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Toshiba MOSFET, canale N, 0,09 Ω, 30 A, DFN8x8

Toshiba MOSFET, canale N, 0,09 Ω, 30 A, DFN8x8, Tensione massima drain source: 650 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 4V, Numero di elementi per chip: 1, Materiale del transistor: Silicone, Serie: TK099V65Z, MPN: TK099V65Z,LQ(S

EUR 2.95

1

Toshiba MOSFET, canale N, 0,09 Ω, 30 A, DFN8x8

Toshiba MOSFET, canale N, 0,09 Ω, 30 A, DFN8x8, Tensione massima drain source: 650 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 4V, Numero di elementi per chip: 1, Materiale del transistor: Silicone, Serie: TK099V65Z, MPN: TK099V65Z,LQ(S

EUR 8.67

1

Toshiba MOSFET, canale N, 0,09 Ω, 30 A, TO-220SIS

Toshiba MOSFET, canale N, 0,09 Ω, 30 A, TO-220SIS, Tensione massima drain source: 650 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 4V, Numero di elementi per chip: 1, Materiale del transistor: Silicone, Serie: TK090A65Z, MPN: TK090A65Z,S4X(S

EUR 5.08

1

Toshiba MOSFET, canale N, 0,09 Ω, 30 A, TO-247

Toshiba MOSFET, canale N, 0,09 Ω, 30 A, TO-247, Tensione massima drain source: 650 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 4V, Numero di elementi per chip: 1, Materiale del transistor: Silicone, Serie: TK090N65Z, MPN: TK090N65Z,S1F(S

EUR 10.53

1

Toshiba MOSFET, canale N, 0,09 Ω, 30 A, TO-247

Toshiba MOSFET, canale N, 0,09 Ω, 30 A, TO-247, Tensione massima drain source: 650 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 4V, Numero di elementi per chip: 1, Materiale del transistor: Silicone, Serie: TK090N65Z, MPN: TK090N65Z,S1F(S

EUR 6.25

1

Toshiba MOSFET, canale N, 0,09 Ω, 30 A, TO-220SIS

Toshiba MOSFET, canale N, 0,09 Ω, 30 A, TO-220SIS, Tensione massima drain source: 650 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 4V, Numero di elementi per chip: 1, Materiale del transistor: Silicone, Serie: TK090A65Z, MPN: TK090A65Z,S4X(S

EUR 8.54

1

Toshiba MOSFET, canale N, 0,09 Ω, 30 A, TO-247-4L(T

Toshiba MOSFET, canale N, 0,09 Ω, 30 A, TO-247-4L(T, Tensione massima drain source: 650 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 4V, Numero di elementi per chip: 1, Materiale del transistor: Silicone, Serie: TK090Z65Z, MPN: TK090Z65Z,S1F(O

EUR 18.44

1

Toshiba MOSFET, canale N, 0,09 Ω, 30 A, TO-247-4L(T

Toshiba MOSFET, canale N, 0,09 Ω, 30 A, TO-247-4L(T, Tensione massima drain source: 650 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 4V, Numero di elementi per chip: 1, Materiale del transistor: Silicone, Serie: TK090Z65Z, MPN: TK090Z65Z,S1F(O

EUR 10.97

1

Toshiba MOSFET, canale N, 55 mΩ, 49 A, TO-247, Su foro

Toshiba MOSFET, canale N, 55 mΩ, 49 A, TO-247, Su foro, Tensione massima drain source: 650 V, Numero pin: 3, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 3.5V, Dissipazione di potenza massima: 400 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -30 V, +30 V, Lunghezza: 15.94mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, MPN: TK49N65W,S1F(S

EUR 10.68

1

Toshiba MOSFET, canale N, 55 mΩ, 49 A, TO-247, Su foro

Toshiba MOSFET, canale N, 55 mΩ, 49 A, TO-247, Su foro, Tensione massima drain source: 650 V, Numero pin: 3, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 3.5V, Dissipazione di potenza massima: 400 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -30 V, +30 V, Lunghezza: 15.94mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, MPN: TK49N65W,S1F(S

EUR 12.39

1

Toshiba MOSFET, canale N, 55 mΩ, 49 A, TO-247, Su foro

Toshiba MOSFET, canale N, 55 mΩ, 49 A, TO-247, Su foro, Tensione massima drain source: 650 V, Numero pin: 3, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 3.5V, Dissipazione di potenza massima: 400 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -30 V, +30 V, Numero di elementi per chip: 1, Altezza: 20.95mm, Lunghezza: 15.94mm, MPN: TK49N65W,S1F(S

EUR 12.04

1

Marque

Genre

Marchand

Prix (EUR)

Toshiba MOSFET, canale N, 0,09 Ω, 30 A, DFN8x8

Toshiba MOSFET, canale N, 0,09 Ω, 30 A, DFN8x8

Toshiba MOSFET, canale N, 0,09 Ω, 30 A, TO-220SIS

Toshiba MOSFET, canale N, 0,09 Ω, 30 A, TO-247

Toshiba MOSFET, canale N, 0,09 Ω, 30 A, TO-247

Toshiba MOSFET, canale N, 0,09 Ω, 30 A, TO-220SIS

Toshiba MOSFET, canale N, 0,09 Ω, 30 A, TO-247-4L(T

Toshiba MOSFET, canale N, 0,09 Ω, 30 A, TO-247-4L(T

Toshiba MOSFET, canale N, 55 mΩ, 49 A, TO-247, Su foro

Toshiba MOSFET, canale N, 55 mΩ, 49 A, TO-247, Su foro

Toshiba MOSFET, canale N, 55 mΩ, 49 A, TO-247, Su foro

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