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Toshiba IGBT, GT15J341,, 15 A, 600 V, TO-220SIS, 3 broches, Simple

Toshiba IGBT,, 15 A, 600 V, TO-220SIS, 3 broches, Simple, Tension Grille Emetteur maximum: ±25V, Dissipation de puissance maximum: 30 W, Type de montage: Traversant, Vitesse de découpage: 100kHz, Dimensions: 10 x 4.5 x 15mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: GT15J341

EUR 0.91

1

Toshiba IGBT, GT50JR22,, 50 A, 600 V, TO-3P, 3 broches, Simple

Toshiba IGBT,, 50 A, 600 V, TO-3P, 3 broches, Simple, Tension Grille Emetteur maximum: ±25V, Dissipation de puissance maximum: 230 W, Type de montage: Traversant, Vitesse de découpage: 1MHz, Dimensions: 15.5 x 4.5 x 20mm, Température d'utilisation maximum: +175 °C, MPN: GT50JR22

EUR 4.55

1

Toshiba IGBT, GT20J341,, 20 A, 600 V, TO-220SIS, 3 broches, Simple

Toshiba IGBT,, 20 A, 600 V, TO-220SIS, 3 broches, Simple, Tension Grille Emetteur maximum: ±25V, Dissipation de puissance maximum: 45 W, Type de montage: Traversant, Vitesse de découpage: 100kHz, Dimensions: 10 x 4.5 x 15mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: GT20J341

EUR 1.03

1

Toshiba IGBT, GT30J121,, 30 A, 600 V, TO-3P, 3 broches, Simple

Toshiba IGBT,, 30 A, 600 V, TO-3P, 3 broches, Simple, Tension Grille Emetteur maximum: ±20V, Dissipation de puissance maximum: 170 W, Type de montage: Traversant, Vitesse de découpage: 1MHz, Dimensions: 15.9 x 4.8 x 20mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: GT30J121

EUR 2.79

1

Toshiba IGBT, GT20J341,, 20 A, 600 V, TO-220SIS, 3 broches, Simple

Toshiba IGBT,, 20 A, 600 V, TO-220SIS, 3 broches, Simple, Tension Grille Emetteur maximum: ±25V, Dissipation de puissance maximum: 45 W, Type de montage: Traversant, Vitesse de découpage: 100kHz, Dimensions: 10 x 4.5 x 15mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: GT20J341

EUR 1.90

1

Toshiba IGBT, GT30J121,, 30 A, 600 V, TO-3P, 3 broches, Simple

Toshiba IGBT,, 30 A, 600 V, TO-3P, 3 broches, Simple, Tension Grille Emetteur maximum: ±20V, Dissipation de puissance maximum: 170 W, Type de montage: Traversant, Vitesse de découpage: 1MHz, Dimensions: 15.9 x 4.8 x 20mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: GT30J121

EUR 1.85

1

Toshiba IGBT, GT50JR22,, 50 A, 600 V, TO-3P, 3 broches, Simple

Toshiba IGBT,, 50 A, 600 V, TO-3P, 3 broches, Simple, Tension Grille Emetteur maximum: ±25V, Dissipation de puissance maximum: 230 W, Type de montage: Traversant, Vitesse de découpage: 1MHz, Dimensions: 15.5 x 4.5 x 20mm, Température d'utilisation maximum: +175 °C, MPN: GT50JR22

EUR 2.66

1

Toshiba IGBT, GT50JR21,, 50 A, 600 V, TO-3P, 3 broches, Simple

Toshiba IGBT,, 50 A, 600 V, TO-3P, 3 broches, Simple, Tension Grille Emetteur maximum: ±25V, Dissipation de puissance maximum: 230 W, Type de montage: Traversant, Vitesse de découpage: 1MHz, Dimensions: 15.5 x 4.5 x 20mm, Température d'utilisation maximum: +175 °C, MPN: GT50JR21

EUR 3.85

1

Toshiba IGBT, GT15J341,, 15 A, 600 V, TO-220SIS, 3 broches, Simple

Toshiba IGBT,, 15 A, 600 V, TO-220SIS, 3 broches, Simple, Tension Grille Emetteur maximum: ±25V, Dissipation de puissance maximum: 30 W, Type de montage: Traversant, Vitesse de découpage: 100kHz, Dimensions: 10 x 4.5 x 15mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: GT15J341

EUR 1.34

1

Toshiba IGBT, GT50JR21,, 50 A, 600 V, TO-3P, 3 broches, Simple

Toshiba IGBT,, 50 A, 600 V, TO-3P, 3 broches, Simple, Tension Grille Emetteur maximum: ±25V, Dissipation de puissance maximum: 230 W, Type de montage: Traversant, Vitesse de découpage: 1MHz, Dimensions: 15.5 x 4.5 x 20mm, Température d'utilisation maximum: +175 °C, MPN: GT50JR21

EUR 2.66

1

Toshiba Transistor, NPN Simple, 15 A, 230 V, TO-3PL, 3 broches

Toshiba Transistor, NPN Simple, 15 A, 230 V, TO-3PL, 3 broches, Type de montage: Traversant, Dissipation de puissance maximum: 150 W, Tension Emetteur Base maximum: 5 V, Dimensions: 20.5 x 26 x 5.2mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: 2SC5200-O(S1,F,S)

EUR 2.63

1

Toshiba Transistor, NPN Simple, 15 A, 230 V, TO-3P, 3 broches

Toshiba Transistor, NPN Simple, 15 A, 230 V, TO-3P, 3 broches, Type de montage: Traversant, Dissipation de puissance maximum: 150 W, Tension Emetteur Base maximum: 5 V, Dimensions: 15.5 x 4.5 x 20mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: 2SC5200N(S1,E,S)

EUR 2.11

1

Toshiba MOSFET, canale N, 390 mΩ, 2 A, SOT-23F, Montaggio superficiale

Toshiba MOSFET, canale N, 390 mΩ, 2 A, SOT-23F, Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 40 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 1.2V, Dissipazione di potenza massima: 2 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: ±12 V, Altezza: 0.7mm, MPN: SSM3K339R

EUR 0.15

1

Toshiba IGBT, GT50JR22, N-Canal, 50 A, 600 V, TO-3P, 3-Pines, 1MHZ Simple

Toshiba IGBT, N-Canal, 50 A, 600 V, TO-3P, 3-Pines, 1MHZ Simple, Tensión Máxima Puerta-Emisor: ±25V, Disipación de Potencia Máxima: 230 W, Tipo de Montaje: Montaje en orificio pasante, Dimensiones: 15.5 x 4.5 x 20mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +175 °C, MPN: GT50JR22

EUR 2.66

1

Toshiba IGBT, GT20J341, N-Canal, 20 A, 600 V, TO-220SIS, 3-Pines, 100kHz Simple

Toshiba IGBT, N-Canal, 20 A, 600 V, TO-220SIS, 3-Pines, 100kHz Simple, Tensión Máxima Puerta-Emisor: ±25V, Disipación de Potencia Máxima: 45 W, Tipo de Montaje: Montaje en orificio pasante, Dimensiones: 10 x 4.5 x 15mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +150 °C, MPN: GT20J341

EUR 1.03

1

Toshiba IGBT, GT20J341, N-Canal, 20 A, 600 V, TO-220SIS, 3-Pines, 100kHz Simple

Toshiba IGBT, N-Canal, 20 A, 600 V, TO-220SIS, 3-Pines, 100kHz Simple, Tensión Máxima Puerta-Emisor: ±25V, Disipación de Potencia Máxima: 45 W, Tipo de Montaje: Montaje en orificio pasante, Dimensiones: 10 x 4.5 x 15mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +150 °C, MPN: GT20J341

EUR 1.90

1

Toshiba IGBT, GT50JR21, N-Canal, 50 A, 600 V, TO-3P, 3-Pines, 1MHZ Simple

Toshiba IGBT, N-Canal, 50 A, 600 V, TO-3P, 3-Pines, 1MHZ Simple, Tensión Máxima Puerta-Emisor: ±25V, Disipación de Potencia Máxima: 230 W, Tipo de Montaje: Montaje en orificio pasante, Dimensiones: 15.5 x 4.5 x 20mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +175 °C, MPN: GT50JR21

EUR 3.85

1

Toshiba IGBT, GT30J121, N-Canal, 30 A, 600 V, TO-3P, 3-Pines, 1MHZ Simple

Toshiba IGBT, N-Canal, 30 A, 600 V, TO-3P, 3-Pines, 1MHZ Simple, Tensión Máxima Puerta-Emisor: ±20V, Disipación de Potencia Máxima: 170 W, Tipo de Montaje: Montaje en orificio pasante, Dimensiones: 15.9 x 4.8 x 20mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +150 °C, MPN: GT30J121

EUR 2.79

1

Toshiba IGBT, GT30J121, N-Canal, 30 A, 600 V, TO-3P, 3-Pines, 1MHZ Simple

Toshiba IGBT, N-Canal, 30 A, 600 V, TO-3P, 3-Pines, 1MHZ Simple, Tensión Máxima Puerta-Emisor: ±20V, Disipación de Potencia Máxima: 170 W, Tipo de Montaje: Montaje en orificio pasante, Dimensiones: 15.9 x 4.8 x 20mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +150 °C, MPN: GT30J121

EUR 1.85

1

Toshiba IGBT, GT15J341, N-Canal, 15 A, 600 V, TO-220SIS, 3-Pines, 100kHz Simple

Toshiba IGBT, N-Canal, 15 A, 600 V, TO-220SIS, 3-Pines, 100kHz Simple, Tensión Máxima Puerta-Emisor: ±25V, Disipación de Potencia Máxima: 30 W, Tipo de Montaje: Montaje en orificio pasante, Dimensiones: 10 x 4.5 x 15mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +150 °C, MPN: GT15J341

EUR 0.91

1

Toshiba IGBT, GT50JR22, N-Canal, 50 A, 600 V, TO-3P, 3-Pines, 1MHZ Simple

Toshiba IGBT, N-Canal, 50 A, 600 V, TO-3P, 3-Pines, 1MHZ Simple, Tensión Máxima Puerta-Emisor: ±25V, Disipación de Potencia Máxima: 230 W, Tipo de Montaje: Montaje en orificio pasante, Dimensiones: 15.5 x 4.5 x 20mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +175 °C, MPN: GT50JR22

EUR 4.55

1

Toshiba IGBT, GT50JR21, N-Canal, 50 A, 600 V, TO-3P, 3-Pines, 1MHZ Simple

Toshiba IGBT, N-Canal, 50 A, 600 V, TO-3P, 3-Pines, 1MHZ Simple, Tensión Máxima Puerta-Emisor: ±25V, Disipación de Potencia Máxima: 230 W, Tipo de Montaje: Montaje en orificio pasante, Dimensiones: 15.5 x 4.5 x 20mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +175 °C, MPN: GT50JR21

EUR 2.66

1

Toshiba IGBT, GT15J341, N-Canal, 15 A, 600 V, TO-220SIS, 3-Pines, 100kHz Simple

Toshiba IGBT, N-Canal, 15 A, 600 V, TO-220SIS, 3-Pines, 100kHz Simple, Tensión Máxima Puerta-Emisor: ±25V, Disipación de Potencia Máxima: 30 W, Tipo de Montaje: Montaje en orificio pasante, Dimensiones: 10 x 4.5 x 15mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +150 °C, MPN: GT15J341

EUR 1.34

1

Toshiba IGBT, VCE 600 V, IC 30 A, canale N, TO-3P

Toshiba IGBT, VCE 600 V, IC 30 A, canale N, TO-3P, Tensione massima gate emitter: ±20V, Dissipazione di potenza massima: 170 W, Tipo di montaggio: Su foro, Velocità di switching: 1MHz, Configurazione transistor: Singolo, Dimensioni: 15.9 x 4.8 x 20mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, MPN: GT30J121

EUR 1.85

1

Toshiba IGBT, VCE 600 V, IC 15 A, canale N, TO-220SIS

Toshiba IGBT, VCE 600 V, IC 15 A, canale N, TO-220SIS, Tensione massima gate emitter: ±25V, Dissipazione di potenza massima: 30 W, Tipo di montaggio: Su foro, Velocità di switching: 100kHz, Configurazione transistor: Singolo, Dimensioni: 10 x 4.5 x 15mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, MPN: GT15J341

EUR 1.34

1

Marque

Genre

Marchand

Prix (EUR)

Toshiba IGBT, GT15J341,, 15 A, 600 V, TO-220SIS, 3 broches, Simple

Toshiba IGBT, GT50JR22,, 50 A, 600 V, TO-3P, 3 broches, Simple

Toshiba IGBT, GT20J341,, 20 A, 600 V, TO-220SIS, 3 broches, Simple

Toshiba IGBT, GT30J121,, 30 A, 600 V, TO-3P, 3 broches, Simple

Toshiba IGBT, GT20J341,, 20 A, 600 V, TO-220SIS, 3 broches, Simple

Toshiba IGBT, GT30J121,, 30 A, 600 V, TO-3P, 3 broches, Simple

Toshiba IGBT, GT50JR22,, 50 A, 600 V, TO-3P, 3 broches, Simple

Toshiba IGBT, GT50JR21,, 50 A, 600 V, TO-3P, 3 broches, Simple

Toshiba IGBT, GT15J341,, 15 A, 600 V, TO-220SIS, 3 broches, Simple

Toshiba IGBT, GT50JR21,, 50 A, 600 V, TO-3P, 3 broches, Simple

Toshiba Transistor, NPN Simple, 15 A, 230 V, TO-3PL, 3 broches

Toshiba Transistor, NPN Simple, 15 A, 230 V, TO-3P, 3 broches

Toshiba MOSFET, canale N, 390 mΩ, 2 A, SOT-23F, Montaggio superficiale

Toshiba IGBT, GT50JR22, N-Canal, 50 A, 600 V, TO-3P, 3-Pines, 1MHZ Simple

Toshiba IGBT, GT20J341, N-Canal, 20 A, 600 V, TO-220SIS, 3-Pines, 100kHz Simple

Toshiba IGBT, GT20J341, N-Canal, 20 A, 600 V, TO-220SIS, 3-Pines, 100kHz Simple

Toshiba IGBT, GT50JR21, N-Canal, 50 A, 600 V, TO-3P, 3-Pines, 1MHZ Simple

Toshiba IGBT, GT30J121, N-Canal, 30 A, 600 V, TO-3P, 3-Pines, 1MHZ Simple

Toshiba IGBT, GT30J121, N-Canal, 30 A, 600 V, TO-3P, 3-Pines, 1MHZ Simple

Toshiba IGBT, GT15J341, N-Canal, 15 A, 600 V, TO-220SIS, 3-Pines, 100kHz Simple

Toshiba IGBT, GT50JR22, N-Canal, 50 A, 600 V, TO-3P, 3-Pines, 1MHZ Simple

Toshiba IGBT, GT50JR21, N-Canal, 50 A, 600 V, TO-3P, 3-Pines, 1MHZ Simple

Toshiba IGBT, GT15J341, N-Canal, 15 A, 600 V, TO-220SIS, 3-Pines, 100kHz Simple

Toshiba IGBT, VCE 600 V, IC 30 A, canale N, TO-3P

Toshiba IGBT, VCE 600 V, IC 15 A, canale N, TO-220SIS

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