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Vishay Siliconix AEC-Q101 MOSFET, SQJ504EP-T1_GE3, Dual, N-Canal-Canal, 30 (canal N) A; 30 (canal P) A, 40 V, 8-Pin, SO-8 TrenchFET Si

Vishay Siliconix AEC-Q101 MOSFET, SQJ504EP-T1_GE3, Dual, N-Canal-Canal, 30 (canal N) A; 30 (canal P) A, 40 V, 8-Pin, SO-8 TrenchFET Si

Vishay Siliconix AEC-Q101 MOSFET, Dual, N-Canal-Canal, 30 (canal N) A; 30 (canal P) A, 40 V, 8-Pin, SO-8 TrenchFET Si, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 30 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 2.5V, Tensión de umbral de puerta mínima: 1.5V, Disipación de Potencia Máxima: 34 W, 34 W, Tensión Máxima Puerta-Fuente: ±20 V, Longitud: 5.99mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +175 °C, MPN: SQJ504EP-T1_GE3

EUR 1.16
1

Vishay Siliconix AEC-Q101 MOSFET, SQJ504EP-T1_GE3, Dual, N-Canal-Canal, 30 (canal N) A; 30 (canal P) A, 40 V, 8-Pin, SO-8 TrenchFET Si

Vishay Siliconix AEC-Q101 MOSFET, SQJ504EP-T1_GE3, Dual, N-Canal-Canal, 30 (canal N) A; 30 (canal P) A, 40 V, 8-Pin, SO-8 TrenchFET Si

Vishay Siliconix AEC-Q101 MOSFET, Dual, N-Canal-Canal, 30 (canal N) A; 30 (canal P) A, 40 V, 8-Pin, SO-8 TrenchFET Si, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 30 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 2.5V, Tensión de umbral de puerta mínima: 1.5V, Disipación de Potencia Máxima: 34 W (canal N), 34 W (canal P), Tensión Máxima Puerta-Fuente: ±20 V, Tensión de diodo directa: 1.2V, MPN: SQJ504EP-T1_GE3

EUR 0.84
1

Vishay Siliconix MOSFET, SIZF916DT-T1-GE3, Dual, N-Canal-Canal, 40 A (canal 1), 60 A (canal 2), 30 V, 8-Pin, PowerPAIR de 6 x 5

Vishay Siliconix MOSFET, SIZF916DT-T1-GE3, Dual, N-Canal-Canal, 40 A (canal 1), 60 A (canal 2), 30 V, 8-Pin, PowerPAIR de 6 x 5

Vishay Siliconix MOSFET, Dual, N-Canal-Canal, 40 A (canal 1), 60 A (canal 2), 30 V, 8-Pin, PowerPAIR de 6 x 5, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 6 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 1.1V, Tensión de umbral de puerta mínima: 2.4V, Disipación de Potencia Máxima: 26,6 W, 60 W., Tensión Máxima Puerta-Fuente: +16 V, +20 V, -12 V, -16 V., Longitud: 5mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +150 °C, MPN: SIZF916DT-T1-GE3

EUR 0.45
1

Vishay Siliconix MOSFET, SIZF916DT-T1-GE3, Dual, N-Canal-Canal, 40 A (canal 1), 60 A (canal 2), 30 V, 8-Pin, PowerPAIR de 6 x 5

Vishay Siliconix MOSFET, SIZF916DT-T1-GE3, Dual, N-Canal-Canal, 40 A (canal 1), 60 A (canal 2), 30 V, 8-Pin, PowerPAIR de 6 x 5

Vishay Siliconix MOSFET, Dual, N-Canal-Canal, 40 A (canal 1), 60 A (canal 2), 30 V, 8-Pin, PowerPAIR de 6 x 5, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 6 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 1.1V, Tensión de umbral de puerta mínima: 2.4V, Disipación de Potencia Máxima: 26,6 W, 60 W., Tensión Máxima Puerta-Fuente: +16 V, +20 V, -12 V, -16 V., Longitud: 5mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +150 °C, MPN: SIZF916DT-T1-GE3

EUR 0.46
1

Vishay Siliconix AEC-Q101 MOSFET, SQJ504EP-T1_GE3, Dual, N-Canal-Canal, 30 (canal N) A

Vishay Siliconix AEC-Q101 MOSFET, SQJ504EP-T1_GE3, Dual, N-Canal-Canal, 30 (canal N) A

Vishay Siliconix AEC-Q101 MOSFET, Dual, N-Canal-Canal, 30 (canal N) A, Corriente Máxima Continua de Drenaje: 30 (canal N) A; 30 (canal P) A, Tensión Máxima Drenador-Fuente: 40 V, Tipo de Encapsulado: SO-8, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 30 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 2.5V, Tensión de umbral de puerta mínima: 1.5V, Disipación de Potencia Máxima: 34 W, 34 W, Tensión Máxima Puerta-Fuente: ±20 V, Longitud: 5.99mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +175 °C, MPN: SQJ504EP-T1_GE3

EUR 0.68
1

Vishay Siliconix MOSFET, SIZF916DT-T1-GE3, Dual, N-Canal-Canal, 40 A (canal 1), 60 A (canal 2), 30 V, 8-Pin, PowerPAIR de 6 x 5

Vishay Siliconix MOSFET, SIZF916DT-T1-GE3, Dual, N-Canal-Canal, 40 A (canal 1), 60 A (canal 2), 30 V, 8-Pin, PowerPAIR de 6 x 5

Vishay Siliconix MOSFET, Dual, N-Canal-Canal, 40 A (canal 1), 60 A (canal 2), 30 V, 8-Pin, PowerPAIR de 6 x 5, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 6 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 1.1V, Tensión de umbral de puerta mínima: 2.4V, Disipación de Potencia Máxima: 26,6 W (canal 1), 60 W (canal 2), Tensión Máxima Puerta-Fuente: +16 V (canal 2), +20 V (canal 1), –12 V (canal 2), –16 V (canal 1), Tensión de diodo directa: 1.2V, Altura: 0.7mm, MPN: SIZF916DT-T1-GE3

EUR 0.96
1

Vishay Siliconix AEC-Q101 MOSFET, SQJA76EP-T1_GE3, N-Canal-Canal, 75 A, 40 V, 8-Pin, SO-8 TrenchFET Simple Si

Vishay Siliconix AEC-Q101 MOSFET, SQJA76EP-T1_GE3, N-Canal-Canal, 75 A, 40 V, 8-Pin, SO-8 TrenchFET Simple Si

Vishay Siliconix AEC-Q101 MOSFET, N-Canal-Canal, 75 A, 40 V, 8-Pin, SO-8 TrenchFET Simple Si, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 5 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 2.5V, Tensión de umbral de puerta mínima: 3.5V, Disipación de Potencia Máxima: 66 W, Tensión Máxima Puerta-Fuente: ±20 V, MPN: SQJA76EP-T1_GE3

EUR 1.00
1

Vishay Siliconix AEC-Q101 MOSFET, SQJ431AEP-T1_GE3, P-Canal, 9,4 A, 200 V, 8-Pin, SO-8 TrenchFET Simple Si

Vishay Siliconix AEC-Q101 MOSFET, SQJ431AEP-T1_GE3, P-Canal, 9,4 A, 200 V, 8-Pin, SO-8 TrenchFET Simple Si

Vishay Siliconix AEC-Q101 MOSFET, P-Canal, 9,4 A, 200 V, 8-Pin, SO-8 TrenchFET Simple Si, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 760 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 3.5V, Tensión de umbral de puerta mínima: 2.5V, Disipación de Potencia Máxima: 68 W, Tensión Máxima Puerta-Fuente: ±20 V, MPN: SQJ431AEP-T1_GE3

EUR 1.37
1

Vishay Siliconix AEC-Q101 MOSFET, SQA403EJ-T1_GE3, P-Canal, 10 A, 30 V, 6-Pin, SC-70 TrenchFET Simple Si

Vishay Siliconix AEC-Q101 MOSFET, SQA403EJ-T1_GE3, P-Canal, 10 A, 30 V, 6-Pin, SC-70 TrenchFET Simple Si

Vishay Siliconix AEC-Q101 MOSFET, P-Canal, 10 A, 30 V, 6-Pin, SC-70 TrenchFET Simple Si, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 30 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 2.5V, Tensión de umbral de puerta mínima: 1.5V, Disipación de Potencia Máxima: 13,6 W, Tensión Máxima Puerta-Fuente: ±20 V, MPN: SQA403EJ-T1_GE3

EUR 0.37
1

Vishay Siliconix AEC-Q101 MOSFET, SQ2364EES-T1_GE3, N-Canal-Canal, 2 A, 60 V, 3-Pin, SOT-23 TrenchFET Simple Si

Vishay Siliconix AEC-Q101 MOSFET, SQ2364EES-T1_GE3, N-Canal-Canal, 2 A, 60 V, 3-Pin, SOT-23 TrenchFET Simple Si

Vishay Siliconix AEC-Q101 MOSFET, N-Canal-Canal, 2 A, 60 V, 3-Pin, SOT-23 TrenchFET Simple Si, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 600 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 0.46V, Tensión de umbral de puerta mínima: 1V, Disipación de Potencia Máxima: 3 W, Tensión Máxima Puerta-Fuente: ±8 V, MPN: SQ2364EES-T1_GE3

EUR 0.35
1

Vishay Siliconix AEC-Q101 MOSFET, SQA401EEJ-T1_GE3, P-Canal, 2,68 A, 20 V, 6-Pin, SC-70 TrenchFET Simple Si

Vishay Siliconix AEC-Q101 MOSFET, SQA401EEJ-T1_GE3, P-Canal, 2,68 A, 20 V, 6-Pin, SC-70 TrenchFET Simple Si

Vishay Siliconix AEC-Q101 MOSFET, P-Canal, 2,68 A, 20 V, 6-Pin, SC-70 TrenchFET Simple Si, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 200 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 1.5V, Tensión de umbral de puerta mínima: 0.6V, Disipación de Potencia Máxima: 13,6 W, Tensión Máxima Puerta-Fuente: ±8 V, MPN: SQA401EEJ-T1_GE3

EUR 0.40
1

Vishay Siliconix AEC-Q101 MOSFET, SQJ872EP-T1_GE3, N-Canal-Canal, 24,5 A, 150 V, 8-Pin, SO-8 TrenchFET Simple Si

Vishay Siliconix AEC-Q101 MOSFET, SQJ872EP-T1_GE3, N-Canal-Canal, 24,5 A, 150 V, 8-Pin, SO-8 TrenchFET Simple Si

Vishay Siliconix AEC-Q101 MOSFET, N-Canal-Canal, 24,5 A, 150 V, 8-Pin, SO-8 TrenchFET Simple Si, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 80 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 2.5V, Tensión de umbral de puerta mínima: 3.5V, Disipación de Potencia Máxima: 55 W, Tensión Máxima Puerta-Fuente: ±20 V, MPN: SQJ872EP-T1_GE3

EUR 1.03
1

Vishay Siliconix AEC-Q101 MOSFET, SQA470EEJ-T1_GE3, N-Canal-Canal, 2,25 A, 30 V, 6-Pin, SC-70 TrenchFET Simple Si

Vishay Siliconix AEC-Q101 MOSFET, SQA470EEJ-T1_GE3, N-Canal-Canal, 2,25 A, 30 V, 6-Pin, SC-70 TrenchFET Simple Si

Vishay Siliconix AEC-Q101 MOSFET, N-Canal-Canal, 2,25 A, 30 V, 6-Pin, SC-70 TrenchFET Simple Si, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 90 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 1.6V, Tensión de umbral de puerta mínima: 0.6V, Disipación de Potencia Máxima: 13,6 W, Tensión Máxima Puerta-Fuente: ±12 V, MPN: SQA470EEJ-T1_GE3

EUR 0.13
1

Vishay Siliconix AEC-Q101 MOSFET, SQA405EJ-T1_GE3, P-Canal, 10 A, 40 V, 6-Pin, SC-70 TrenchFET Simple Si

Vishay Siliconix AEC-Q101 MOSFET, SQA405EJ-T1_GE3, P-Canal, 10 A, 40 V, 6-Pin, SC-70 TrenchFET Simple Si

Vishay Siliconix AEC-Q101 MOSFET, P-Canal, 10 A, 40 V, 6-Pin, SC-70 TrenchFET Simple Si, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 80 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 2.5V, Tensión de umbral de puerta mínima: 1.5V, Disipación de Potencia Máxima: 13,6 W, Tensión Máxima Puerta-Fuente: ±20 V, MPN: SQA405EJ-T1_GE3

EUR 0.46
1

Vishay Siliconix AEC-Q101 MOSFET, SQS966ENW-T1_GE3, Dual, N-Canal-Canal, 6 A, 60 V, 8-Pin, 1212 TrenchFET Si

Vishay Siliconix AEC-Q101 MOSFET, SQS966ENW-T1_GE3, Dual, N-Canal-Canal, 6 A, 60 V, 8-Pin, 1212 TrenchFET Si

Vishay Siliconix AEC-Q101 MOSFET, Dual, N-Canal-Canal, 6 A, 60 V, 8-Pin, 1212 TrenchFET Si, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 60 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 2.5V, Tensión de umbral de puerta mínima: 1.5V, Disipación de Potencia Máxima: 27,8 W, Tensión Máxima Puerta-Fuente: ±20 V, Tensión de diodo directa: 1.1V, MPN: SQS966ENW-T1_GE3

EUR 0.68
1

Vishay Siliconix MOSFET, SiR108DP-T1-RE3, N-Canal-Canal, 45 A, 100 V, 8-Pin, SO-8 TrenchFET Simple Si

Vishay Siliconix MOSFET, SiR108DP-T1-RE3, N-Canal-Canal, 45 A, 100 V, 8-Pin, SO-8 TrenchFET Simple Si

Vishay Siliconix MOSFET, N-Canal-Canal, 45 A, 100 V, 8-Pin, SO-8 TrenchFET Simple Si, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 13 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 2V, Tensión de umbral de puerta mínima: 3.6V, Disipación de Potencia Máxima: 65,7 W, Tensión Máxima Puerta-Fuente: ±20 V, Tensión de diodo directa: 1.1V, MPN: SiR108DP-T1-RE3

EUR 1.15
1

Vishay Siliconix MOSFET, SIR104DP-T1-RE3, N-Canal-Canal, 79 A, 100 V, 8-Pin, SO-8 TrenchFET Simple Si

Vishay Siliconix MOSFET, SIR104DP-T1-RE3, N-Canal-Canal, 79 A, 100 V, 8-Pin, SO-8 TrenchFET Simple Si

Vishay Siliconix MOSFET, N-Canal-Canal, 79 A, 100 V, 8-Pin, SO-8 TrenchFET Simple Si, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 7 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 2V, Tensión de umbral de puerta mínima: 3.5V, Disipación de Potencia Máxima: 100 W, Tensión Máxima Puerta-Fuente: ±20 V, Tensión de diodo directa: 1.1V, MPN: SIR104DP-T1-RE3

EUR 1.67
1

Vishay Siliconix AEC-Q101 MOSFET, SQM40022EM_GE3, N-Canal-Canal, 150 A, 40 V, 7 + Tab-Pin, D2PAK (TO-263) TrenchFET Simple Si

Vishay Siliconix AEC-Q101 MOSFET, SQM40022EM_GE3, N-Canal-Canal, 150 A, 40 V, 7 + Tab-Pin, D2PAK (TO-263) TrenchFET Simple Si

Vishay Siliconix AEC-Q101 MOSFET, N-Canal-Canal, 150 A, 40 V, 7 + Tab-Pin, D2PAK (TO-263) TrenchFET Simple Si, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 3 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 2.5V, Tensión de umbral de puerta mínima: 3.5V, Disipación de Potencia Máxima: 150 W, Tensión Máxima Puerta-Fuente: ±20 V, MPN: SQM40022EM_GE3

EUR 1.54
1

Vishay Siliconix MOSFET, SiDR622DP-T1-GE3, N-Canal-Canal, 64,6 A, 150 V, 8-Pin, SO-8 TrenchFET Simple Si

Vishay Siliconix MOSFET, SiDR622DP-T1-GE3, N-Canal-Canal, 64,6 A, 150 V, 8-Pin, SO-8 TrenchFET Simple Si

Vishay Siliconix MOSFET, N-Canal-Canal, 64,6 A, 150 V, 8-Pin, SO-8 TrenchFET Simple Si, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 20 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 4.5V, Tensión de umbral de puerta mínima: 2.5V, Disipación de Potencia Máxima: 125 W, Tensión Máxima Puerta-Fuente: ±20 V, Tensión de diodo directa: 1.1V, MPN: SiDR622DP-T1-GE3

EUR 2.21
1