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Vishay MOSFET, canale N, 200 mΩ, 23 A, TO247AC, Su foro

Vishay MOSFET, canale N, 200 mΩ, 23 A, TO247AC, Su foro, Tensione massima drain source: 400 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate minima: 2V, Dissipazione di potenza massima: 280 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -20 V, +20 V, Lunghezza: 15.87mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, MPN: IRFP360PBF

EUR 5.86

1

Vishay MOSFET, canale N, 200 mΩ, 23 A, TO247AC, Su foro

Vishay MOSFET, canale N, 200 mΩ, 23 A, TO247AC, Su foro, Tensione massima drain source: 400 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate minima: 2V, Dissipazione di potenza massima: 280 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -20 V, +20 V, Lunghezza: 15.87mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, MPN: IRFP360PBF

EUR 5.38

1

Vishay MOSFET, canale N, 200 mΩ, 23 A, TO247AC, Su foro

Vishay MOSFET, canale N, 200 mΩ, 23 A, TO247AC, Su foro, Tensione massima drain source: 400 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate minima: 2V, Dissipazione di potenza massima: 280 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -30 V, +30 V, Lunghezza: 15.87mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, MPN: IRFP360LCPBF

EUR 5.27

1

Vishay MOSFET canal N,, TO-220AB 57 A 200 V, 3 broches

Vishay MOSFET canal N,, TO-220AB 57 A 200 V, 3 broches, Type de montage: Traversant, Résistance Drain Source maximum: 33 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil minimale de la grille: 2V, Dissipation de puissance maximum: 3750 mW, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: -20 V, +20 V, Longueur: 10.41mm, Température d'utilisation maximum: +175 °C, MPN: SUP57N20-33-E3

EUR 5.07

1

Vishay MOSFET canal N,, TO-247AC 46 A 200 V, 3 broches

Vishay MOSFET canal N,, TO-247AC 46 A 200 V, 3 broches, Type de montage: Traversant, Résistance Drain Source maximum: 55 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil minimale de la grille: 2V, Dissipation de puissance maximum: 280 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: -20 V, +20 V, Longueur: 15.87mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: IRFP260PBF

EUR 5.57

1

Vishay Condensatore a film, MKT 1813, 2.2μF, 200 V ac, 400 V dc, ±10%

Vishay Condensatore a film, MKT 1813, 2.2μF, 200 V ac, 400 V dc, ±10%, Capacità: 2.2µF, Tipo di montaggio: Su foro, Passo: 45mm, Lunghezza: 41.5mm, Dielettrico: Poliestere metallizzato, Tipo di terminale: Montaggio con foro passante, Diametro terminale: 1mm, Temperatura operativa massima: +100°C, Temperatura operativa minima: -55°C, Tolleranza (-): +10%, MPN: MKT1813522405

EUR 6.72

1

Vishay Condensateur à couche mince MKT 1813 2.2μF 200 V ac, 400 V dc ±10%

Vishay Condensateur à couche mince MKT 1813 2.2μF 200 V ac, 400 V dc ±10%, Capacité: 2.2µF, Type de montage: Traversant, Pas entre broches: 45mm, Longueur: 41.5mm, Diélectrique: Polyester métallisé, Diamètre de broche: 1mm, Température d'utilisation maximum: +100°C, Température d'utilisation minimum: -55°C, Tolérance max.: +10%, MPN: MKT1813522405

EUR 6.72

1

Vishay Condensador de película, 2.2μF, ±10%, 200 V ac, 400 V dc, Montaje en orificio pasante

Vishay Condensador de película, 2.2μF, ±10%, 200 V ac, 400 V dc, Montaje en orificio pasante, Capacitancia: 2.2µF, Serie: MKT 1813, Paso del Pin: 45mm, Longitud: 41.5mm, Dieléctrico: Poliéster metalizado, Diámetro del Pin: 1mm, Máxima Temperatura de Funcionamiento: +100°C, Mínima Temperatura de Funcionamiento: -55°C, Tolerancia (Más): +10%, MPN: MKT1813522405

EUR 6.72

1

Vishay MOSFET canal N,, D2PAK (TO-263) 65 A 200 V, 3 broches

Vishay MOSFET canal N,, D2PAK (TO-263) 65 A 200 V, 3 broches, Type de montage: CMS, Résistance Drain Source maximum: 84 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil minimale de la grille: 2V, Dissipation de puissance maximum: 375 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: -20 V, +20 V, Longueur: 10.41mm, Température d'utilisation maximum: +175 °C, MPN: SUM65N20-30-E3

EUR 5.43

1

Vishay MOSFET canal N,, D2PAK (TO-263) 65 A 200 V, 3 broches

Vishay MOSFET canal N,, D2PAK (TO-263) 65 A 200 V, 3 broches, Type de montage: CMS, Résistance Drain Source maximum: 84 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil minimale de la grille: 2V, Dissipation de puissance maximum: 375 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: -20 V, +20 V, Nombre d'éléments par circuit: 1, Hauteur: 4.826mm, Longueur: 10.41mm, MPN: SUM65N20-30-E3

EUR 5.43

1

Vishay Diodo, VS-85HF20, Recuperación rápida, 85A, 200V, 200 ns, 500 ns, DO-203AB, 2-Pines, Conexión de silicio

Vishay Diodo, Recuperación rápida, 85A, 200V, 200 ns, 500 ns, DO-203AB, 2-Pines, Conexión de silicio, Tipo de Montaje: Montaje roscado, Configuración de diodo: Tornillo prisionero de cátodo, Caída de tensión directa máxima: 1.75V, Transitorios de corriente directa no repetitiva de pico: 1.4kA, MPN: VS-85HF20

EUR 9.37

1

Vishay Diodo, VS-85HF60, Recuperación rápida, 85A, 600V, 200 ns, 500 ns, DO-203AB, 2-Pines, Conexión de silicio

Vishay Diodo, Recuperación rápida, 85A, 600V, 200 ns, 500 ns, DO-203AB, 2-Pines, Conexión de silicio, Tipo de Montaje: Montaje roscado, Configuración de diodo: Tornillo prisionero de cátodo, Caída de tensión directa máxima: 1.75V, Transitorios de corriente directa no repetitiva de pico: 1.4kA, MPN: VS-85HF60

EUR 9.20

1

Vishay Diodo, VS-85HF20, Recuperación rápida, 85A, 200V, 200 ns, 500 ns, DO-203AB, 2-Pines, Conexión de silicio

Vishay Diodo, Recuperación rápida, 85A, 200V, 200 ns, 500 ns, DO-203AB, 2-Pines, Conexión de silicio, Tipo de Montaje: Montaje roscado, Configuración de diodo: Tornillo prisionero de cátodo, Caída de tensión directa máxima: 1.75V, Transitorios de corriente directa no repetitiva de pico: 1.4kA, MPN: VS-85HF20

EUR 7.92

1

Vishay Diodo, VS-85HFR60, Recuperación rápida, 85A, 600V, 200 ns, 500 ns, DO-203AB, 2-Pines, Conexión de silicio

Vishay Diodo, Recuperación rápida, 85A, 600V, 200 ns, 500 ns, DO-203AB, 2-Pines, Conexión de silicio, Tipo de Montaje: Montaje roscado, Configuración de diodo: Tornillo prisionero de ánodo, Caída de tensión directa máxima: 1.75V, Transitorios de corriente directa no repetitiva de pico: 1.4kA, MPN: VS-85HFR60

EUR 9.50

1

Vishay MOSFET, IRFP260PBF, N-Canal-Canal, 46 A, 200 V, 3-Pin, TO-247AC Simple Si

Vishay MOSFET, N-Canal-Canal, 46 A, 200 V, 3-Pin, TO-247AC Simple Si, Tipo de Montaje: Montaje en orificio pasante, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 55 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta mínima: 2V, Disipación de Potencia Máxima: 280 W, Tensión Máxima Puerta-Fuente: -20 V, +20 V, Longitud: 15.87mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +150 °C, MPN: IRFP260PBF

EUR 5.57

1

Vishay MOSFET, SUP57N20-33-E3, N-Canal-Canal, 57 A, 200 V, 3-Pin, TO-220AB Simple Si

Vishay MOSFET, N-Canal-Canal, 57 A, 200 V, 3-Pin, TO-220AB Simple Si, Tipo de Montaje: Montaje en orificio pasante, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 33 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta mínima: 2V, Disipación de Potencia Máxima: 3750 mW, Tensión Máxima Puerta-Fuente: -20 V, +20 V, Longitud: 10.41mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +175 °C, MPN: SUP57N20-33-E3

EUR 5.07

1

Vishay MOSFET, SUM65N20-30-E3, N-Canal-Canal, 65 A, 200 V, 3-Pin, D2PAK (TO-263) Simple Si

Vishay MOSFET, N-Canal-Canal, 65 A, 200 V, 3-Pin, D2PAK (TO-263) Simple Si, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 84 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta mínima: 2V, Disipación de Potencia Máxima: 375 W, Tensión Máxima Puerta-Fuente: -20 V, +20 V, Número de Elementos por Chip: 1, Altura: 4.826mm, Longitud: 10.41mm, MPN: SUM65N20-30-E3

EUR 5.43

1

Vishay MOSFET, SUM65N20-30-E3, N-Canal-Canal, 65 A, 200 V, 3-Pin, D2PAK (TO-263) Simple Si

Vishay MOSFET, N-Canal-Canal, 65 A, 200 V, 3-Pin, D2PAK (TO-263) Simple Si, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 84 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta mínima: 2V, Disipación de Potencia Máxima: 375 W, Tensión Máxima Puerta-Fuente: -20 V, +20 V, Longitud: 10.41mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +175 °C, MPN: SUM65N20-30-E3

EUR 5.43

1

Vishay Résistance Bobiné 2.2Ω ±5%, 11W

Vishay Résistance Bobiné 2.2Ω ±5%, 11W, Série: RWM 8x45, Boîtier: 0845, Température d'utilisation maximum: +200°C, Température d'utilisation minimum: -55°C, MPN: RWM08452R20JB25E1

EUR 7.17

1

Vishay Résistance Bobiné 6.8kΩ ±5%, 8W

Vishay Résistance Bobiné 6.8kΩ ±5%, 8W, Série: RWM 6x34, Boîtier: 0634, Température d'utilisation maximum: +200°C, Température d'utilisation minimum: -55°C, MPN: RWM06346801JS09E1

EUR 8.05

1

Vishay Résistance Bobiné 100Ω ±5%, 8W

Vishay Résistance Bobiné 100Ω ±5%, 8W, Série: RWM 6x34, Boîtier: 0634, Température d'utilisation maximum: +200°C, Température d'utilisation minimum: -55°C, MPN: RWM06341000JS09E1

EUR 8.98

1

Vishay Résistance Bobiné 470mΩ ±5%, 8W

Vishay Résistance Bobiné 470mΩ ±5%, 8W, Série: RWM 6x34, Boîtier: 0634, Température d'utilisation maximum: +200°C, Température d'utilisation minimum: -55°C, MPN: RWM0634R470JS09E1

EUR 7.04

1

Vishay Résistance Bobiné 2.2kΩ ±5%, 8W

Vishay Résistance Bobiné 2.2kΩ ±5%, 8W, Série: RWM 6x34, Boîtier: 0634, Température d'utilisation maximum: +200°C, Température d'utilisation minimum: -55°C, MPN: RWM06342201JS09E1

EUR 7.76

1

Vishay, 2.2kΩ, 8W, ±5%, serie RWM 6x34

Vishay, 2.2kΩ, 8W, ±5%, serie RWM 6x34, Tecnologia: Filo avvolto, Package/Contenitore: 0634, Temperatura operativa massima: +200°C, Temperatura operativa minima: -55°C, MPN: RWM06342201JS09E1

EUR 7.76

1

Vishay, 100Ω, 8W, ±5%, serie RWM 6x34

Vishay, 100Ω, 8W, ±5%, serie RWM 6x34, Tecnologia: Filo avvolto, Package/Contenitore: 0634, Temperatura operativa massima: +200°C, Temperatura operativa minima: -55°C, MPN: RWM06341000JS09E1

EUR 8.98

1

Marque

Genre

Marchand

Prix (EUR)

Vishay MOSFET, canale N, 200 mΩ, 23 A, TO247AC, Su foro

Vishay MOSFET, canale N, 200 mΩ, 23 A, TO247AC, Su foro

Vishay MOSFET, canale N, 200 mΩ, 23 A, TO247AC, Su foro

Vishay MOSFET canal N,, TO-220AB 57 A 200 V, 3 broches

Vishay MOSFET canal N,, TO-247AC 46 A 200 V, 3 broches

Vishay Condensatore a film, MKT 1813, 2.2μF, 200 V ac, 400 V dc, ±10%

Vishay Condensateur à couche mince MKT 1813 2.2μF 200 V ac, 400 V dc ±10%

Vishay Condensador de película, 2.2μF, ±10%, 200 V ac, 400 V dc, Montaje en orificio pasante

Vishay MOSFET canal N,, D2PAK (TO-263) 65 A 200 V, 3 broches

Vishay MOSFET canal N,, D2PAK (TO-263) 65 A 200 V, 3 broches

Vishay Diodo, VS-85HF20, Recuperación rápida, 85A, 200V, 200 ns, 500 ns, DO-203AB, 2-Pines, Conexión de silicio

Vishay Diodo, VS-85HF60, Recuperación rápida, 85A, 600V, 200 ns, 500 ns, DO-203AB, 2-Pines, Conexión de silicio

Vishay Diodo, VS-85HF20, Recuperación rápida, 85A, 200V, 200 ns, 500 ns, DO-203AB, 2-Pines, Conexión de silicio

Vishay Diodo, VS-85HFR60, Recuperación rápida, 85A, 600V, 200 ns, 500 ns, DO-203AB, 2-Pines, Conexión de silicio

Vishay MOSFET, IRFP260PBF, N-Canal-Canal, 46 A, 200 V, 3-Pin, TO-247AC Simple Si

Vishay MOSFET, SUP57N20-33-E3, N-Canal-Canal, 57 A, 200 V, 3-Pin, TO-220AB Simple Si

Vishay MOSFET, SUM65N20-30-E3, N-Canal-Canal, 65 A, 200 V, 3-Pin, D2PAK (TO-263) Simple Si

Vishay MOSFET, SUM65N20-30-E3, N-Canal-Canal, 65 A, 200 V, 3-Pin, D2PAK (TO-263) Simple Si

Vishay Résistance Bobiné 2.2Ω ±5%, 11W

Vishay Résistance Bobiné 6.8kΩ ±5%, 8W

Vishay Résistance Bobiné 100Ω ±5%, 8W

Vishay Résistance Bobiné 470mΩ ±5%, 8W

Vishay Résistance Bobiné 2.2kΩ ±5%, 8W

Vishay, 2.2kΩ, 8W, ±5%, serie RWM 6x34

Vishay, 100Ω, 8W, ±5%, serie RWM 6x34

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