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Vishay Siliconix MOSFET, canale N, 30 mΩ, 30 A (canale N), 30 A (canale P), SO-8, Montaggio superficiale

Vishay Siliconix MOSFET, canale N, 30 mΩ, 30 A (canale N), 30 A (canale P), SO-8, Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 40 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 2.5V, Tensione di soglia gate minima: 1.5V, Dissipazione di potenza massima: 34 W, 34 W., Tensione massima gate source: ±20 V, Lunghezza: 5.99mm, Massima temperatura operativa: +175 °C, MPN: SQJ504EP-T1_GE3

EUR 0.68

1

Vishay Siliconix MOSFET, canale N, 30 mΩ, 30 A (canale N), 30 A (canale P), SO-8, Montaggio superficiale

Vishay Siliconix MOSFET, canale N, 30 mΩ, 30 A (canale N), 30 A (canale P), SO-8, Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 40 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 2.5V, Tensione di soglia gate minima: 1.5V, Dissipazione di potenza massima: 34 W, 34 W., Tensione massima gate source: ±20 V, Lunghezza: 5.99mm, Massima temperatura operativa: +175 °C, MPN: SQJ504EP-T1_GE3

EUR 1.16

1

Vishay Siliconix MOSFET, canale N, 30 mΩ, 30 A (canale N), 30 A (canale P), SO-8, Montaggio superficiale

Vishay Siliconix MOSFET, canale N, 30 mΩ, 30 A (canale N), 30 A (canale P), SO-8, Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 40 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 2.5V, Tensione di soglia gate minima: 1.5V, Dissipazione di potenza massima: 34 W (canale N), 34 W (canale P), Tensione massima gate source: ±20 V, Standard per uso automobilistico: AEC-Q101, Tensione diretta del diodo: 1.2V, MPN: SQJ504EP-T1_GE3

EUR 0.84

1

Vishay Siliconix MOSFET, canale N, 6 mΩ, 40 A (canale 1), 60 A (canale 2), PowerPAIR 6 x 5, Montaggio superficiale

Vishay Siliconix MOSFET, canale N, 6 mΩ, 40 A (canale 1), 60 A (canale 2), PowerPAIR 6 x 5, Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 30 V, Numero pin: 8, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 1.1V, Tensione di soglia gate minima: 2.4V, Dissipazione di potenza massima: 26,6 W, 60 W., Tensione massima gate source: +16 V, +20 V, -12 V, -16 V., Lunghezza: 5mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, MPN: SIZF916DT-T1-GE3

EUR 0.45

1

Vishay Siliconix MOSFET, canale N, 6 mΩ, 40 A (canale 1), 60 A (canale 2), PowerPAIR 6 x 5, Montaggio superficiale

Vishay Siliconix MOSFET, canale N, 6 mΩ, 40 A (canale 1), 60 A (canale 2), PowerPAIR 6 x 5, Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 30 V, Numero pin: 8, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 1.1V, Tensione di soglia gate minima: 2.4V, Dissipazione di potenza massima: 26,6 W, 60 W., Tensione massima gate source: +16 V, +20 V, -12 V, -16 V., Lunghezza: 5mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, MPN: SIZF916DT-T1-GE3

EUR 0.46

1

Vishay Siliconix MOSFET, canale N, 2 mΩ, 60 A, 1212, Montaggio superficiale

Vishay Siliconix MOSFET, canale N, 2 mΩ, 60 A, 1212, Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 40 V, Numero pin: 8, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 1.1V, Tensione di soglia gate minima: 2.4V, Dissipazione di potenza massima: 65,7 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -16 V, +20 V, MPN: SiSS12DN-T1-GE3

EUR 0.97

1

Vishay Siliconix MOSFET, canale N, 20 mΩ, 12 A, SC-70, Montaggio superficiale

Vishay Siliconix MOSFET, canale N, 20 mΩ, 12 A, SC-70, Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 60 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 4V, Tensione di soglia gate minima: 2V, Dissipazione di potenza massima: 19 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: ±20 V, Tensione diretta del diodo: 1.2V, MPN: SiA106DJ-T1-GE3

EUR 0.73

1

Vishay Siliconix MOSFET, canale N, 80 mΩ, 24,5 A, SO-8, Montaggio superficiale

Vishay Siliconix MOSFET, canale N, 80 mΩ, 24,5 A, SO-8, Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 150 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 2.5V, Tensione di soglia gate minima: 3.5V, Dissipazione di potenza massima: 55 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: ±20 V, Standard per uso automobilistico: AEC-Q101, MPN: SQJ872EP-T1_GE3

EUR 1.03

1

Vishay Siliconix MOSFET, canale P, 200 mΩ, 2,68 A, SC-70, Montaggio superficiale

Vishay Siliconix MOSFET, canale P, 200 mΩ, 2,68 A, SC-70, Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 20 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 1.5V, Tensione di soglia gate minima: 0.6V, Dissipazione di potenza massima: 13,6 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: ±8 V, Standard per uso automobilistico: AEC-Q101, MPN: SQA401EEJ-T1_GE3

EUR 0.40

1

Vishay Siliconix MOSFET, canale N, 7 mΩ, 79 A, SO-8, Montaggio superficiale

Vishay Siliconix MOSFET, canale N, 7 mΩ, 79 A, SO-8, Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 100 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 2V, Tensione di soglia gate minima: 3.5V, Dissipazione di potenza massima: 100 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: ±20 V, Tensione diretta del diodo: 1.1V, MPN: SIR104DP-T1-RE3

EUR 0.80

1

Vishay Siliconix MOSFET, canale N, 60 mΩ, 6 A, 1212, Montaggio superficiale

Vishay Siliconix MOSFET, canale N, 60 mΩ, 6 A, 1212, Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 60 V, Numero pin: 8, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 2.5V, Tensione di soglia gate minima: 1.5V, Dissipazione di potenza massima: 27,8 W, Tensione massima gate source: ±20 V, Lunghezza: 3.15mm, Massima temperatura operativa: +175 °C, MPN: SQS966ENW-T1_GE3

EUR 0.79

1

Vishay Siliconix MOSFET, canale N, 80 mΩ, 17,2 A, SO-8, Montaggio superficiale

Vishay Siliconix MOSFET, canale N, 80 mΩ, 17,2 A, SO-8, Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 200 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 4V, Tensione di soglia gate minima: 2V, Dissipazione di potenza massima: 52 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: ±20 V, Tensione diretta del diodo: 1.1V, MPN: Si7172ADP-T1-RE3

EUR 0.35

1

Vishay Siliconix MOSFET, canale P, 100 mΩ, 3,6 A, SOT-23, Montaggio superficiale

Vishay Siliconix MOSFET, canale P, 100 mΩ, 3,6 A, SOT-23, Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 40 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 2.5V, Tensione di soglia gate minima: 1V, Dissipazione di potenza massima: 1,7 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: ±20 V, Tensione diretta del diodo: 1.2V, MPN: Si2319DDS-T1-GE3

EUR 0.37

1

Vishay Siliconix MOSFET, canale P, 29 mΩ, 28 A, PowerPAK SO, Montaggio superficiale

Vishay Siliconix MOSFET, canale P, 29 mΩ, 28 A, PowerPAK SO, Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 80 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate minima: 1V, Dissipazione di potenza massima: 83 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -20 V, +20 V, Lunghezza: 5.99mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, MPN: SI7469DP-T1-E3

EUR 2.29

1

Vishay Siliconix MOSFET, canale P, 90 mΩ, 16 A, SO-8, Montaggio superficiale

Vishay Siliconix MOSFET, canale P, 90 mΩ, 16 A, SO-8, Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 80 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 2.5V, Tensione di soglia gate minima: 1.5V, Dissipazione di potenza massima: 45 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: ±20 V, Standard per uso automobilistico: AEC-Q101, MPN: SQJ481EP-T1_GE3

EUR 0.65

1

Vishay Siliconix MOSFET, canale N, 13 mΩ, 45 A, SO-8, Montaggio superficiale

Vishay Siliconix MOSFET, canale N, 13 mΩ, 45 A, SO-8, Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 100 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 2V, Tensione di soglia gate minima: 3.6V, Dissipazione di potenza massima: 65,7 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: ±20 V, Tensione diretta del diodo: 1.1V, MPN: SiR108DP-T1-RE3

EUR 1.15

1

Vishay Siliconix MOSFET, canale N, 170 mΩ, 12,3 A, SO-8, Montaggio superficiale

Vishay Siliconix MOSFET, canale N, 170 mΩ, 12,3 A, SO-8, Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 250 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 4V, Tensione di soglia gate minima: 2V, Dissipazione di potenza massima: 54,3 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: ±20 V, Tensione diretta del diodo: 1.2V, MPN: Si7434ADP-T1-RE3

EUR 1.40

1

Vishay Siliconix MOSFET, canale N, 600 mΩ, 2 A, SOT-23, Montaggio superficiale

Vishay Siliconix MOSFET, canale N, 600 mΩ, 2 A, SOT-23, Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 60 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 0.46V, Tensione di soglia gate minima: 1V, Dissipazione di potenza massima: 3 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: ±8 V, Standard per uso automobilistico: AEC-Q101, MPN: SQ2364EES-T1_GE3

EUR 0.35

1

Vishay Siliconix MOSFET, canale P, 20 mΩ, 30 A, SO-8, Montaggio superficiale

Vishay Siliconix MOSFET, canale P, 20 mΩ, 30 A, SO-8, Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 40 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 2.5V, Tensione di soglia gate minima: 1.5V, Dissipazione di potenza massima: 45 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: ±20 V, Standard per uso automobilistico: AEC-Q101, MPN: SQJ415EP-T1_GE3

EUR 0.62

1

Vishay Siliconix MOSFET, canale N, 20 mΩ, 64,6 A, SO-8, Montaggio superficiale

Vishay Siliconix MOSFET, canale N, 20 mΩ, 64,6 A, SO-8, Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 150 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 4.5V, Tensione di soglia gate minima: 2.5V, Dissipazione di potenza massima: 125 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: ±20 V, Tensione diretta del diodo: 1.1V, MPN: SiDR622DP-T1-GE3

EUR 2.21

1

Vishay Siliconix MOSFET, canale N, 110 mΩ, 14,4 A, SO-8, Montaggio superficiale

Vishay Siliconix MOSFET, canale N, 110 mΩ, 14,4 A, SO-8, Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 250 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 4V, Tensione di soglia gate minima: 2V, Dissipazione di potenza massima: 56,8 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: ±20 V, Tensione diretta del diodo: 1.2V, MPN: Si7190ADP-T1-RE3

EUR 1.69

1

Vishay Siliconix MOSFET, canale P, 29 mΩ, 28 A, PowerPAK SO, Montaggio superficiale

Vishay Siliconix MOSFET, canale P, 29 mΩ, 28 A, PowerPAK SO, Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 80 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate minima: 1V, Dissipazione di potenza massima: 83 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -20 V, +20 V, Lunghezza: 5.99mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, MPN: SI7469DP-T1-E3

EUR 1.56

1

Vishay Siliconix MOSFET, canale N, 40 mΩ, 6 A, 1212, Montaggio superficiale

Vishay Siliconix MOSFET, canale N, 40 mΩ, 6 A, 1212, Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 40 V, Numero pin: 8, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 2.5V, Tensione di soglia gate minima: 1.5V, Dissipazione di potenza massima: 27,8 W, Tensione massima gate source: ±20 V, Lunghezza: 3.15mm, Massima temperatura operativa: +175 °C, MPN: SQS944ENW-T1_GE3

EUR 0.84

1

Vishay Siliconix MOSFET, canale P, 5 mΩ, 100 A, TO-252, Montaggio superficiale

Vishay Siliconix MOSFET, canale P, 5 mΩ, 100 A, TO-252, Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 30 V, Numero pin: 3 + Tab, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 2.5V, Tensione di soglia gate minima: 1.5V, Dissipazione di potenza massima: 136 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: ±20 V, MPN: SQD40031EL_GE3

EUR 1.11

1

Vishay Siliconix MOSFET, canale P, 20 mΩ, 35 A, 1212, Montaggio superficiale

Vishay Siliconix MOSFET, canale P, 20 mΩ, 35 A, 1212, Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 30 V, Numero pin: 8, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 2.5V, Tensione di soglia gate minima: 1.2V, Dissipazione di potenza massima: 52 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: ±25 V, MPN: SiSH617DN-T1-GE3

EUR 0.54

1

Marque

Genre

Marchand

Prix (EUR)

Vishay Siliconix MOSFET, canale N, 30 mΩ, 30 A (canale N), 30 A (canale P), SO-8, Montaggio superficiale

Vishay Siliconix MOSFET, canale N, 30 mΩ, 30 A (canale N), 30 A (canale P), SO-8, Montaggio superficiale

Vishay Siliconix MOSFET, canale N, 30 mΩ, 30 A (canale N), 30 A (canale P), SO-8, Montaggio superficiale

Vishay Siliconix MOSFET, canale N, 6 mΩ, 40 A (canale 1), 60 A (canale 2), PowerPAIR 6 x 5, Montaggio superficiale

Vishay Siliconix MOSFET, canale N, 6 mΩ, 40 A (canale 1), 60 A (canale 2), PowerPAIR 6 x 5, Montaggio superficiale

Vishay Siliconix MOSFET, canale N, 2 mΩ, 60 A, 1212, Montaggio superficiale

Vishay Siliconix MOSFET, canale N, 20 mΩ, 12 A, SC-70, Montaggio superficiale

Vishay Siliconix MOSFET, canale N, 80 mΩ, 24,5 A, SO-8, Montaggio superficiale

Vishay Siliconix MOSFET, canale P, 200 mΩ, 2,68 A, SC-70, Montaggio superficiale

Vishay Siliconix MOSFET, canale N, 7 mΩ, 79 A, SO-8, Montaggio superficiale

Vishay Siliconix MOSFET, canale N, 60 mΩ, 6 A, 1212, Montaggio superficiale

Vishay Siliconix MOSFET, canale N, 80 mΩ, 17,2 A, SO-8, Montaggio superficiale

Vishay Siliconix MOSFET, canale P, 100 mΩ, 3,6 A, SOT-23, Montaggio superficiale

Vishay Siliconix MOSFET, canale P, 29 mΩ, 28 A, PowerPAK SO, Montaggio superficiale

Vishay Siliconix MOSFET, canale P, 90 mΩ, 16 A, SO-8, Montaggio superficiale

Vishay Siliconix MOSFET, canale N, 13 mΩ, 45 A, SO-8, Montaggio superficiale

Vishay Siliconix MOSFET, canale N, 170 mΩ, 12,3 A, SO-8, Montaggio superficiale

Vishay Siliconix MOSFET, canale N, 600 mΩ, 2 A, SOT-23, Montaggio superficiale

Vishay Siliconix MOSFET, canale P, 20 mΩ, 30 A, SO-8, Montaggio superficiale

Vishay Siliconix MOSFET, canale N, 20 mΩ, 64,6 A, SO-8, Montaggio superficiale

Vishay Siliconix MOSFET, canale N, 110 mΩ, 14,4 A, SO-8, Montaggio superficiale

Vishay Siliconix MOSFET, canale P, 29 mΩ, 28 A, PowerPAK SO, Montaggio superficiale

Vishay Siliconix MOSFET, canale N, 40 mΩ, 6 A, 1212, Montaggio superficiale

Vishay Siliconix MOSFET, canale P, 5 mΩ, 100 A, TO-252, Montaggio superficiale

Vishay Siliconix MOSFET, canale P, 20 mΩ, 35 A, 1212, Montaggio superficiale

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