Toshiba MOSFET, canale N, 230 mΩ, 15,8 A, TO-220SIS, Su foro
Toshiba MOSFET, canale N, 230 mΩ, 15,8 A, TO-220SIS, Su foro, Tensione massima drain source: 600 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 3.7V, Dissipazione di potenza massima: 40 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -30 V, +30 V, Altezza: 15mm, Lunghezza: 10mm, MPN: TK16A60W5,S4VX(M