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onsemi Transistor, FMB3906, PNP 200 mA 40 V Dual SOT-23, 6 pines, 200 MHz, Aislado

onsemi Transistor, PNP 200 mA 40 V Dual SOT-23, 6 pines, 200 MHz, Aislado, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Disipación de Potencia Máxima: 700 mW, Ganancia Mínima de Corriente DC: 100, Tensión Base Máxima del Colector: -40 V, Tensión Máxima Emisor-Base: -5 V, Dimensiones: 3 x 1.7 x 1mm, MPN: FMB3906

EUR 0.23

1

onsemi Transistor, FMB3906, PNP 200 mA 40 V Dual SOT-23, 6 pines, 200 MHz, Aislado

onsemi Transistor, PNP 200 mA 40 V Dual SOT-23, 6 pines, 200 MHz, Aislado, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Disipación de Potencia Máxima: 700 mW, Tensión Base Máxima del Colector: -40 V, Tensión Máxima Emisor-Base: -5 V, Dimensiones: 3 x 1.7 x 1mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +150 °C, Tensión de Saturación Máxima Colector-Emisor: -0,4 V, MPN: FMB3906

EUR 0.39

1

onsemi Transistor, FMB3906, PNP 200 mA 40 V Dual SOT-23, 6 pines, 200 MHz, Aislado

onsemi Transistor, PNP 200 mA 40 V Dual SOT-23, 6 pines, 200 MHz, Aislado, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Disipación de Potencia Máxima: 700 mW, Tensión Base Máxima del Colector: -40 V, Tensión Máxima Emisor-Base: -5 V, Dimensiones: 3 x 1.7 x 1mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +150 °C, Tensión de Saturación Máxima Colector-Emisor: -0,4 V, MPN: FMB3906

EUR 0.13

1

onsemi 1.91 (Dia.) x 4.56mm Simple 1N5235B +200 °C 500 mW 3μA 5Ω Montaje en orificio pasante 6.8V 1 -65 → +200

onsemi 1.91 (Dia.) x 4.56mm Simple 1N5235B +200 °C 500 mW 3μA 5Ω Montaje en orificio pasante 6.8V 1 -65 → +200, Tipo de Encapsulado: DO-35, Tipo de Zener: Uso general, Tolerancia de Tensión de Zener: 5%, Corriente de Prueba: 20mA, Corriente de Fugas Inversa Máxima: 3µA, MPN: 1N5235BTR

EUR 0.08

1

onsemi 1.91 (Dia.) x 4.56mm Simple 1N5235B +200 °C 500 mW 3μA 5Ω Montaje en orificio pasante 6.8V 1 -65 → +200

onsemi 1.91 (Dia.) x 4.56mm Simple 1N5235B +200 °C 500 mW 3μA 5Ω Montaje en orificio pasante 6.8V 1 -65 → +200, Tipo de Encapsulado: DO-35, Tipo de Zener: Uso general, Tolerancia de Tensión de Zener: 5%, Corriente de Prueba: 20mA, Corriente de Fugas Inversa Máxima: 3µA, Diámetro: 1.91mm, MPN: 1N5235BTR

EUR 0.05

1

onsemi 2.72 (Dia.) x 5.2mm Simple 1N4741A +200 °C 1 W 5μA 8Ω -65 °C Montaje en orificio pasante 11V 1 -65 → +200

onsemi 2.72 (Dia.) x 5.2mm Simple 1N4741A +200 °C 1 W 5μA 8Ω -65 °C Montaje en orificio pasante 11V 1 -65 → +200, Tipo de Encapsulado: DO-41, Tipo de Zener: Uso general, Tolerancia de Tensión de Zener: 5%, Corriente de Prueba: 23mA, Corriente de Fugas Inversa Máxima: 5µA, MPN: 1N4741ATR

EUR 0.02

1

onsemi 1.91 (Dia.) x 4.56mm Simple 1N5234C +200 °C 500 mW 5μA 7Ω Montaje en orificio pasante 6.2V 1 Máximo de +200 °C

onsemi 1.91 (Dia.) x 4.56mm Simple 1N5234C +200 °C 500 mW 5μA 7Ω Montaje en orificio pasante 6.2V 1 Máximo de +200 °C, Tipo de Encapsulado: DO-35, Tipo de Zener: Uso general, Tolerancia de Tensión de Zener: 2%, Corriente de Prueba: 20mA, Corriente de Fugas Inversa Máxima: 5µA, MPN: 1N5234CTR

EUR 0.05

1

onsemi 1.91 (Dia.) x 4.56mm Simple 1N5231C +200 °C 500 mW 5μA 17Ω Montaje en orificio pasante 5.1V 1 Máximo de +200 °C

onsemi 1.91 (Dia.) x 4.56mm Simple 1N5231C +200 °C 500 mW 5μA 17Ω Montaje en orificio pasante 5.1V 1 Máximo de +200 °C, Tipo de Encapsulado: DO-35, Tipo de Zener: Uso general, Tolerancia de Tensión de Zener: 2%, Corriente de Prueba: 20mA, Corriente de Fugas Inversa Máxima: 5µA, MPN: 1N5231CTR

EUR 0.05

1

onsemi 2.72 (Dia.) x 5.2mm Simple 1N4742A +200 °C 1 W 5μA 9Ω -65 °C Montaje en orificio pasante 12V 1 -65 → +200

onsemi 2.72 (Dia.) x 5.2mm Simple 1N4742A +200 °C 1 W 5μA 9Ω -65 °C Montaje en orificio pasante 12V 1 -65 → +200, Tipo de Encapsulado: DO-41, Tipo de Zener: Uso general, Tolerancia de Tensión de Zener: 5%, Corriente de Prueba: 21mA, Corriente de Fugas Inversa Máxima: 5µA, MPN: 1N4742ATR

EUR 0.14

1

onsemi 1.91 (Dia.) x 4.56mm Simple 1N5231C +200 °C 500 mW 5μA 17Ω Montaje en orificio pasante 5.1V 1 Máximo de +200 °C

onsemi 1.91 (Dia.) x 4.56mm Simple 1N5231C +200 °C 500 mW 5μA 17Ω Montaje en orificio pasante 5.1V 1 Máximo de +200 °C, Tipo de Encapsulado: DO-35, Tipo de Zener: Uso general, Tolerancia de Tensión de Zener: 2%, Corriente de Prueba: 20mA, Corriente de Fugas Inversa Máxima: 5µA, Diámetro: 1.91mm, MPN: 1N5231CTR

EUR 0.05

1

onsemi 2.72 (Dia.) x 5.2mm Simple 1N4742A +200 °C 1 W 5μA 9Ω -65 °C Montaje en orificio pasante 12V 1 -65 → +200

onsemi 2.72 (Dia.) x 5.2mm Simple 1N4742A +200 °C 1 W 5μA 9Ω -65 °C Montaje en orificio pasante 12V 1 -65 → +200, Tipo de Encapsulado: DO-41, Tipo de Zener: Uso general, Tolerancia de Tensión de Zener: 5%, Corriente de Prueba: 21mA, Corriente de Fugas Inversa Máxima: 5µA, Diámetro: 2.72mm, MPN: 1N4742ATR

EUR 0.13

1

onsemi 2.72 (Dia.) x 5.2mm Simple 1N4741A +200 °C 1 W 5μA 8Ω -65 °C Montaje en orificio pasante 11V 1 -65 → +200

onsemi 2.72 (Dia.) x 5.2mm Simple 1N4741A +200 °C 1 W 5μA 8Ω -65 °C Montaje en orificio pasante 11V 1 -65 → +200, Tipo de Encapsulado: DO-41, Tipo de Zener: Uso general, Tolerancia de Tensión de Zener: 5%, Corriente de Prueba: 23mA, Corriente de Fugas Inversa Máxima: 5µA, Diámetro: 2.72mm, MPN: 1N4741ATR

EUR 0.02

1

onsemi 1.91 (Dia.) x 4.56mm Simple 1N5234C +200 °C 500 mW 5μA 7Ω Montaje en orificio pasante 6.2V 1 Máximo de +200 °C

onsemi 1.91 (Dia.) x 4.56mm Simple 1N5234C +200 °C 500 mW 5μA 7Ω Montaje en orificio pasante 6.2V 1 Máximo de +200 °C, Tipo de Encapsulado: DO-35, Tipo de Zener: Uso general, Tolerancia de Tensión de Zener: 2%, Corriente de Prueba: 20mA, Corriente de Fugas Inversa Máxima: 5µA, Diámetro: 1.91mm, MPN: 1N5234CTR

EUR 0.03

1

onsemi Transistor, MJ15022G, NPN 16 A 200 V TO-204, 3 pines, 4 MHz, Simple

onsemi Transistor, NPN 16 A 200 V TO-204, 3 pines, 4 MHz, Simple, Tipo de Montaje: Montaje en orificio pasante, Disipación de Potencia Máxima: 250 W, Tensión Base Máxima del Colector: 350 V, Tensión Máxima Emisor-Base: 5 V, Dimensiones: 8.51 x 39.37 x 26.67mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +200 °C, MPN: MJ15022G

EUR 7.79

1

onsemi Transistor, MJ15022G, NPN 16 A 200 V TO-204, 3 pines, 4 MHz, Simple

onsemi Transistor, NPN 16 A 200 V TO-204, 3 pines, 4 MHz, Simple, Tipo de Montaje: Montaje en orificio pasante, Disipación de Potencia Máxima: 250 W, Tensión Base Máxima del Colector: 350 V, Tensión Máxima Emisor-Base: 5 V, Dimensiones: 8.51 x 39.37 x 26.67mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +200 °C, MPN: MJ15022G

EUR 5.77

1

onsemi Transistor, MJ15023G, PNP 16 A 200 V TO-204, 3 pines, 4 MHz, Simple

onsemi Transistor, PNP 16 A 200 V TO-204, 3 pines, 4 MHz, Simple, Tipo de Montaje: Montaje en orificio pasante, Disipación de Potencia Máxima: 250 W, Tensión Base Máxima del Colector: 350 V, Tensión Máxima Emisor-Base: 5 V, Dimensiones: 8.51 x 39.37 x 26.67mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +200 °C, MPN: MJ15023G

EUR 7.79

1

onsemi Transistor, MJL3281AG, NPN 15 A 200 V TO-3BPL, 3 pines, 30 MHz, Simple

onsemi Transistor, NPN 15 A 200 V TO-3BPL, 3 pines, 30 MHz, Simple, Tipo de Montaje: Montaje en orificio pasante, Disipación de Potencia Máxima: 200 W, Tensión Base Máxima del Colector: 230 V, Tensión Máxima Emisor-Base: 7 V, Dimensiones: 26.4 x 20.3 x 5.3mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +150 °C, MPN: MJL3281AG

EUR 3.75

1

onsemi Transistor, BC858CLT1G, PNP 200 mA -30 V SOT-23, 3 pines, 100 MHz, Simple

onsemi Transistor, PNP 200 mA -30 V SOT-23, 3 pines, 100 MHz, Simple, Corriente DC Máxima del Colector: 100 (Continuous) mA, 200 (Peak) mA, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Disipación de Potencia Máxima: 300 mW, Ganancia Mínima de Corriente DC: 420, Estándar de automoción: AEC-Q101, Dimensiones: 3.04 x 1.4 x 1.01mm, MPN: BC858CLT1G

EUR 0.02

1

onsemi Transistor, MJ15023G, PNP 16 A 200 V TO-204, 3 pines, 4 MHz, Simple

onsemi Transistor, PNP 16 A 200 V TO-204, 3 pines, 4 MHz, Simple, Tipo de Montaje: Montaje en orificio pasante, Disipación de Potencia Máxima: 250 W, Tensión Base Máxima del Colector: 350 V, Tensión Máxima Emisor-Base: 5 V, Dimensiones: 8.51 x 39.37 x 26.67mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +200 °C, MPN: MJ15023G

EUR 5.77

1

onsemi Transistor, MJL3281AG, NPN 15 A 200 V TO-3BPL, 3 pines, 30 MHz, Simple

onsemi Transistor, NPN 15 A 200 V TO-3BPL, 3 pines, 30 MHz, Simple, Tipo de Montaje: Montaje en orificio pasante, Disipación de Potencia Máxima: 200 W, Ganancia Mínima de Corriente DC: 12, Tensión Base Máxima del Colector: 230 V, Tensión Máxima Emisor-Base: 7 V, Dimensiones: 26.4 x 20.3 x 5.3mm, Altura: 26.4mm, MPN: MJL3281AG

EUR 3.78

1

onsemi Transistor, MMBT2369ALT1G, NPN 200 mA 15 V SOT-23, 3 pines, 100 MHz, Simple

onsemi Transistor, NPN 200 mA 15 V SOT-23, 3 pines, 100 MHz, Simple, Corriente DC Máxima del Colector: 200 (Continuous) mA, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Disipación de Potencia Máxima: 225 mW, Tensión Base Máxima del Colector: 40 V, Tensión Máxima Emisor-Base: 4.5 V, Estándar de automoción: AEC-Q101, Dimensiones: 3.04 x 1.4 x 1.01mm, MPN: MMBT2369ALT1G

EUR 0.06

1

onsemi Transistor, MJL3281AG, NPN 15 A 200 V TO-3BPL, 3 pines, 30 MHz, Simple

onsemi Transistor, NPN 15 A 200 V TO-3BPL, 3 pines, 30 MHz, Simple, Tipo de Montaje: Montaje en orificio pasante, Disipación de Potencia Máxima: 200 W, Tensión Base Máxima del Colector: 230 V, Tensión Máxima Emisor-Base: 7 V, Dimensiones: 26.4 x 20.3 x 5.3mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +150 °C, Altura: 26.4mm, MPN: MJL3281AG

EUR 4.43

1

onsemi Transistor, MMBT3904WT1G, NPN 200 mA 40 V SC-70, 3 pines, 100 MHz, Simple

onsemi Transistor, NPN 200 mA 40 V SC-70, 3 pines, 100 MHz, Simple, Corriente DC Máxima del Colector: 200 (Continuous) mA, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Disipación de Potencia Máxima: 150 mW, Ganancia Mínima de Corriente DC: 30, Tensión Base Máxima del Colector: 60 V, Tensión Máxima Emisor-Base: 6 V, Estándar de automoción: AEC-Q101, Dimensiones: 2.2 x 1.35 x 0.9mm, MPN: MMBT3904WT1G

EUR 0.05

1

onsemi Transistor, MMBT3904TG, NPN 200 mA 40 V SOT-416 (SC-75), 3 pines, 100 MHz, Simple

onsemi Transistor, MMBT3904TG, NPN 200 mA 40 V SOT-416 (SC-75), 3 pines, 100 MHz, Simple, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Disipación de Potencia Máxima: 200 mW, Ganancia Mínima de Corriente DC: 30, Tensión Base Máxima del Colector: 60 V dc, Tensión Máxima Emisor-Base: 6 V, Dimensiones: 1.65 x 0.9 x 0.8mm, MPN: MMBT3904TT1G

EUR 0.06

1

onsemi Transistor, BC847BPDW1T3G, NPN + PNP 200 mA 45 V Dual SOT-363, 6 pines, 100 MHz

onsemi Transistor, NPN + PNP 200 mA 45 V Dual SOT-363, 6 pines, 100 MHz, Corriente DC Máxima del Colector: 100 (Continuous) mA, 200 (Peak) mA, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Disipación de Potencia Máxima: 380 mW, Tensión Base Máxima del Colector: 50 V, Tensión Máxima Emisor-Base: 6 V, Estándar de automoción: AEC-Q101, Dimensiones: 2.2 x 1.35 x 1mm, MPN: BC847BPDW1T3G

EUR 0.09

1

Marque

Genre

Marchand

Prix (EUR)

onsemi Transistor, FMB3906, PNP 200 mA 40 V Dual SOT-23, 6 pines, 200 MHz, Aislado

onsemi Transistor, FMB3906, PNP 200 mA 40 V Dual SOT-23, 6 pines, 200 MHz, Aislado

onsemi Transistor, FMB3906, PNP 200 mA 40 V Dual SOT-23, 6 pines, 200 MHz, Aislado

onsemi 1.91 (Dia.) x 4.56mm Simple 1N5235B +200 °C 500 mW 3μA 5Ω Montaje en orificio pasante 6.8V 1 -65 → +200

onsemi 1.91 (Dia.) x 4.56mm Simple 1N5235B +200 °C 500 mW 3μA 5Ω Montaje en orificio pasante 6.8V 1 -65 → +200

onsemi 2.72 (Dia.) x 5.2mm Simple 1N4741A +200 °C 1 W 5μA 8Ω -65 °C Montaje en orificio pasante 11V 1 -65 → +200

onsemi 1.91 (Dia.) x 4.56mm Simple 1N5234C +200 °C 500 mW 5μA 7Ω Montaje en orificio pasante 6.2V 1 Máximo de +200 °C

onsemi 1.91 (Dia.) x 4.56mm Simple 1N5231C +200 °C 500 mW 5μA 17Ω Montaje en orificio pasante 5.1V 1 Máximo de +200 °C

onsemi 2.72 (Dia.) x 5.2mm Simple 1N4742A +200 °C 1 W 5μA 9Ω -65 °C Montaje en orificio pasante 12V 1 -65 → +200

onsemi 1.91 (Dia.) x 4.56mm Simple 1N5231C +200 °C 500 mW 5μA 17Ω Montaje en orificio pasante 5.1V 1 Máximo de +200 °C

onsemi 2.72 (Dia.) x 5.2mm Simple 1N4742A +200 °C 1 W 5μA 9Ω -65 °C Montaje en orificio pasante 12V 1 -65 → +200

onsemi 2.72 (Dia.) x 5.2mm Simple 1N4741A +200 °C 1 W 5μA 8Ω -65 °C Montaje en orificio pasante 11V 1 -65 → +200

onsemi 1.91 (Dia.) x 4.56mm Simple 1N5234C +200 °C 500 mW 5μA 7Ω Montaje en orificio pasante 6.2V 1 Máximo de +200 °C

onsemi Transistor, MJ15022G, NPN 16 A 200 V TO-204, 3 pines, 4 MHz, Simple

onsemi Transistor, MJ15022G, NPN 16 A 200 V TO-204, 3 pines, 4 MHz, Simple

onsemi Transistor, MJ15023G, PNP 16 A 200 V TO-204, 3 pines, 4 MHz, Simple

onsemi Transistor, MJL3281AG, NPN 15 A 200 V TO-3BPL, 3 pines, 30 MHz, Simple

onsemi Transistor, BC858CLT1G, PNP 200 mA -30 V SOT-23, 3 pines, 100 MHz, Simple

onsemi Transistor, MJ15023G, PNP 16 A 200 V TO-204, 3 pines, 4 MHz, Simple

onsemi Transistor, MJL3281AG, NPN 15 A 200 V TO-3BPL, 3 pines, 30 MHz, Simple

onsemi Transistor, MMBT2369ALT1G, NPN 200 mA 15 V SOT-23, 3 pines, 100 MHz, Simple

onsemi Transistor, MJL3281AG, NPN 15 A 200 V TO-3BPL, 3 pines, 30 MHz, Simple

onsemi Transistor, MMBT3904WT1G, NPN 200 mA 40 V SC-70, 3 pines, 100 MHz, Simple

onsemi Transistor, MMBT3904TG, NPN 200 mA 40 V SOT-416 (SC-75), 3 pines, 100 MHz, Simple

onsemi Transistor, BC847BPDW1T3G, NPN + PNP 200 mA 45 V Dual SOT-363, 6 pines, 100 MHz

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