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onsemi Transistor, PNP Simple, 100 mA, 180 V, A-126, 3 broches

onsemi Transistor, PNP Simple, 100 mA, 180 V, A-126, 3 broches, Type de montage: Traversant, Dissipation de puissance maximum: 8 W, Tension Collecteur Base maximum: -180 V, Tension Emetteur Base maximum: -5 V, Fréquence de fonctionnement maximum: 1 MHz, Dimensions: 8 x 3.25 x 11mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum: -0,5 V, MPN: KSA1142OSTU

EUR 0.45

1

onsemi Transistor PNP, 3 Pin, TO-126, 100 mA, 180 V,, Montaggio su foro

onsemi Transistor PNP, 3 Pin, TO-126, 100 mA, 180 V,, Montaggio su foro, Dissipazione di potenza massima: 8 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima base del collettore: -180 V, Tensione massima base emitter: -5 V, Frequenza operativa massima: 1 MHz, Dimensioni: 8 x 3.25 x 11mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, Tensione massima di saturazione collettore emitter: -0,5 V, MPN: KSA1142OSTU

EUR 0.45

1

onsemi Transistor, KSA1142OSTU, PNP 100 mA 180 V TO-126, 3 pines, 1 MHz, Simple

onsemi Transistor, PNP 100 mA 180 V TO-126, 3 pines, 1 MHz, Simple, Tipo de Montaje: Montaje en orificio pasante, Disipación de Potencia Máxima: 8 W, Tensión Base Máxima del Colector: -180 V, Tensión Máxima Emisor-Base: -5 V, Dimensiones: 8 x 3.25 x 11mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +150 °C, Tensión de Saturación Máxima Colector-Emisor: -0,5 V, MPN: KSA1142OSTU

EUR 0.45

1

onsemi MOSFET, canale P, 180 mΩ, 1 A, SOT-23, Montaggio superficiale

onsemi MOSFET, canale P, 180 mΩ, 1 A, SOT-23, Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 20 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 2.3V, Dissipazione di potenza massima: 400 mW, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -20 V, +20 V, Altezza: 0.94mm, Lunghezza: 2.9mm, MPN: NTR1P02T1G

EUR 0.58

1

onsemi MOSFET, canale N, 180 mΩ, 12,8 A, TO-220AB, Su foro

onsemi MOSFET, canale N, 180 mΩ, 12,8 A, TO-220AB, Su foro, Tensione massima drain source: 100 V, Numero pin: 3, Modalità del canale: Enhancement, Dissipazione di potenza massima: 65 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -20 V, +20 V, Lunghezza: 10.1mm, Massima temperatura operativa: +175 °C, MPN: FQP13N10L

EUR 1.21

1

onsemi MOSFET, canale N, 180 mΩ, 12,8 A, TO-220AB, Su foro

onsemi MOSFET, canale N, 180 mΩ, 12,8 A, TO-220AB, Su foro, Tensione massima drain source: 100 V, Numero pin: 3, Modalità del canale: Enhancement, Dissipazione di potenza massima: 65 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -20 V, +20 V, Lunghezza: 10.1mm, Massima temperatura operativa: +175 °C, MPN: FQP13N10L

EUR 1.21

1

onsemi MOSFET, canale P, 5 Ω, 180 mA, SOT-23, Montaggio superficiale

onsemi MOSFET, canale P, 5 Ω, 180 mA, SOT-23, Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 60 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate minima: 1V, Dissipazione di potenza massima: 360 mW, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -20 V, +20 V, Altezza: 0.93mm, Lunghezza: 2.92mm, MPN: NDS0605

EUR 0.28

1

onsemi MOSFET, canale P, 180 mΩ, 1 A, SOT-23, Montaggio superficiale

onsemi MOSFET, canale P, 180 mΩ, 1 A, SOT-23, Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 20 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 2.3V, Dissipazione di potenza massima: 400 mW, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -20 V, +20 V, Altezza: 1.01mm, Lunghezza: 3.04mm, MPN: NVR1P02T1G

EUR 0.34

1

onsemi MOSFET, canale P, 180 mΩ, 1,3 A, SOT-23, Montaggio superficiale

onsemi MOSFET, canale P, 180 mΩ, 1,3 A, SOT-23, Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 30 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate minima: 0.8V, Dissipazione di potenza massima: 500 mW, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -25 V, +25 V, Altezza: 0.94mm, Lunghezza: 2.92mm, MPN: FDN352AP

EUR 0.19

1

onsemi MOSFET canal N,, Power88 17 A 650 V, 4 broches

onsemi MOSFET canal N,, Power88 17 A 650 V, 4 broches, Type de montage: CMS, Résistance Drain Source maximum: 180 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 4.5V, Tension de seuil minimale de la grille: 2.5V, Dissipation de puissance maximum: 139 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: ±30 V, Tension directe de la diode: 1.2V, MPN: FCMT180N65S3

EUR 2.44

3

onsemi MOSFET, canale P, 5 Ω, 180 mA, SOT-23, Montaggio superficiale

onsemi MOSFET, canale P, 5 Ω, 180 mA, SOT-23, Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 60 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate minima: 1V, Dissipazione di potenza massima: 360 mW, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -20 V, +20 V, Lunghezza: 2.92mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, MPN: NDS0605

EUR 0.06

1

onsemi MOSFET, canale P, 180 mΩ, 1,3 A, SOT-23, Montaggio superficiale

onsemi MOSFET, canale P, 180 mΩ, 1,3 A, SOT-23, Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 30 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate minima: 0.8V, Dissipazione di potenza massima: 500 mW, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -25 V, +25 V, Lunghezza: 2.92mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, MPN: FDN352AP

EUR 0.45

1

onsemi MOSFET, canale P, 180 mΩ, 1 A, SOT-23, Montaggio superficiale

onsemi MOSFET, canale P, 180 mΩ, 1 A, SOT-23, Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 20 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 2.3V, Dissipazione di potenza massima: 400 mW, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -20 V, +20 V, Lunghezza: 2.9mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, MPN: NTR1P02T1G

EUR 0.10

1

onsemi MOSFET, canale P, 180 mΩ, 1 A, SOT-23, Montaggio superficiale

onsemi MOSFET, canale P, 180 mΩ, 1 A, SOT-23, Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 20 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 2.3V, Dissipazione di potenza massima: 400 mW, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -20 V, +20 V, Lunghezza: 2.9mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, MPN: NTR1P02T1G

EUR 0.60

1

onsemi MOSFET, canale P, 180 mΩ, 1,3 A, SOT-23, Montaggio superficiale

onsemi MOSFET, canale P, 180 mΩ, 1,3 A, SOT-23, Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 30 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate minima: 0.8V, Dissipazione di potenza massima: 500 mW, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -25 V, +25 V, Lunghezza: 2.92mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, MPN: FDN352AP

EUR 0.15

1

onsemi MOSFET, canale P, 5 Ω, 180 mA, SOT-23, Montaggio superficiale

onsemi MOSFET, canale P, 5 Ω, 180 mA, SOT-23, Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 60 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate minima: 1V, Dissipazione di potenza massima: 360 mW, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -20 V, +20 V, Lunghezza: 2.92mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, MPN: NDS0605

EUR 0.29

1

onsemi MOSFET, canale P, 180 mΩ, 1 A, SOT-23, Montaggio superficiale

onsemi MOSFET, canale P, 180 mΩ, 1 A, SOT-23, Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 20 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 2.3V, Dissipazione di potenza massima: 400 mW, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -20 V, +20 V, Lunghezza: 3.04mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, MPN: NVR1P02T1G

EUR 0.34

1

onsemi MOSFET, canale N, 180 mΩ, 17 A, Power88, Montaggio superficiale

onsemi MOSFET, canale N, 180 mΩ, 17 A, Power88, Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 650 V, Numero pin: 4, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 4.5V, Tensione di soglia gate minima: 2.5V, Dissipazione di potenza massima: 139 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: ±30 V, Lunghezza: 8mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, MPN: FCMT180N65S3

EUR 1.68

1

onsemi MOSFET canal N,, Power88 17 A 650 V, 4 broches

onsemi MOSFET canal N,, Power88 17 A 650 V, 4 broches, Type de montage: CMS, Résistance Drain Source maximum: 180 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 4.5V, Tension de seuil minimale de la grille: 2.5V, Dissipation de puissance maximum: 139 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: ±30 V, Longueur: 8mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: FCMT180N65S3

EUR 3.09

3

onsemi MOSFET, canale N, 180 mΩ, 12 A, TO-220, Su foro

onsemi MOSFET, canale N, 180 mΩ, 12 A, TO-220, Su foro, Tensione massima drain source: 60 V, Numero pin: 3, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate minima: 1V, Dissipazione di potenza massima: 48 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -15 V, +15 V, Lunghezza: 10.67mm, Massima temperatura operativa: +175 °C, MPN: MTP3055VL

EUR 1.44

1

onsemi MOSFET, canale N, 180 mΩ, 18 A, TO-220, Su foro

onsemi MOSFET, canale N, 180 mΩ, 18 A, TO-220, Su foro, Tensione massima drain source: 200 V, Numero pin: 3, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate minima: 1V, Dissipazione di potenza massima: 110 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -20 V, +20 V, Lunghezza: 10.67mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, MPN: IRL640A

EUR 1.68

1

onsemi MOSFET, canale N, 180 mΩ, 18 A, TO-220, Su foro

onsemi MOSFET, canale N, 180 mΩ, 18 A, TO-220, Su foro, Tensione massima drain source: 200 V, Numero pin: 3, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate minima: 1V, Dissipazione di potenza massima: 110 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -20 V, +20 V, Lunghezza: 10.67mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, MPN: IRL640A

EUR 1.52

1

onsemi MOSFET, canale N, 180 mΩ, 12 A, TO-220, Su foro

onsemi MOSFET, canale N, 180 mΩ, 12 A, TO-220, Su foro, Tensione massima drain source: 60 V, Numero pin: 3, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate minima: 1V, Dissipazione di potenza massima: 48 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -15 V, +15 V, Lunghezza: 10.67mm, Massima temperatura operativa: +175 °C, MPN: MTP3055VL

EUR 1.60

1

onsemi MOSFET, canale N, 180 mΩ, 12,8 A, TO-220AB, Su foro

onsemi MOSFET, canale N, 180 mΩ, 12,8 A, TO-220AB, Su foro, Tensione massima drain source: 100 V, Numero pin: 3, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate minima: 2V, Dissipazione di potenza massima: 65 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -25 V, +25 V, Lunghezza: 10.1mm, Massima temperatura operativa: +175 °C, MPN: FQP13N10

EUR 1.11

1

onsemi MOSFET, canale N, 180 mΩ, 12,8 A, TO-220AB, Su foro

onsemi MOSFET, canale N, 180 mΩ, 12,8 A, TO-220AB, Su foro, Tensione massima drain source: 100 V, Numero pin: 3, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate minima: 2V, Dissipazione di potenza massima: 65 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -25 V, +25 V, Lunghezza: 10.1mm, Massima temperatura operativa: +175 °C, MPN: FQP13N10

EUR 0.99

1

Marque

Genre

Marchand

Prix (EUR)

onsemi Transistor, PNP Simple, 100 mA, 180 V, A-126, 3 broches

onsemi Transistor PNP, 3 Pin, TO-126, 100 mA, 180 V,, Montaggio su foro

onsemi Transistor, KSA1142OSTU, PNP 100 mA 180 V TO-126, 3 pines, 1 MHz, Simple

onsemi MOSFET, canale P, 180 mΩ, 1 A, SOT-23, Montaggio superficiale

onsemi MOSFET, canale N, 180 mΩ, 12,8 A, TO-220AB, Su foro

onsemi MOSFET, canale N, 180 mΩ, 12,8 A, TO-220AB, Su foro

onsemi MOSFET, canale P, 5 Ω, 180 mA, SOT-23, Montaggio superficiale

onsemi MOSFET, canale P, 180 mΩ, 1 A, SOT-23, Montaggio superficiale

onsemi MOSFET, canale P, 180 mΩ, 1,3 A, SOT-23, Montaggio superficiale

onsemi MOSFET canal N,, Power88 17 A 650 V, 4 broches

onsemi MOSFET, canale P, 5 Ω, 180 mA, SOT-23, Montaggio superficiale

onsemi MOSFET, canale P, 180 mΩ, 1,3 A, SOT-23, Montaggio superficiale

onsemi MOSFET, canale P, 180 mΩ, 1 A, SOT-23, Montaggio superficiale

onsemi MOSFET, canale P, 180 mΩ, 1 A, SOT-23, Montaggio superficiale

onsemi MOSFET, canale P, 180 mΩ, 1,3 A, SOT-23, Montaggio superficiale

onsemi MOSFET, canale P, 5 Ω, 180 mA, SOT-23, Montaggio superficiale

onsemi MOSFET, canale P, 180 mΩ, 1 A, SOT-23, Montaggio superficiale

onsemi MOSFET, canale N, 180 mΩ, 17 A, Power88, Montaggio superficiale

onsemi MOSFET canal N,, Power88 17 A 650 V, 4 broches

onsemi MOSFET, canale N, 180 mΩ, 12 A, TO-220, Su foro

onsemi MOSFET, canale N, 180 mΩ, 18 A, TO-220, Su foro

onsemi MOSFET, canale N, 180 mΩ, 18 A, TO-220, Su foro

onsemi MOSFET, canale N, 180 mΩ, 12 A, TO-220, Su foro

onsemi MOSFET, canale N, 180 mΩ, 12,8 A, TO-220AB, Su foro

onsemi MOSFET, canale N, 180 mΩ, 12,8 A, TO-220AB, Su foro

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