Toshiba MOSFET, canale N, 8,4 mΩ, 80 A, TO-220, Su foro Toshiba MOSFET, canale N, 8,4 mΩ, 80 A, TO-220, Su foro, Tensione massima drain source: 80 V, Numero pin: 3, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 4V, Dissipazione di potenza massima: 103 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -20 V, +20 V, Lunghezza: 10.16mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, MPN: TK46E08N1 EUR 1.45 1
Toshiba MOSFET, canale N, 8,4 mΩ, 80 A, TO-220, Su foro Toshiba MOSFET, canale N, 8,4 mΩ, 80 A, TO-220, Su foro, Tensione massima drain source: 80 V, Numero pin: 3, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 4V, Dissipazione di potenza massima: 103 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -20 V, +20 V, Lunghezza: 10.16mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, MPN: TK46E08N1 EUR 0.85 1
