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Toshiba MOSFET, canale N, 88 mΩ, 31 A, TO-220, Su foro

Toshiba MOSFET, canale N, 88 mΩ, 31 A, TO-220, Su foro, Tensione massima drain source: 600 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 3.7V, Dissipazione di potenza massima: 230 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -30 V, +30 V, Altezza: 15.1mm, Lunghezza: 10.16mm, MPN: TK31E60W,S1VX(S

EUR 5.91

1

Toshiba MOSFET, canale N, 40 mΩ, 62 A, TO-3PN, Su foro

Toshiba MOSFET, canale N, 40 mΩ, 62 A, TO-3PN, Su foro, Tensione massima drain source: 600 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 3.7V, Dissipazione di potenza massima: 400 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -30 V, +30 V, Numero di elementi per chip: 1, Altezza: 20mm, Lunghezza: 15.5mm, MPN: TK62J60W,S1VQ(O

EUR 8.57

1

Toshiba MOSFET, canale N, 40 mΩ, 62 A, TO-247, Su foro

Toshiba MOSFET, canale N, 40 mΩ, 62 A, TO-247, Su foro, Tensione massima drain source: 600 V, Numero pin: 3, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 3.7V, Dissipazione di potenza massima: 400 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -30 V, +30 V, Lunghezza: 15.94mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, MPN: TK62N60W,S1VF(S

EUR 9.15

1

Toshiba MOSFET, canale N, 88 mΩ, 31 A, TO-220, Su foro

Toshiba MOSFET, canale N, 88 mΩ, 31 A, TO-220, Su foro, Tensione massima drain source: 600 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 3.7V, Dissipazione di potenza massima: 230 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -30 V, +30 V, Lunghezza: 10.16mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, MPN: TK31E60W,S1VX(S

EUR 7.05

1

Toshiba MOSFET, canale N, 40 mΩ, 62 A, TO-3PN, Su foro

Toshiba MOSFET, canale N, 40 mΩ, 62 A, TO-3PN, Su foro, Tensione massima drain source: 600 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 3.7V, Dissipazione di potenza massima: 400 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -30 V, +30 V, Lunghezza: 15.5mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, MPN: TK62J60W,S1VQ(O

EUR 8.57

1

Toshiba MOSFET canal N,, TO-3PN 62 A 600 V, 3 broches

Toshiba MOSFET canal N,, TO-3PN 62 A 600 V, 3 broches, Type de montage: Traversant, Résistance Drain Source maximum: 40 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 3.7V, Dissipation de puissance maximum: 400 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: -30 V, +30 V, Longueur: 15.5mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: TK62J60W,S1VQ(O

EUR 5.44

1

Toshiba MOSFET canal N,, TO-3PN 62 A 600 V, 3 broches

Toshiba MOSFET canal N,, TO-3PN 62 A 600 V, 3 broches, Type de montage: Traversant, Résistance Drain Source maximum: 40 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 3.7V, Dissipation de puissance maximum: 400 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: -30 V, +30 V, Longueur: 15.5mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: TK62J60W,S1VQ(O

EUR 8.57

1

Toshiba MOSFET canal N,, A-247 62 A 600 V, 3 broches

Toshiba MOSFET canal N,, A-247 62 A 600 V, 3 broches, Type de montage: Traversant, Résistance Drain Source maximum: 40 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 3.7V, Dissipation de puissance maximum: 400 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: -30 V, +30 V, Longueur: 15.94mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: TK62N60W,S1VF(S

EUR 9.15

1

Toshiba MOSFET, TK31E60W,S1VX(S, N-Canal-Canal, 31 A, 600 V, 3-Pin, TO-220 TK Simple Si

Toshiba MOSFET, N-Canal-Canal, 31 A, 600 V, 3-Pin, TO-220 TK Simple Si, Tipo de Montaje: Montaje en orificio pasante, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 88 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 3.7V, Disipación de Potencia Máxima: 230 W, Tensión Máxima Puerta-Fuente: -30 V, +30 V, Altura: 15.1mm, Longitud: 10.16mm, MPN: TK31E60W,S1VX(S

EUR 5.91

1

Toshiba MOSFET, canale N, 40 mΩ, 62 A, TO-247, Su foro

Toshiba MOSFET, canale N, 40 mΩ, 62 A, TO-247, Su foro, Tensione massima drain source: 600 V, Numero pin: 3, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 3.7V, Dissipazione di potenza massima: 400 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -30 V, +30 V, Numero di elementi per chip: 1, Altezza: 20.95mm, Lunghezza: 15.94mm, MPN: TK62N60W,S1VF(S

EUR 7.16

1

Toshiba MOSFET, TK62J60W,S1VQ(O, N-Canal-Canal, 62 A, 600 V, 3-Pin, TO-3PN TK Simple Si

Toshiba MOSFET, N-Canal-Canal, 62 A, 600 V, 3-Pin, TO-3PN TK Simple Si, Tipo de Montaje: Montaje en orificio pasante, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 40 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 3.7V, Disipación de Potencia Máxima: 400 W, Tensión Máxima Puerta-Fuente: -30 V, +30 V, Longitud: 15.5mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +150 °C, MPN: TK62J60W,S1VQ(O

EUR 8.57

1

Toshiba MOSFET, TK31E60W,S1VX(S, N-Canal-Canal, 31 A, 600 V, 3-Pin, TO-220 TK Simple Si

Toshiba MOSFET, N-Canal-Canal, 31 A, 600 V, 3-Pin, TO-220 TK Simple Si, Tipo de Montaje: Montaje en orificio pasante, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 88 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 3.7V, Disipación de Potencia Máxima: 230 W, Tensión Máxima Puerta-Fuente: -30 V, +30 V, Longitud: 10.16mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +150 °C, MPN: TK31E60W,S1VX(S

EUR 7.05

1

Toshiba MOSFET, TK62N60W,S1VF(S, N-Canal-Canal, 62 A, 600 V, 3-Pin, TO-247 TK Simple Si

Toshiba MOSFET, N-Canal-Canal, 62 A, 600 V, 3-Pin, TO-247 TK Simple Si, Tipo de Montaje: Montaje en orificio pasante, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 40 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 3.7V, Disipación de Potencia Máxima: 400 W, Tensión Máxima Puerta-Fuente: -30 V, +30 V, Longitud: 15.94mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +150 °C, MPN: TK62N60W,S1VF(S

EUR 9.15

1

Toshiba MOSFET canal N,, A-247 61,8 A 600 V, 3 broches

Toshiba MOSFET canal N,, A-247 61,8 A 600 V, 3 broches, Type de montage: Traversant, Résistance Drain Source maximum: 45 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 4.5V, Tension de seuil minimale de la grille: 3V, Dissipation de puissance maximum: 400 W, Tension Grille Source maximum: -30 V, +30 V, Longueur: 15.94mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: TK62N60W5,S1VF(S

EUR 7.66

1

Toshiba MOSFET canal N,, TO-3PN 62 A 600 V, 3 broches

Toshiba MOSFET canal N,, TO-3PN 62 A 600 V, 3 broches, Type de montage: Traversant, Résistance Drain Source maximum: 40 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 3.7V, Dissipation de puissance maximum: 400 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: -30 V, +30 V, Nombre d'éléments par circuit: 1, Hauteur: 20mm, Longueur: 15.5mm, MPN: TK62J60W,S1VQ(O

EUR 8.57

1

Toshiba MOSFET canal N,, A-247 61,8 A 600 V, 3 broches

Toshiba MOSFET canal N,, A-247 61,8 A 600 V, 3 broches, Type de montage: Traversant, Résistance Drain Source maximum: 40 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 3.5V, Tension de seuil minimale de la grille: 2.5V, Dissipation de puissance maximum: 400 W, Tension Grille Source maximum: -30 V, +30 V, Longueur: 15.94mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: TK62N60X,S1F(S

EUR 5.66

1

Toshiba MOSFET canal N,, A-247 62 A 600 V, 3 broches

Toshiba MOSFET canal N,, A-247 62 A 600 V, 3 broches, Type de montage: Traversant, Résistance Drain Source maximum: 40 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 3.7V, Dissipation de puissance maximum: 400 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: -30 V, +30 V, Nombre d'éléments par circuit: 1, Hauteur: 20.95mm, Longueur: 15.94mm, MPN: TK62N60W,S1VF(S

EUR 7.16

1

Toshiba MOSFET, TK62J60W,S1VQ(O, N-Canal-Canal, 62 A, 600 V, 3-Pin, TO-3PN TK Simple Si

Toshiba MOSFET, N-Canal-Canal, 62 A, 600 V, 3-Pin, TO-3PN TK Simple Si, Tipo de Montaje: Montaje en orificio pasante, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 40 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 3.7V, Disipación de Potencia Máxima: 400 W, Tensión Máxima Puerta-Fuente: -30 V, +30 V, Número de Elementos por Chip: 1, Altura: 20mm, Longitud: 15.5mm, MPN: TK62J60W,S1VQ(O

EUR 8.57

1

Toshiba MOSFET canal N,, TO-3P 61,8 A 600 V, 3 + Tab broches

Toshiba MOSFET canal N,, TO-3P 61,8 A 600 V, 3 + Tab broches, Type de montage: Traversant, Résistance Drain Source maximum: 45 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 4.5V, Tension de seuil minimale de la grille: 3V, Dissipation de puissance maximum: 400 W, Tension Grille Source maximum: -30 V, +30 V, Longueur: 15.5mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: TK62J60W5,S1VQ(O

EUR 5.66

1

Toshiba MOSFET, TK62N60W,S1VF(S, N-Canal-Canal, 62 A, 600 V, 3-Pin, TO-247 TK Simple Si

Toshiba MOSFET, N-Canal-Canal, 62 A, 600 V, 3-Pin, TO-247 TK Simple Si, Tipo de Montaje: Montaje en orificio pasante, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 40 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 3.7V, Disipación de Potencia Máxima: 400 W, Tensión Máxima Puerta-Fuente: -30 V, +30 V, Número de Elementos por Chip: 1, Altura: 20.95mm, Longitud: 15.94mm, MPN: TK62N60W,S1VF(S

EUR 7.16

1

Toshiba MOSFET, TK62N60X,S1F(S, N-Canal-Canal, 61,8 A, 600 V, 3-Pin, TO-247 DTMOSIV-H Si

Toshiba MOSFET, N-Canal-Canal, 61,8 A, 600 V, 3-Pin, TO-247 DTMOSIV-H Si, Tipo de Montaje: Montaje en orificio pasante, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 40 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 3.5V, Tensión de umbral de puerta mínima: 2.5V, Disipación de Potencia Máxima: 400 W, Tensión Máxima Puerta-Fuente: -30 V, +30 V, Longitud: 15.94mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +150 °C, MPN: TK62N60X,S1F(S

EUR 5.66

1

Marque

Genre

Marchand

Prix (EUR)

Toshiba MOSFET, canale N, 88 mΩ, 31 A, TO-220, Su foro

Toshiba MOSFET, canale N, 40 mΩ, 62 A, TO-3PN, Su foro

Toshiba MOSFET, canale N, 40 mΩ, 62 A, TO-247, Su foro

Toshiba MOSFET, canale N, 88 mΩ, 31 A, TO-220, Su foro

Toshiba MOSFET, canale N, 40 mΩ, 62 A, TO-3PN, Su foro

Toshiba MOSFET canal N,, TO-3PN 62 A 600 V, 3 broches

Toshiba MOSFET canal N,, TO-3PN 62 A 600 V, 3 broches

Toshiba MOSFET canal N,, A-247 62 A 600 V, 3 broches

Toshiba MOSFET, TK31E60W,S1VX(S, N-Canal-Canal, 31 A, 600 V, 3-Pin, TO-220 TK Simple Si

Toshiba MOSFET, canale N, 40 mΩ, 62 A, TO-247, Su foro

Toshiba MOSFET, TK62J60W,S1VQ(O, N-Canal-Canal, 62 A, 600 V, 3-Pin, TO-3PN TK Simple Si

Toshiba MOSFET, TK31E60W,S1VX(S, N-Canal-Canal, 31 A, 600 V, 3-Pin, TO-220 TK Simple Si

Toshiba MOSFET, TK62N60W,S1VF(S, N-Canal-Canal, 62 A, 600 V, 3-Pin, TO-247 TK Simple Si

Toshiba MOSFET canal N,, A-247 61,8 A 600 V, 3 broches

Toshiba MOSFET canal N,, TO-3PN 62 A 600 V, 3 broches

Toshiba MOSFET canal N,, A-247 61,8 A 600 V, 3 broches

Toshiba MOSFET canal N,, A-247 62 A 600 V, 3 broches

Toshiba MOSFET, TK62J60W,S1VQ(O, N-Canal-Canal, 62 A, 600 V, 3-Pin, TO-3PN TK Simple Si

Toshiba MOSFET canal N,, TO-3P 61,8 A 600 V, 3 + Tab broches

Toshiba MOSFET, TK62N60W,S1VF(S, N-Canal-Canal, 62 A, 600 V, 3-Pin, TO-247 TK Simple Si

Toshiba MOSFET, TK62N60X,S1F(S, N-Canal-Canal, 61,8 A, 600 V, 3-Pin, TO-247 DTMOSIV-H Si

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