380 Résultats (0,23144 Secondes)

Afficher tous les filtres

Marque

Genre

Marchand

Prix (EUR)

Effacer les filtres

Produits
De
Boutiques

Vishay Siliconix MOSFET, canale N, 30 mΩ, 30 A (canale N), 30 A (canale P), SO-8, Montaggio superficiale

Vishay Siliconix MOSFET, canale N, 30 mΩ, 30 A (canale N), 30 A (canale P), SO-8, Montaggio superficiale

Vishay Siliconix MOSFET, canale N, 30 mΩ, 30 A (canale N), 30 A (canale P), SO-8, Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 40 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 2.5V, Tensione di soglia gate minima: 1.5V, Dissipazione di potenza massima: 34 W, 34 W., Tensione massima gate source: ±20 V, Lunghezza: 5.99mm, Massima temperatura operativa: +175 °C, MPN: SQJ504EP-T1_GE3

EUR 0.68
1

Vishay Siliconix MOSFET canal N,, SO-8 40 V, 8 broches

Vishay Siliconix MOSFET canal N,, SO-8 40 V, 8 broches

Vishay Siliconix MOSFET canal N,, SO-8 40 V, 8 broches, Courant continu de Drain maximum: 30 A (canal N), 30 a (canal P), Type de montage: CMS, Résistance Drain Source maximum: 30 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 2.5V, Tension de seuil minimale de la grille: 1.5V, Dissipation de puissance maximum: 34 W, 34 W., Tension Grille Source maximum: ±20 V, Longueur: 5.99mm, Température d'utilisation maximum: +175 °C, MPN: SQJ504EP-T1_GE3

EUR 1.16
3

Vishay Siliconix MOSFET canal N,, SO-8 40 V, 8 broches

Vishay Siliconix MOSFET canal N,, SO-8 40 V, 8 broches

Vishay Siliconix MOSFET canal N,, SO-8 40 V, 8 broches, Courant continu de Drain maximum: 30 A (canal N), 30 a (canal P), Type de montage: CMS, Résistance Drain Source maximum: 30 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 2.5V, Tension de seuil minimale de la grille: 1.5V, Dissipation de puissance maximum: 34 W (canal N), 34 W (canal P), Tension Grille Source maximum: ±20 V, Standard automobile: AEC-Q101, Tension directe de la diode: 1.2V, MPN: SQJ504EP-T1_GE3

EUR 0.84
3

Vishay Siliconix MOSFET canal N,, SO-8 40 V, 8 broches

Vishay Siliconix MOSFET canal N,, SO-8 40 V, 8 broches

Vishay Siliconix MOSFET canal N,, SO-8 40 V, 8 broches, Courant continu de Drain maximum: 30 A (canal N), 30 a (canal P), Type de montage: CMS, Résistance Drain Source maximum: 30 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 2.5V, Tension de seuil minimale de la grille: 1.5V, Dissipation de puissance maximum: 34 W, 34 W., Tension Grille Source maximum: ±20 V, Longueur: 5.99mm, Température d'utilisation maximum: +175 °C, MPN: SQJ504EP-T1_GE3

EUR 0.68
1

Vishay Siliconix MOSFET, canale N, 6 mΩ, 40 A (canale 1), 60 A (canale 2), PowerPAIR 6 x 5, Montaggio superficiale

Vishay Siliconix MOSFET, canale N, 6 mΩ, 40 A (canale 1), 60 A (canale 2), PowerPAIR 6 x 5, Montaggio superficiale

Vishay Siliconix MOSFET, canale N, 6 mΩ, 40 A (canale 1), 60 A (canale 2), PowerPAIR 6 x 5, Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 30 V, Numero pin: 8, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 1.1V, Tensione di soglia gate minima: 2.4V, Dissipazione di potenza massima: 26,6 W, 60 W., Tensione massima gate source: +16 V, +20 V, -12 V, -16 V., Lunghezza: 5mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, MPN: SIZF916DT-T1-GE3

EUR 0.45
1

Vishay Siliconix MOSFET canal N,, PowerPAIR 6 x 5 30 V, 8 broches

Vishay Siliconix MOSFET canal N,, PowerPAIR 6 x 5 30 V, 8 broches

Vishay Siliconix MOSFET canal N,, PowerPAIR 6 x 5 30 V, 8 broches, Courant continu de Drain maximum: 40 A (canal 1), 60 A (canal 2), Type de montage: CMS, Résistance Drain Source maximum: 6 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 1.1V, Tension de seuil minimale de la grille: 2.4V, Dissipation de puissance maximum: 26,6 W, 60 W., Tension Grille Source maximum: +16 V, +20 V, -12 V, -16 V., Longueur: 5mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: SIZF916DT-T1-GE3

EUR 0.46
3

Vishay Siliconix MOSFET, SIZF916DT-T1-GE3, Dual, N-Canal-Canal, 40 A (canal 1), 60 A (canal 2), 30 V, 8-Pin, PowerPAIR de 6 x 5

Vishay Siliconix MOSFET, SIZF916DT-T1-GE3, Dual, N-Canal-Canal, 40 A (canal 1), 60 A (canal 2), 30 V, 8-Pin, PowerPAIR de 6 x 5

Vishay Siliconix MOSFET, Dual, N-Canal-Canal, 40 A (canal 1), 60 A (canal 2), 30 V, 8-Pin, PowerPAIR de 6 x 5, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 6 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 1.1V, Tensión de umbral de puerta mínima: 2.4V, Disipación de Potencia Máxima: 26,6 W, 60 W., Tensión Máxima Puerta-Fuente: +16 V, +20 V, -12 V, -16 V., Longitud: 5mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +150 °C, MPN: SIZF916DT-T1-GE3

EUR 0.45
1

Vishay Siliconix MOSFET canal N,, PowerPAIR 6 x 5 30 V, 8 broches

Vishay Siliconix MOSFET canal N,, PowerPAIR 6 x 5 30 V, 8 broches

Vishay Siliconix MOSFET canal N,, PowerPAIR 6 x 5 30 V, 8 broches, Courant continu de Drain maximum: 40 A (canal 1), 60 A (canal 2), Type de montage: CMS, Résistance Drain Source maximum: 6 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 1.1V, Tension de seuil minimale de la grille: 2.4V, Dissipation de puissance maximum: 26,6 W, 60 W., Tension Grille Source maximum: +16 V, +20 V, -12 V, -16 V., Longueur: 5mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: SIZF916DT-T1-GE3

EUR 0.45
1

Vishay Siliconix AEC-Q101 MOSFET, SQJ504EP-T1_GE3, Dual, N-Canal-Canal, 30 (canal N) A

Vishay Siliconix AEC-Q101 MOSFET, SQJ504EP-T1_GE3, Dual, N-Canal-Canal, 30 (canal N) A

Vishay Siliconix AEC-Q101 MOSFET, Dual, N-Canal-Canal, 30 (canal N) A, Corriente Máxima Continua de Drenaje: 30 (canal N) A; 30 (canal P) A, Tensión Máxima Drenador-Fuente: 40 V, Tipo de Encapsulado: SO-8, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 30 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 2.5V, Tensión de umbral de puerta mínima: 1.5V, Disipación de Potencia Máxima: 34 W, 34 W, Tensión Máxima Puerta-Fuente: ±20 V, Longitud: 5.99mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +175 °C, MPN: SQJ504EP-T1_GE3

EUR 0.68
1

Vishay Siliconix MOSFET canal N,, PowerPAIR 6 x 5 30 V, 8 broches

Vishay Siliconix MOSFET canal N,, PowerPAIR 6 x 5 30 V, 8 broches

Vishay Siliconix MOSFET canal N,, PowerPAIR 6 x 5 30 V, 8 broches, Courant continu de Drain maximum: 40 A (canal 1), 60 A (canal 2), Type de montage: CMS, Résistance Drain Source maximum: 6 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 1.1V, Tension de seuil minimale de la grille: 2.4V, Dissipation de puissance maximum: 26,6 W (canal 1), 60 W (canal 2), Tension Grille Source maximum: +16 V (canal 2), +20 V (canal 1), -12 V (canal 2), -16 V (canal 1), Tension directe de la diode: 1.2V, Hauteur: 0.7mm, MPN: SIZF916DT-T1-GE3

EUR 0.96
2

Vishay Siliconix MOSFET canal N,, SO-8 64,6 A 150 V, 8 broches

Vishay Siliconix MOSFET canal N,, SO-8 64,6 A 150 V, 8 broches

Vishay Siliconix MOSFET canal N,, SO-8 64,6 A 150 V, 8 broches, Type de montage: CMS, Résistance Drain Source maximum: 20 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 4.5V, Tension de seuil minimale de la grille: 2.5V, Dissipation de puissance maximum: 125 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: ±20 V, Tension directe de la diode: 1.1V, MPN: SiDR622DP-T1-GE3

EUR 2.21
3