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Toshiba MOSFET, canale N, 56 mΩ, 6 A, SOT-23F, Montaggio superficiale

Toshiba MOSFET, canale N, 56 mΩ, 6 A, SOT-23F, Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 30 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 2.5V, Tensione di soglia gate minima: 1.3V, Dissipazione di potenza massima: 2 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: ±20 V, Lunghezza: 2.9mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, MPN: SSM3K335R

EUR 0.23

1

Toshiba MOSFET, canale N, 7,5 mΩ, 56 A, TO-220SIS, Su foro

Toshiba MOSFET, canale N, 7,5 mΩ, 56 A, TO-220SIS, Su foro, Tensione massima drain source: 120 V, Numero pin: 3, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 4V, Dissipazione di potenza massima: 45 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -20 V, +20 V, Altezza: 15mm, Lunghezza: 10mm, MPN: TK56A12N1,S4X(S

EUR 0.76

1

Toshiba MOSFET, canale N, 56 mΩ, 6 A, SOT-23F, Montaggio superficiale

Toshiba MOSFET, canale N, 56 mΩ, 6 A, SOT-23F, Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 30 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 2.5V, Tensione di soglia gate minima: 1.3V, Dissipazione di potenza massima: 2 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: ±20 V, Tensione diretta del diodo: 1.2V, MPN: SSM3K335R

EUR 0.17

1

Toshiba MOSFET, canale N, 7,5 mΩ, 56 A, TO-220SIS, Su foro

Toshiba MOSFET, canale N, 7,5 mΩ, 56 A, TO-220SIS, Su foro, Tensione massima drain source: 120 V, Numero pin: 3, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 4V, Dissipazione di potenza massima: 45 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -20 V, +20 V, Lunghezza: 10mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, MPN: TK56A12N1,S4X(S

EUR 0.74

1

Toshiba MOSFET, canale N, 7,5 mΩ, 56 A, TO-220SIS, Su foro

Toshiba MOSFET, canale N, 7,5 mΩ, 56 A, TO-220SIS, Su foro, Tensione massima drain source: 120 V, Numero pin: 3, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 4V, Dissipazione di potenza massima: 45 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -20 V, +20 V, Lunghezza: 10mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, MPN: TK56A12N1,S4X(S

EUR 0.76

1

Toshiba MOSFET canal N,, TO-220SIS 56 A 120 V, 3 broches

Toshiba MOSFET canal N,, TO-220SIS 56 A 120 V, 3 broches, Type de montage: Traversant, Résistance Drain Source maximum: 7,5 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 4V, Dissipation de puissance maximum: 45 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: -20 V, +20 V, Hauteur: 15mm, Longueur: 10mm, MPN: TK56A12N1,S4X(S

EUR 0.76

1

Toshiba MOSFET canal N,, TO-220SIS 56 A 120 V, 3 broches

Toshiba MOSFET canal N,, TO-220SIS 56 A 120 V, 3 broches, Type de montage: Traversant, Résistance Drain Source maximum: 7,5 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 4V, Dissipation de puissance maximum: 45 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: -20 V, +20 V, Longueur: 10mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: TK56A12N1,S4X(S

EUR 0.76

1

Toshiba MOSFET canal N,, TO-220SIS 56 A 120 V, 3 broches

Toshiba MOSFET canal N,, TO-220SIS 56 A 120 V, 3 broches, Type de montage: Traversant, Résistance Drain Source maximum: 7,5 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 4V, Dissipation de puissance maximum: 45 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: -20 V, +20 V, Longueur: 10mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: TK56A12N1,S4X(S

EUR 0.74

1

Toshiba MOSFET, canale N, 56 mΩ, 6 A, SOT-23F, Montaggio superficiale

Toshiba MOSFET, canale N, 56 mΩ, 6 A, SOT-23F, Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 30 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 2.5V, Tensione di soglia gate minima: 1.3V, Dissipazione di potenza massima: 2 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: ±20 V, Lunghezza: 2.9mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, MPN: SSM3K335R,LF(B

EUR 0.13

1

Toshiba MOSFET, TK56A12N1,S4X(S, N-Canal-Canal, 56 A, 120 V, 3-Pin, TO-220SIS TK Simple Si

Toshiba MOSFET, N-Canal-Canal, 56 A, 120 V, 3-Pin, TO-220SIS TK Simple Si, Tipo de Montaje: Montaje en orificio pasante, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 7,5 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 4V, Disipación de Potencia Máxima: 45 W, Tensión Máxima Puerta-Fuente: -20 V, +20 V, Altura: 15mm, Longitud: 10mm, MPN: TK56A12N1,S4X(S

EUR 0.76

1

Toshiba MOSFET, TK56A12N1,S4X(S, N-Canal-Canal, 56 A, 120 V, 3-Pin, TO-220SIS TK Simple Si

Toshiba MOSFET, N-Canal-Canal, 56 A, 120 V, 3-Pin, TO-220SIS TK Simple Si, Tipo de Montaje: Montaje en orificio pasante, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 7,5 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 4V, Disipación de Potencia Máxima: 45 W, Tensión Máxima Puerta-Fuente: -20 V, +20 V, Longitud: 10mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +150 °C, MPN: TK56A12N1,S4X(S

EUR 0.76

1

Toshiba MOSFET, TK56A12N1,S4X(S, N-Canal-Canal, 56 A, 120 V, 3-Pin, TO-220SIS TK Simple Si

Toshiba MOSFET, N-Canal-Canal, 56 A, 120 V, 3-Pin, TO-220SIS TK Simple Si, Tipo de Montaje: Montaje en orificio pasante, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 7,5 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 4V, Disipación de Potencia Máxima: 45 W, Tensión Máxima Puerta-Fuente: -20 V, +20 V, Longitud: 10mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +150 °C, MPN: TK56A12N1,S4X(S

EUR 0.74

1

Toshiba MOSFET, SSM3K335R, N-Canal-Canal, 6 A, 30 V, 3-Pin, SOT-23F Simple

Toshiba MOSFET, N-Canal-Canal, 6 A, 30 V, 3-Pin, SOT-23F Simple, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 56 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 2.5V, Tensión de umbral de puerta mínima: 1.3V, Disipación de Potencia Máxima: 2 W, Tensión Máxima Puerta-Fuente: ±20 V, Tensión de diodo directa: 1.2V, MPN: SSM3K335R

EUR 0.17

1

Toshiba MOSFET canal N,, SOT-23F 6 A 30 V, 3 broches

Toshiba MOSFET canal N,, SOT-23F 6 A 30 V, 3 broches, Type de montage: CMS, Résistance Drain Source maximum: 56 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 2.5V, Tension de seuil minimale de la grille: 1.3V, Dissipation de puissance maximum: 2 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: ±20 V, Longueur: 2.9mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: SSM3K335R

EUR 0.10

1

Toshiba MOSFET canal N,, SOT-23F 6 A 30 V, 3 broches

Toshiba MOSFET canal N,, SOT-23F 6 A 30 V, 3 broches, Type de montage: CMS, Résistance Drain Source maximum: 56 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 2.5V, Tension de seuil minimale de la grille: 1.3V, Dissipation de puissance maximum: 2 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: ±20 V, Tension directe de la diode: 1.2V, MPN: SSM3K335R

EUR 0.08

1

Toshiba MOSFET, SSM3K335R,LF(B, N-Canal-Canal, 6 A, 30 V, 3-Pin, SOT-23F Simple

Toshiba MOSFET, N-Canal-Canal, 6 A, 30 V, 3-Pin, SOT-23F Simple, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 56 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 2.5V, Tensión de umbral de puerta mínima: 1.3V, Disipación de Potencia Máxima: 2 W, Tensión Máxima Puerta-Fuente: ±20 V, Longitud: 2.9mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +150 °C, MPN: SSM3K335R,LF(B

EUR 0.13

1

Toshiba MOSFET, SSM3K335R, N-Canal-Canal, 6 A, 30 V, 3-Pin, SOT-23F Simple

Toshiba MOSFET, N-Canal-Canal, 6 A, 30 V, 3-Pin, SOT-23F Simple, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 56 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 2.5V, Tensión de umbral de puerta mínima: 1.3V, Disipación de Potencia Máxima: 2 W, Tensión Máxima Puerta-Fuente: ±20 V, Longitud: 2.9mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +150 °C, MPN: SSM3K335R

EUR 0.23

1

Toshiba MOSFET canal N,, SOT-23F 6 A 30 V, 3 broches

Toshiba MOSFET canal N,, SOT-23F 6 A 30 V, 3 broches, Type de montage: CMS, Résistance Drain Source maximum: 56 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 2.5V, Tension de seuil minimale de la grille: 1.3V, Dissipation de puissance maximum: 2 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: ±20 V, Longueur: 2.9mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: SSM3K335R,LF(B

EUR 0.13

1

Marque

Genre

Marchand

Prix (EUR)

Toshiba MOSFET, canale N, 56 mΩ, 6 A, SOT-23F, Montaggio superficiale

Toshiba MOSFET, canale N, 7,5 mΩ, 56 A, TO-220SIS, Su foro

Toshiba MOSFET, canale N, 56 mΩ, 6 A, SOT-23F, Montaggio superficiale

Toshiba MOSFET, canale N, 7,5 mΩ, 56 A, TO-220SIS, Su foro

Toshiba MOSFET, canale N, 7,5 mΩ, 56 A, TO-220SIS, Su foro

Toshiba MOSFET canal N,, TO-220SIS 56 A 120 V, 3 broches

Toshiba MOSFET canal N,, TO-220SIS 56 A 120 V, 3 broches

Toshiba MOSFET canal N,, TO-220SIS 56 A 120 V, 3 broches

Toshiba MOSFET, canale N, 56 mΩ, 6 A, SOT-23F, Montaggio superficiale

Toshiba MOSFET, TK56A12N1,S4X(S, N-Canal-Canal, 56 A, 120 V, 3-Pin, TO-220SIS TK Simple Si

Toshiba MOSFET, TK56A12N1,S4X(S, N-Canal-Canal, 56 A, 120 V, 3-Pin, TO-220SIS TK Simple Si

Toshiba MOSFET, TK56A12N1,S4X(S, N-Canal-Canal, 56 A, 120 V, 3-Pin, TO-220SIS TK Simple Si

Toshiba MOSFET, SSM3K335R, N-Canal-Canal, 6 A, 30 V, 3-Pin, SOT-23F Simple

Toshiba MOSFET canal N,, SOT-23F 6 A 30 V, 3 broches

Toshiba MOSFET canal N,, SOT-23F 6 A 30 V, 3 broches

Toshiba MOSFET, SSM3K335R,LF(B, N-Canal-Canal, 6 A, 30 V, 3-Pin, SOT-23F Simple

Toshiba MOSFET, SSM3K335R, N-Canal-Canal, 6 A, 30 V, 3-Pin, SOT-23F Simple

Toshiba MOSFET canal N,, SOT-23F 6 A 30 V, 3 broches

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