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Toshiba MOSFET canal N,, US6 300 mA 60 V, 6 broches

Toshiba MOSFET canal N,, US6 300 mA 60 V, 6 broches, MPN: SSM6N7002KFU,LF(T

EUR 0.05

1

Toshiba Transistor, PNP Simple, 100 mA, 300 V, SOT-346 (SC-59), 3 broches

Toshiba Transistor, PNP Simple, 100 mA, 300 V, SOT-346 (SC-59), 3 broches, Type de montage: CMS, Dissipation de puissance maximum: 150 mW, Tension Collecteur Base maximum: -300 V, Tension Emetteur Base maximum: -5 V, Dimensions: 2.9 x 1.5 x 1.1mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum: -0,5 V, MPN: 2SA1721-O(TE85L,F)

EUR 0.20

1

Toshiba MOSFET canal N,, US6 300 mA 60 V, 6 broches

Toshiba MOSFET canal N,, US6 300 mA 60 V, 6 broches, Type de montage: CMS, Résistance Drain Source maximum: 1,2 e + 006 Ω, Tension de seuil maximale de la grille: 2.1V, Matériau du transistor: Silicium, MPN: SSM6N7002KFU,LF(T

EUR 0.05

1

Toshiba MOSFET canal N,, US6 300 mA 60 V, 6 broches

Toshiba MOSFET canal N,, US6 300 mA 60 V, 6 broches, Type de montage: CMS, Résistance Drain Source maximum: 1,2 e + 006 Ω, Tension de seuil maximale de la grille: 2.1V, Matériau du transistor: Silicium, MPN: SSM6N7002KFU,LF(T

EUR 0.04

1

Toshiba MOSFET canal N,, DSOP 300 A 30 V, 8 broches

Toshiba MOSFET canal N,, DSOP 300 A 30 V, 8 broches, Type de montage: CMS, Résistance Drain Source maximum: 1,3 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 2.3V, Tension de seuil minimale de la grille: 1.3V, Dissipation de puissance maximum: 142 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: ±20 V, Tension directe de la diode: 1.2V, MPN: TPWR8503NL

EUR 1.07

1

Toshiba MOSFET canal N,, DSOP 300 A 30 V, 8 broches

Toshiba MOSFET canal N,, DSOP 300 A 30 V, 8 broches, Type de montage: CMS, Résistance Drain Source maximum: 1,3 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 2.3V, Tension de seuil minimale de la grille: 1.3V, Dissipation de puissance maximum: 142 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: ±20 V, Longueur: 5mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: TPWR8503NL

EUR 1.07

1

Toshiba MOSFET canal N,, SOT-363 300 mA 60 V, 6 broches

Toshiba MOSFET canal N,, SOT-363 300 mA 60 V, 6 broches, Type de montage: CMS, Résistance Drain Source maximum: 1,75 Ω, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 2.1V, Tension de seuil minimale de la grille: 1.1V, Dissipation de puissance maximum: 500 mW, Tension Grille Source maximum: ±20 V, Standard automobile: AEC-Q101, MPN: SSM6N7002KFU

EUR 0.04

1

Toshiba MOSFET canal N,, SOT-363 300 mA 60 V, 6 broches

Toshiba MOSFET canal N,, SOT-363 300 mA 60 V, 6 broches, Type de montage: CMS, Résistance Drain Source maximum: 1,75 Ω, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 2.1V, Tension de seuil minimale de la grille: 1.1V, Dissipation de puissance maximum: 500 mW, Tension Grille Source maximum: ±20 V, Longueur: 2mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: SSM6N7002KFU

EUR 0.06

1

Toshiba MOSFET canal N,, SOT-363 300 mA 60 V, 6 broches

Toshiba MOSFET canal N,, SOT-363 300 mA 60 V, 6 broches, Type de montage: CMS, Résistance Drain Source maximum: 1,75 Ω, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 2.1V, Tension de seuil minimale de la grille: 1.1V, Dissipation de puissance maximum: 500 mW, Tension Grille Source maximum: ±20 V, Longueur: 2mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: SSM6N7002KFU

EUR 0.05

1

Toshiba Transistor, NPN Simple, 300 mA, 20 V, SOT-323 (SC-70), 3 broches

Toshiba Transistor, NPN Simple, 300 mA, 20 V, SOT-323 (SC-70), 3 broches, Type de montage: CMS, Dissipation de puissance maximum: 100 mW, Tension Collecteur Base maximum: 50 V, Tension Emetteur Base maximum: 25 V, Dimensions: 2 x 1.25 x 0.9mm, Température d'utilisation maximum: +125 °C, MPN: 2SC4213-A(TE85L,F)

EUR 0.30

1

Toshiba Transistor, NPN Simple, 300 mA, 20 V, SOT-346 (SC-59), 3 broches

Toshiba Transistor, NPN Simple, 300 mA, 20 V, SOT-346 (SC-59), 3 broches, Type de montage: CMS, Dissipation de puissance maximum: 150 mW, Tension Collecteur Base maximum: 50 V, Tension Emetteur Base maximum: 25 V, Dimensions: 2.9 x 1.5 x 1.1mm, Température d'utilisation maximum: +125 °C, MPN: 2SC3326-A(TE85L,F)

EUR 0.28

1

Toshiba Transistor, NPN Simple, 300 mA, 20 V, SOT-346 (SC-59), 3 broches

Toshiba Transistor, NPN Simple, 300 mA, 20 V, SOT-346 (SC-59), 3 broches, Type de montage: CMS, Dissipation de puissance maximum: 150 mW, Tension Collecteur Base maximum: 50 V, Tension Emetteur Base maximum: 25 V, Fréquence de fonctionnement maximum: 30 MHz, Dimensions: 1.1 x 2.9 x 1.5mm, Température d'utilisation maximum: +125 °C, MPN: 2SC3326-B(F)

EUR 0.11

1

Toshiba Optocoupleur Montage en surface,, Sortie Transistor

Toshiba Optocoupleur Montage en surface,, Sortie Transistor, Tension directe maximum: 1.4V, Type de boîtier: SOIC, Type de courant d'entrée: c.c., Temps de croissance: 2µs, Courant d'entrée maximum: 50 mA, Tension d'isolement: 3750 Vrms, Taux de transfert de courant maximum: 300%, Temps de chute: 3µs, MPN: TLP293(GR

EUR 0.26

1

Toshiba Optocoupleur Montage en surface,, Sortie Transistor

Toshiba Optocoupleur Montage en surface,, Sortie Transistor, Tension directe maximum: 1.4V, Type de boîtier: SOIC, Type de courant d'entrée: c.c., Temps de croissance: 5µs, Courant d'entrée maximum: 10 mA, Tension d'isolement: 3,75 kVrms, Taux de transfert de courant maximum: 300%, Temps de chute: 9µs, MPN: TLP185(GR

EUR 0.16

1

Toshiba Optocoupleur Montage en surface,, Sortie Transistor

Toshiba Optocoupleur Montage en surface,, Sortie Transistor, Tension directe maximum: 1.4V, Type de boîtier: SOIC, Type de courant d'entrée: c.c., Temps de croissance: 2µs, Courant d'entrée maximum: 50 mA, Tension d'isolement: 3750 Vrms, Taux de transfert de courant maximum: 300%, Temps de chute: 3µs, MPN: TLP293(GR

EUR 0.26

1

Toshiba Optocoupleur Montage en surface,, Sortie Transistor

Toshiba Optocoupleur Montage en surface,, Sortie Transistor, Tension directe maximum: 1.4V, Type de boîtier: SOIC, Type de courant d'entrée: c.c., Temps de croissance: 5µs, Courant d'entrée maximum: 10 mA, Tension d'isolement: 3750 Vrms, Taux de transfert de courant maximum: 300%, Temps de chute: 9µs, MPN: TLP185(GR

EUR 0.21

1

Toshiba Optocoupleur Montage en surface,, Sortie Transistor

Toshiba Optocoupleur Montage en surface,, Sortie Transistor, Tension directe maximum: 1.4V, Type de boîtier: SOIC, Type de courant d'entrée: c.c., Temps de croissance: 4µs, Courant d'entrée maximum: 50 mA, Tension d'isolement: 3,75 kVrms, Taux de transfert de courant maximum: 300%, Temps de chute: 7µs, MPN: TLP291(GR

EUR 0.15

1

Toshiba Optocoupleur Montage en surface,, Sortie Transistor

Toshiba Optocoupleur Montage en surface,, Sortie Transistor, Tension directe maximum: 1.4V, Type de boîtier: SOIC, Type de courant d'entrée: c.c., Temps de croissance: 4µs, Courant d'entrée maximum: 50 mA, Tension d'isolement: 3,75 kVrms, Taux de transfert de courant maximum: 300%, Temps de chute: 7µs, MPN: TLP291(GR

EUR 0.14

1

Toshiba Optocoupleur Montage en surface,, Sortie Transistor

Toshiba Optocoupleur Montage en surface,, Sortie Transistor, Tension directe maximum: 1.4V, Type de boîtier: SOIC, Type de courant d'entrée: c.c., Temps de croissance: 5µs, Courant d'entrée maximum: 10 mA, Tension d'isolement: 3750 Vrms, Taux de transfert de courant maximum: 300%, Temps de chute: 9µs, MPN: TLP185(GR

EUR 0.09

1

Toshiba Optocoupleur Montage en surface,, Sortie Transistor

Toshiba Optocoupleur Montage en surface,, Sortie Transistor, Tension directe maximum: 1.4V, Type de boîtier: SOIC, Type de courant d'entrée: c.c., Temps de croissance: 4µs, Courant d'entrée maximum: 50 mA, Tension d'isolement: 3,75 kVrms, Taux de transfert de courant maximum: 300%, Temps de chute: 7µs, MPN: TLP291(GR

EUR 0.15

1

Toshiba Optocoupleur Montage en surface,, Sortie Transistor

Toshiba Optocoupleur Montage en surface,, Sortie Transistor, Tension directe maximum: 1.4V, Type de boîtier: SOIC, Type de courant d'entrée: c.c., Temps de croissance: 2µs, Courant d'entrée maximum: 50 mA, Tension d'isolement: 3,75 kVrms, Taux de transfert de courant maximum: 300%, Temps de chute: 3µs, MPN: TLP293(GR

EUR 0.20

1

Toshiba Optocoupleur Montage en surface,, Sortie Transistor 100 %

Toshiba Optocoupleur Montage en surface,, Sortie Transistor 100 %, Tension directe maximum: 1.4V, Type de boîtier: SOIC, Type de courant d'entrée: c.c., Temps de croissance: 5µs, Courant d'entrée maximum: 50 mA, Tension d'isolement: 3,75 kVrms, Taux de transfert de courant maximum: 300%, Temps de chute: 9µs, MPN: TLP185(GR,E(O

EUR 0.18

1

Toshiba Optocoupleur Montage en surface,, Sortie Transistor 100 %

Toshiba Optocoupleur Montage en surface,, Sortie Transistor 100 %, Tension directe maximum: 1.4V, Type de boîtier: SOIC, Type de courant d'entrée: c.c., Temps de croissance: 5µs, Courant d'entrée maximum: 50 mA, Tension d'isolement: 3,75 kVrms, Taux de transfert de courant maximum: 300%, Temps de chute: 9µs, MPN: TLP185(GR,E(O

EUR 0.42

1

Toshiba Optocoupleur Montage en surface,, Sortie Transistor 100 %

Toshiba Optocoupleur Montage en surface,, Sortie Transistor 100 %, Tension directe maximum: 1.4V, Type de boîtier: SOIC, Type de courant d'entrée: c.c., Temps de croissance: 5µs, Courant d'entrée maximum: 50 mA, Tension d'isolement: 3,75 kVrms, Taux de transfert de courant maximum: 300%, Temps de chute: 9µs, MPN: TLP185(GR,E(O

EUR 0.16

1

Toshiba Optocoupleur Montage en surface,, Sortie Transistor

Toshiba Optocoupleur Montage en surface,, Sortie Transistor, Tension directe maximum: 1.3V, Nombre de broches: 4, Type de boîtier: DIP, Type de courant d'entrée: c.c., Temps de croissance: 2µs, Courant d'entrée maximum: 10 mA, Tension d'isolement: 5 kVrms, Taux de transfert de courant maximum: 300%, Temps de chute: 3µs, MPN: TLP785F(GR-LF7,F(C

EUR 0.15

1

Marque

Genre

Marchand

Prix (EUR)

Toshiba MOSFET canal N,, US6 300 mA 60 V, 6 broches

Toshiba Transistor, PNP Simple, 100 mA, 300 V, SOT-346 (SC-59), 3 broches

Toshiba MOSFET canal N,, US6 300 mA 60 V, 6 broches

Toshiba MOSFET canal N,, US6 300 mA 60 V, 6 broches

Toshiba MOSFET canal N,, DSOP 300 A 30 V, 8 broches

Toshiba MOSFET canal N,, DSOP 300 A 30 V, 8 broches

Toshiba MOSFET canal N,, SOT-363 300 mA 60 V, 6 broches

Toshiba MOSFET canal N,, SOT-363 300 mA 60 V, 6 broches

Toshiba MOSFET canal N,, SOT-363 300 mA 60 V, 6 broches

Toshiba Transistor, NPN Simple, 300 mA, 20 V, SOT-323 (SC-70), 3 broches

Toshiba Transistor, NPN Simple, 300 mA, 20 V, SOT-346 (SC-59), 3 broches

Toshiba Transistor, NPN Simple, 300 mA, 20 V, SOT-346 (SC-59), 3 broches

Toshiba Optocoupleur Montage en surface,, Sortie Transistor

Toshiba Optocoupleur Montage en surface,, Sortie Transistor

Toshiba Optocoupleur Montage en surface,, Sortie Transistor

Toshiba Optocoupleur Montage en surface,, Sortie Transistor

Toshiba Optocoupleur Montage en surface,, Sortie Transistor

Toshiba Optocoupleur Montage en surface,, Sortie Transistor

Toshiba Optocoupleur Montage en surface,, Sortie Transistor

Toshiba Optocoupleur Montage en surface,, Sortie Transistor

Toshiba Optocoupleur Montage en surface,, Sortie Transistor

Toshiba Optocoupleur Montage en surface,, Sortie Transistor 100 %

Toshiba Optocoupleur Montage en surface,, Sortie Transistor 100 %

Toshiba Optocoupleur Montage en surface,, Sortie Transistor 100 %

Toshiba Optocoupleur Montage en surface,, Sortie Transistor

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