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Toshiba MOSFET canal N,, TO-220SIS 56 A 120 V, 3 broches

Toshiba MOSFET canal N,, TO-220SIS 56 A 120 V, 3 broches, Type de montage: Traversant, Résistance Drain Source maximum: 7,5 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 4V, Dissipation de puissance maximum: 45 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: -20 V, +20 V, Longueur: 10mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: TK56A12N1,S4X(S

EUR 0.74

1

Toshiba MOSFET canal N,, TO-220SIS 56 A 120 V, 3 broches

Toshiba MOSFET canal N,, TO-220SIS 56 A 120 V, 3 broches, Type de montage: Traversant, Résistance Drain Source maximum: 7,5 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 4V, Dissipation de puissance maximum: 45 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: -20 V, +20 V, Longueur: 10mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: TK56A12N1,S4X(S

EUR 0.76

1

Toshiba MOSFET canal N,, TO-220SIS 56 A 120 V, 3 broches

Toshiba MOSFET canal N,, TO-220SIS 56 A 120 V, 3 broches, Type de montage: Traversant, Résistance Drain Source maximum: 7,5 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 4V, Dissipation de puissance maximum: 45 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: -20 V, +20 V, Hauteur: 15mm, Longueur: 10mm, MPN: TK56A12N1,S4X(S

EUR 0.76

1

Toshiba MOSFET canal N,, SOT-23F 6 A 30 V, 3 broches

Toshiba MOSFET canal N,, SOT-23F 6 A 30 V, 3 broches, Type de montage: CMS, Résistance Drain Source maximum: 56 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 2.5V, Tension de seuil minimale de la grille: 1.3V, Dissipation de puissance maximum: 2 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: ±20 V, Tension directe de la diode: 1.2V, MPN: SSM3K335R

EUR 0.08

1

Toshiba MOSFET canal N,, SOT-23F 6 A 30 V, 3 broches

Toshiba MOSFET canal N,, SOT-23F 6 A 30 V, 3 broches, Type de montage: CMS, Résistance Drain Source maximum: 56 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 2.5V, Tension de seuil minimale de la grille: 1.3V, Dissipation de puissance maximum: 2 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: ±20 V, Longueur: 2.9mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: SSM3K335R

EUR 0.10

1

Toshiba MOSFET canal N,, SOT-23F 6 A 30 V, 3 broches

Toshiba MOSFET canal N,, SOT-23F 6 A 30 V, 3 broches, Type de montage: CMS, Résistance Drain Source maximum: 56 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 2.5V, Tension de seuil minimale de la grille: 1.3V, Dissipation de puissance maximum: 2 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: ±20 V, Longueur: 2.9mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: SSM3K335R,LF(B

EUR 0.13

1

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Prix (EUR)

Toshiba MOSFET canal N,, TO-220SIS 56 A 120 V, 3 broches

Toshiba MOSFET canal N,, TO-220SIS 56 A 120 V, 3 broches

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Toshiba MOSFET canal N,, SOT-23F 6 A 30 V, 3 broches

Toshiba MOSFET canal N,, SOT-23F 6 A 30 V, 3 broches

Toshiba MOSFET canal N,, SOT-23F 6 A 30 V, 3 broches

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