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onsemi MOSFET, canale N, 4 Ω, 510 mA, SOT-23, Montaggio superficiale

onsemi MOSFET, canale N, 4 Ω, 510 mA, SOT-23, Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 50 V, Numero pin: 6, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate minima: 1V, Dissipazione di potenza massima: 960 mW, Configurazione transistor: Isolato, Tensione massima gate source: -20 V, +20 V, Altezza: 1mm, Lunghezza: 3mm, MPN: NDC7002N

EUR 0.46

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EUR 0.49

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EUR 0.13

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onsemi MOSFET, canale N, P, 4 Ω, 10 Ω, 340 mA, 510 mA, SOT-23, Montaggio superficiale

onsemi MOSFET, canale N, P, 4 Ω, 10 Ω, 340 mA, 510 mA, SOT-23, Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 60 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate minima: 1V, Dissipazione di potenza massima: 960 mW, Configurazione transistor: Isolato, Tensione massima gate source: -20 V, +20 V, Lunghezza: 3mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, MPN: NDC7001C

EUR 0.15

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EUR 0.27

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