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Vishay Siliconix Relais statique,, 200 mA (bidirectionnel), 350 mA (unidirectionnel), Montage en surface, 1,45 V, 200 V

Vishay Siliconix Relais statique,, 200 mA (bidirectionnel), 350 mA (unidirectionnel), Montage en surface, 1,45 V, 200 V

Vishay Siliconix Relais statique,, 200 mA (bidirectionnel), 350 mA (unidirectionnel), Montage en surface, 1,45 V, 200 V, Tension de commande minimale: 1,15 V, Type de commutation: c.c., Configuration de contact: 1 NO, Type de raccordement: Broche CI, Type de sortie: Transistor MOS, Type de boîtier: CMS, Durée maximale de mise sous tension: 2 ms, Gamme de tension de commande: 1,15 → 1,45 V, Dimensions: 8.71 x 6.5 x 3.81mm, Gamme de tension de charge: Maximum de 200V, MPN: LH1510AAB

EUR 1.47
1

Vishay Siliconix Relé de estado sólido, Montaje en Superficie, 200 (bidireccional) mA, 350 (unidireccional) mA, 200 V, dc, MOSFET, SPST

Vishay Siliconix Relé de estado sólido, Montaje en Superficie, 200 (bidireccional) mA, 350 (unidireccional) mA, 200 V, dc, MOSFET, SPST

Vishay Siliconix Relé de estado sólido, Montaje en Superficie, 200 (bidireccional) mA, 350 (unidireccional) mA, 200 V, dc, MOSFET, SPST, Tensión de Control Mínimo: 1,15 V, Tensión de Control Máxima: 1,45 V, Tipo de Terminal: Contacto para montaje en PCB, Tipo de Encapsulado: SMD, Tiempo de Activación Máximo: 2 ms, Rango de Tensión de Control: 1,15 → 1,45 V, Dimensiones: 8.71 x 6.5 x 3.81mm, Rango de Tensión de Carga: Máximo de 200V, MPN: LH1510AAB

EUR 1.47
1

Vishay Siliconix Relè a stato solido LH1510AAB, Montaggio superficiale, 200 V, c.c., SPST

Vishay Siliconix Relè a stato solido LH1510AAB, Montaggio superficiale, 200 V, c.c., SPST

Vishay Siliconix Relè a stato solido LH1510AAB, Montaggio superficiale, 200 V, c.c., SPST, Corrente di carico massima: 200 (bidirezionale) mA, 350 (unidirezionale) mA, Tensione minima di controllo: 1,15 V, Tensione di controllo massima: 1,45 V, Tipo di terminale: Pin per circuito stampato, Uscita: MOSFET, Package: SMD, Tempo max. di attivazione: 2 ms, Gamma tensione di controllo: 1,15 → 1,45 V, Dimensioni: 8.71 x 6.5 x 3.81mm, Gamma di tensione di carico: Massimo di 200V

EUR 1.47
1

Vishay Siliconix MOSFET canal P,, SC-70 2,68 A 20 V, 6 broches

Vishay Siliconix MOSFET canal P,, SC-70 2,68 A 20 V, 6 broches

Vishay Siliconix MOSFET canal P,, SC-70 2,68 A 20 V, 6 broches, Type de montage: CMS, Résistance Drain Source maximum: 200 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 1.5V, Tension de seuil minimale de la grille: 0.6V, Dissipation de puissance maximum: 13,6 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: ±8 V, Longueur: 2.2mm, Température d'utilisation maximum: +175 °C, MPN: SQA401EEJ-T1_GE3

EUR 0.54
3

Vishay Siliconix MOSFET, canale P, 200 mΩ, 2,68 A, SC-70, Montaggio superficiale

Vishay Siliconix MOSFET, canale P, 200 mΩ, 2,68 A, SC-70, Montaggio superficiale

Vishay Siliconix MOSFET, canale P, 200 mΩ, 2,68 A, SC-70, Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 20 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 1.5V, Tensione di soglia gate minima: 0.6V, Dissipazione di potenza massima: 13,6 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: ±8 V, Lunghezza: 2.2mm, Massima temperatura operativa: +175 °C, MPN: SQA401EEJ-T1_GE3

EUR 0.22
1

Vishay Siliconix MOSFET canal P,, SO-8 9,4 A 200 V, 8 broches

Vishay Siliconix MOSFET canal P,, SO-8 9,4 A 200 V, 8 broches

Vishay Siliconix MOSFET canal P,, SO-8 9,4 A 200 V, 8 broches, Type de montage: CMS, Résistance Drain Source maximum: 760 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 3.5V, Tension de seuil minimale de la grille: 2.5V, Dissipation de puissance maximum: 68 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: ±20 V, Longueur: 5.99mm, Température d'utilisation maximum: +175 °C, MPN: SQJ431AEP-T1_GE3

EUR 1.62
3

Vishay Siliconix MOSFET canal P,, SO-8 9,4 A 200 V, 8 broches

Vishay Siliconix MOSFET canal P,, SO-8 9,4 A 200 V, 8 broches

Vishay Siliconix MOSFET canal P,, SO-8 9,4 A 200 V, 8 broches, Type de montage: CMS, Résistance Drain Source maximum: 760 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 3.5V, Tension de seuil minimale de la grille: 2.5V, Dissipation de puissance maximum: 68 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: ±20 V, Nombre d'éléments par circuit: 1, Standard automobile: AEC-Q101, MPN: SQJ431AEP-T1_GE3

EUR 1.37
3

Vishay Siliconix MOSFET canal N,, SO-8 17,2 A 200 V, 8 broches

Vishay Siliconix MOSFET canal N,, SO-8 17,2 A 200 V, 8 broches

Vishay Siliconix MOSFET canal N,, SO-8 17,2 A 200 V, 8 broches, Type de montage: CMS, Résistance Drain Source maximum: 80 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 4V, Tension de seuil minimale de la grille: 2V, Dissipation de puissance maximum: 52 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: ±20 V, Longueur: 5.99mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: Si7172ADP-T1-RE3

EUR 0.35
3

Vishay Siliconix MOSFET canal N,, SO-8 17,2 A 200 V, 8 broches

Vishay Siliconix MOSFET canal N,, SO-8 17,2 A 200 V, 8 broches

Vishay Siliconix MOSFET canal N,, SO-8 17,2 A 200 V, 8 broches, Type de montage: CMS, Résistance Drain Source maximum: 80 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 4V, Tension de seuil minimale de la grille: 2V, Dissipation de puissance maximum: 52 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: ±20 V, Longueur: 5.99mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: Si7172ADP-T1-RE3

EUR 0.35
1

Vishay Siliconix MOSFET canal P,, SO-8 9,4 A 200 V, 8 broches

Vishay Siliconix MOSFET canal P,, SO-8 9,4 A 200 V, 8 broches

Vishay Siliconix MOSFET canal P,, SO-8 9,4 A 200 V, 8 broches, Type de montage: CMS, Résistance Drain Source maximum: 760 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 3.5V, Tension de seuil minimale de la grille: 2.5V, Dissipation de puissance maximum: 68 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: ±20 V, Longueur: 5.99mm, Température d'utilisation maximum: +175 °C, MPN: SQJ431AEP-T1_GE3

EUR 0.77
1

Vishay Siliconix MOSFET, Si7172ADP-T1-RE3, N-Canal-Canal, 17,2 A, 200 V, 8-Pin, SO-8 TrenchFET Simple Si

Vishay Siliconix MOSFET, Si7172ADP-T1-RE3, N-Canal-Canal, 17,2 A, 200 V, 8-Pin, SO-8 TrenchFET Simple Si

Vishay Siliconix MOSFET, N-Canal-Canal, 17,2 A, 200 V, 8-Pin, SO-8 TrenchFET Simple Si, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 80 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 4V, Tensión de umbral de puerta mínima: 2V, Disipación de Potencia Máxima: 52 W, Tensión Máxima Puerta-Fuente: ±20 V, Longitud: 5.99mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +150 °C, MPN: Si7172ADP-T1-RE3

EUR 0.35
1

Vishay Siliconix AEC-Q101 MOSFET, SQJ431AEP-T1_GE3, P-Canal, 9,4 A, 200 V, 8-Pin, SO-8 TrenchFET Simple Si

Vishay Siliconix AEC-Q101 MOSFET, SQJ431AEP-T1_GE3, P-Canal, 9,4 A, 200 V, 8-Pin, SO-8 TrenchFET Simple Si

Vishay Siliconix AEC-Q101 MOSFET, P-Canal, 9,4 A, 200 V, 8-Pin, SO-8 TrenchFET Simple Si, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 760 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 3.5V, Tensión de umbral de puerta mínima: 2.5V, Disipación de Potencia Máxima: 68 W, Tensión Máxima Puerta-Fuente: ±20 V, Longitud: 5.99mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +175 °C, MPN: SQJ431AEP-T1_GE3

EUR 0.77
1

Vishay Siliconix MOSFET, canale N, 80 mΩ, 17,2 A, SO-8, Montaggio superficiale

Vishay Siliconix MOSFET, canale N, 80 mΩ, 17,2 A, SO-8, Montaggio superficiale

Vishay Siliconix MOSFET, canale N, 80 mΩ, 17,2 A, SO-8, Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 200 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 4V, Tensione di soglia gate minima: 2V, Dissipazione di potenza massima: 52 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: ±20 V, Lunghezza: 5.99mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, MPN: Si7172ADP-T1-RE3

EUR 0.35
1

Vishay Siliconix MOSFET, canale P, 760 mΩ, 9,4 A, SO-8, Montaggio superficiale

Vishay Siliconix MOSFET, canale P, 760 mΩ, 9,4 A, SO-8, Montaggio superficiale

Vishay Siliconix MOSFET, canale P, 760 mΩ, 9,4 A, SO-8, Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 200 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 3.5V, Tensione di soglia gate minima: 2.5V, Dissipazione di potenza massima: 68 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: ±20 V, Lunghezza: 5.99mm, Massima temperatura operativa: +175 °C, MPN: SQJ431AEP-T1_GE3

EUR 0.77
1