mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, MPN: FDN352AP

EUR 0.15

1

onsemi MOSFET, canale P, 180 mΩ, 1,3 A, SOT-23, Montaggio superficiale

onsemi MOSFET, canale P, 180 mΩ, 1,3 A, SOT-23, Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 30 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate minima: 0.8V, Dissipazione di potenza massima: 500 mW, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -25 V, +25 V, Lunghezza: 2.92mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, MPN: FDN352AP

EUR 0.45

1

onsemi MOSFET, canale P, 180 mΩ, 1 A, SOT-23, Montaggio superficiale

onsemi MOSFET, canale P, 180 mΩ, 1 A, SOT-23, Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 20 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 2.3V, Dissipazione di potenza massima: 400 mW, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -20 V, +20 V, Lunghezza: 3.04mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, MPN: NVR1P02T1G

EUR 0.34

1

onsemi MOSFET, canale P, 5 Ω, 180 mA, SOT-23, Montaggio superficiale

onsemi MOSFET, canale P, 5 Ω, 180 mA, SOT-23, Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 60 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate minima: 1V, Dissipazione di potenza massima: 360 mW, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -20 V, +20 V, Lunghezza: 2.92mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, MPN: NDS0605

EUR 0.29

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onsemi MOSFET, canale N, 180 mΩ, 17 A, Power88, Montaggio superficiale

onsemi MOSFET, canale N, 180 mΩ, 17 A, Power88, Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 650 V, Numero pin: 4, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 4.5V, Tensione di soglia gate minima: 2.5V, Dissipazione di potenza massima: 139 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: ±30 V, Lunghezza: 8mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, MPN: FCMT180N65S3

EUR 1.68

1

onsemi MOSFET, canale N, 180 mΩ, 17 A, Power88, Montaggio superficiale

onsemi MOSFET, canale N, 180 mΩ, 17 A, Power88, Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 650 V, Numero pin: 4, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 4.5V, Tensione di soglia gate minima: 2.5V, Dissipazione di potenza massima: 139 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: ±30 V, Lunghezza: 8mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, MPN: FCMT180N65S3

EUR 3.09

1

onsemi MOSFET, canale N, 180 mΩ, 18 A, TO-220, Su foro

onsemi MOSFET, canale N, 180 mΩ, 18 A, TO-220, Su foro, Tensione massima drain source: 200 V, Numero pin: 3, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate minima: 1V, Dissipazione di potenza massima: 110 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -20 V, +20 V, Lunghezza: 10.67mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, MPN: IRL640A

EUR 1.52

1

onsemi MOSFET, canale N, 180 mΩ, 18 A, TO-220, Su foro

onsemi MOSFET, canale N, 180 mΩ, 18 A, TO-220, Su foro, Tensione massima drain source: 200 V, Numero pin: 3, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate minima: 1V, Dissipazione di potenza massima: 110 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -20 V, +20 V, Lunghezza: 10.67mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, MPN: IRL640A

EUR 1.68

1

onsemi MOSFET, canale N, 180 mΩ, 12,8 A, TO-220AB, Su foro

onsemi MOSFET, canale N, 180 mΩ, 12,8 A, TO-220AB, Su foro, Tensione massima drain source: 100 V, Numero pin: 3, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate minima: 2V, Dissipazione di potenza massima: 65 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -25 V, +25 V, Lunghezza: 10.1mm, Massima temperatura operativa: +175 °C, MPN: FQP13N10

EUR 1.11

1

onsemi MOSFET, canale N, 180 mΩ, 12 A, TO-220, Su foro

onsemi MOSFET, canale N, 180 mΩ, 12 A, TO-220, Su foro, Tensione massima drain source: 60 V, Numero pin: 3, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate minima: 1V, Dissipazione di potenza massima: 48 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -15 V, +15 V, Lunghezza: 10.67mm, Massima temperatura operativa: +175 °C, MPN: MTP3055VL

EUR 1.44

1

onsemi MOSFET, canale N, 180 mΩ, 12,8 A, TO-220AB, Su foro

onsemi MOSFET, canale N, 180 mΩ, 12,8 A, TO-220AB, Su foro, Tensione massima drain source: 100 V, Numero pin: 3, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate minima: 2V, Dissipazione di potenza massima: 65 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -25 V, +25 V, Lunghezza: 10.1mm, Massima temperatura operativa: +175 °C, MPN: FQP13N10

EUR 0.99

1

onsemi MOSFET, canale N, 180 mΩ, 12 A, TO-220, Su foro

onsemi MOSFET, canale N, 180 mΩ, 12 A, TO-220, Su foro, Tensione massima drain source: 60 V, Numero pin: 3, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate minima: 1V, Dissipazione di potenza massima: 48 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -15 V, +15 V, Lunghezza: 10.67mm, Massima temperatura operativa: +175 °C, MPN: MTP3055VL

EUR 1.60

1

onsemi MOSFET, canale N, 180 mΩ, 12 A, DPAK (TO-252), Montaggio superficiale

onsemi MOSFET, canale N, 180 mΩ, 12 A, DPAK (TO-252), Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 60 V, Numero pin: 3, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate minima: 1V, Dissipazione di potenza massima: 48 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -20 V, +20 V, Altezza: 2.39mm, Lunghezza: 6.73mm, MPN: MTD3055VL

EUR 0.85

1

onsemi MOSFET, canale N, 180 mΩ, 10 A, DPAK (TO-252), Montaggio superficiale

onsemi MOSFET, canale N, 180 mΩ, 10 A, DPAK (TO-252), Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 100 V, Numero pin: 3, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate minima: 2V, Dissipazione di potenza massima: 2,5 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -25 V, +25 V, Altezza: 2.3mm, Lunghezza: 6.6mm, MPN: FQD13N10TM

EUR 0.68

1

Marque

Genre

Marchand

Prix (EUR)

onsemi Transistor PNP, 3 Pin, TO-126, 100 mA, 180 V,, Montaggio su foro

onsemi MOSFET, canale N, 180 mΩ, 12,8 A, TO-220AB, Su foro

onsemi MOSFET, canale P, 180 mΩ, 1,3 A, SOT-23, Montaggio superficiale

onsemi MOSFET, canale P, 180 mΩ, 1 A, SOT-23, Montaggio superficiale

onsemi MOSFET, canale P, 180 mΩ, 1 A, SOT-23, Montaggio superficiale

onsemi MOSFET, canale P, 5 Ω, 180 mA, SOT-23, Montaggio superficiale

onsemi MOSFET, canale N, 180 mΩ, 12,8 A, TO-220AB, Su foro

onsemi MOSFET, canale N, 180 mΩ, 17 A, Power88, Montaggio superficiale

onsemi MOSFET, canale P, 180 mΩ, 1 A, SOT-23, Montaggio superficiale

onsemi MOSFET, canale P, 5 Ω, 180 mA, SOT-23, Montaggio superficiale

onsemi MOSFET, canale P, 180 mΩ, 1 A, SOT-23, Montaggio superficiale

onsemi MOSFET, canale P, 180 mΩ, 1,3 A, SOT-23, Montaggio superficiale

onsemi MOSFET, canale P, 180 mΩ, 1,3 A, SOT-23, Montaggio superficiale

onsemi MOSFET, canale P, 180 mΩ, 1 A, SOT-23, Montaggio superficiale

onsemi MOSFET, canale P, 5 Ω, 180 mA, SOT-23, Montaggio superficiale

onsemi MOSFET, canale N, 180 mΩ, 17 A, Power88, Montaggio superficiale

onsemi MOSFET, canale N, 180 mΩ, 17 A, Power88, Montaggio superficiale

onsemi MOSFET, canale N, 180 mΩ, 18 A, TO-220, Su foro

onsemi MOSFET, canale N, 180 mΩ, 18 A, TO-220, Su foro

onsemi MOSFET, canale N, 180 mΩ, 12,8 A, TO-220AB, Su foro

onsemi MOSFET, canale N, 180 mΩ, 12 A, TO-220, Su foro

onsemi MOSFET, canale N, 180 mΩ, 12,8 A, TO-220AB, Su foro

onsemi MOSFET, canale N, 180 mΩ, 12 A, TO-220, Su foro

onsemi MOSFET, canale N, 180 mΩ, 12 A, DPAK (TO-252), Montaggio superficiale

onsemi MOSFET, canale N, 180 mΩ, 10 A, DPAK (TO-252), Montaggio superficiale

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