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Toshiba MOSFET, canale N, 390 mΩ, 2 A, SOT-23F, Montaggio superficiale

Toshiba MOSFET, canale N, 390 mΩ, 2 A, SOT-23F, Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 40 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 1.2V, Dissipazione di potenza massima: 2 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: ±12 V, Altezza: 0.7mm, MPN: SSM3K339R

EUR 0.15

1

Toshiba IGBT, VCE 600 V, IC 30 A, canale N, TO-3P

Toshiba IGBT, VCE 600 V, IC 30 A, canale N, TO-3P, Tensione massima gate emitter: ±20V, Dissipazione di potenza massima: 170 W, Tipo di montaggio: Su foro, Velocità di switching: 1MHz, Configurazione transistor: Singolo, Dimensioni: 15.9 x 4.8 x 20mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, MPN: GT30J121

EUR 1.85

1

Toshiba IGBT, VCE 600 V, IC 15 A, canale N, TO-220SIS

Toshiba IGBT, VCE 600 V, IC 15 A, canale N, TO-220SIS, Tensione massima gate emitter: ±25V, Dissipazione di potenza massima: 30 W, Tipo di montaggio: Su foro, Velocità di switching: 100kHz, Configurazione transistor: Singolo, Dimensioni: 10 x 4.5 x 15mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, MPN: GT15J341

EUR 1.34

1

Toshiba IGBT, VCE 600 V, IC 50 A, canale N, TO-3P

Toshiba IGBT, VCE 600 V, IC 50 A, canale N, TO-3P, Tensione massima gate emitter: ±25V, Dissipazione di potenza massima: 230 W, Tipo di montaggio: Su foro, Velocità di switching: 1MHz, Configurazione transistor: Singolo, Dimensioni: 15.5 x 4.5 x 20mm, Massima temperatura operativa: +175 °C, MPN: GT50JR21

EUR 3.85

1

Toshiba IGBT, VCE 600 V, IC 50 A, canale N, TO-3P

Toshiba IGBT, VCE 600 V, IC 50 A, canale N, TO-3P, Tensione massima gate emitter: ±25V, Dissipazione di potenza massima: 230 W, Tipo di montaggio: Su foro, Velocità di switching: 1MHz, Configurazione transistor: Singolo, Dimensioni: 15.5 x 4.5 x 20mm, Massima temperatura operativa: +175 °C, MPN: GT50JR22

EUR 4.55

1

Toshiba IGBT, VCE 600 V, IC 50 A, canale N, TO-3P

Toshiba IGBT, VCE 600 V, IC 50 A, canale N, TO-3P, Tensione massima gate emitter: ±25V, Dissipazione di potenza massima: 230 W, Tipo di montaggio: Su foro, Velocità di switching: 1MHz, Configurazione transistor: Singolo, Dimensioni: 15.5 x 4.5 x 20mm, Massima temperatura operativa: +175 °C, MPN: GT50JR21

EUR 2.66

1

Toshiba IGBT, VCE 600 V, IC 15 A, canale N, TO-220SIS

Toshiba IGBT, VCE 600 V, IC 15 A, canale N, TO-220SIS, Tensione massima gate emitter: ±25V, Dissipazione di potenza massima: 30 W, Tipo di montaggio: Su foro, Velocità di switching: 100kHz, Configurazione transistor: Singolo, Dimensioni: 10 x 4.5 x 15mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, MPN: GT15J341

EUR 0.91

1

Toshiba IGBT, VCE 600 V, IC 50 A, canale N, TO-3P

Toshiba IGBT, VCE 600 V, IC 50 A, canale N, TO-3P, Tensione massima gate emitter: ±25V, Dissipazione di potenza massima: 230 W, Tipo di montaggio: Su foro, Velocità di switching: 1MHz, Configurazione transistor: Singolo, Dimensioni: 15.5 x 4.5 x 20mm, Massima temperatura operativa: +175 °C, MPN: GT50JR22

EUR 2.66

1

Toshiba MOSFET, canale N, 8,8 mΩ, 59 A, SOP Advanced, Montaggio superficiale

Toshiba MOSFET, canale N, 8,8 mΩ, 59 A, SOP Advanced, Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 100 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 4V, Dissipazione di potenza massima: 61 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -20 V, +20 V, Altezza: 0.95mm, MPN: TPH8R80ANH

EUR 1.33

1

Toshiba IGBT, VCE 600 V, IC 30 A, canale N, TO-3P

Toshiba IGBT, VCE 600 V, IC 30 A, canale N, TO-3P, Tensione massima gate emitter: ±20V, Dissipazione di potenza massima: 170 W, Tipo di montaggio: Su foro, Velocità di switching: 1MHz, Configurazione transistor: Singolo, Dimensioni: 15.9 x 4.8 x 20mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, MPN: GT30J121

EUR 2.79

1

Toshiba MOSFET, canale N, 3,2 mΩ, 214 A, TO-220, Su foro

Toshiba MOSFET, canale N, 3,2 mΩ, 214 A, TO-220, Su foro, Tensione massima drain source: 80 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 4V, Dissipazione di potenza massima: 255 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -20 V, +20 V, Altezza: 15.1mm, Lunghezza: 10.16mm, MPN: TK100E08N1

EUR 1.24

1

Toshiba MOSFET, canale N, 1,75 Ω, 400 mA, SOT-23, Montaggio superficiale

Toshiba MOSFET, canale N, 1,75 Ω, 400 mA, SOT-23, Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 60 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 2.1V, Tensione di soglia gate minima: 1.1V, Dissipazione di potenza massima: 1 W, Tensione massima gate source: ±20 V, Altezza: 0.9mm, MPN: T2N7002BK

EUR 0.06

1

Toshiba MOSFET, canale N, 1 Ω, 10 A, TO-3PN, Su foro

Toshiba MOSFET, canale N, 1 Ω, 10 A, TO-3PN, Su foro, Tensione massima drain source: 800 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 4V, Dissipazione di potenza massima: 250 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -30 V, +30 V, Altezza: 20mm, Lunghezza: 15.5mm, MPN: TK10J80E

EUR 1.87

1

Toshiba MOSFET, canale N, 4,3 mΩ, 157 A, TO-220, Su foro

Toshiba MOSFET, canale N, 4,3 mΩ, 157 A, TO-220, Su foro, Tensione massima drain source: 80 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 4V, Dissipazione di potenza massima: 192 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -20 V, +20 V, Altezza: 15.1mm, Lunghezza: 10.16mm, MPN: TK72E08N1

EUR 0.89

1

Toshiba IGBT, VCE 600 V, IC 20 A, canale N, TO-220SIS

Toshiba IGBT, VCE 600 V, IC 20 A, canale N, TO-220SIS, Tensione massima gate emitter: ±25V, Dissipazione di potenza massima: 45 W, Tipo di montaggio: Su foro, Numero pin: 3, Velocità di switching: 100kHz, Configurazione transistor: Singolo, Dimensioni: 10 x 4.5 x 15mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, MPN: GT20J341

EUR 1.03

1

Toshiba MOSFET, canale N, 1,3 Ω, 9 A, TO-3PN, Su foro

Toshiba MOSFET, canale N, 1,3 Ω, 9 A, TO-3PN, Su foro, Tensione massima drain source: 900 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 4V, Dissipazione di potenza massima: 250 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -30 V, +30 V, Altezza: 20mm, Lunghezza: 15.5mm, MPN: TK9J90E

EUR 1.51

1

Toshiba IGBT, VCE 600 V, IC 20 A, canale N, TO-220SIS

Toshiba IGBT, VCE 600 V, IC 20 A, canale N, TO-220SIS, Tensione massima gate emitter: ±25V, Dissipazione di potenza massima: 45 W, Tipo di montaggio: Su foro, Numero pin: 3, Velocità di switching: 100kHz, Configurazione transistor: Singolo, Dimensioni: 10 x 4.5 x 15mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, MPN: GT20J341

EUR 1.90

1

Toshiba MOSFET, canale N, 3,4 mΩ, 207 A, TO-220, Su foro

Toshiba MOSFET, canale N, 3,4 mΩ, 207 A, TO-220, Su foro, Tensione massima drain source: 100 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 4V, Dissipazione di potenza massima: 255 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -20 V, +20 V, Altezza: 15.1mm, Lunghezza: 10.16mm, MPN: TK100E10N1

EUR 3.38

1

Toshiba MOSFET, canale N, 1 A, PW Mini, Montaggio superficiale

Toshiba MOSFET, canale N, 1 A, PW Mini, Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 30 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 2.4V, Dissipazione di potenza massima: 3 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: +25 V, Lunghezza: 4.6mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, MPN: 2SK3074(TE12L,F)

EUR 1.44

1

Toshiba MOSFET, canale N, 1 A, PW Mini, Montaggio superficiale

Toshiba MOSFET, canale N, 1 A, PW Mini, Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 30 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 2.4V, Dissipazione di potenza massima: 3 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: +25 V, Lunghezza: 4.6mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, MPN: 2SK3074(TE12L,F)

EUR 1.54

1

Toshiba MOSFET, canale N, 88 mΩ, 31 A, TO-220, Su foro

Toshiba MOSFET, canale N, 88 mΩ, 31 A, TO-220, Su foro, Tensione massima drain source: 600 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 3.7V, Dissipazione di potenza massima: 230 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -30 V, +30 V, Altezza: 15.1mm, Lunghezza: 10.16mm, MPN: TK31E60W,S1VX(S

EUR 5.91

1

Toshiba MOSFET, canale N, 155 mΩ, 20 A, TO-3PN, Su foro

Toshiba MOSFET, canale N, 155 mΩ, 20 A, TO-3PN, Su foro, Tensione massima drain source: 600 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 3.7V, Dissipazione di potenza massima: 165 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -30 V, +30 V, Altezza: 20mm, Lunghezza: 15.5mm, MPN: TK20J60W,S1VQ(O

EUR 2.81

1

Toshiba MOSFET, canale N, 390 mΩ, 2 A, SOT-23F, Montaggio superficiale

Toshiba MOSFET, canale N, 390 mΩ, 2 A, SOT-23F, Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 40 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 1.2V, Dissipazione di potenza massima: 2 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: ±12 V, Lunghezza: 2.9mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, MPN: SSM3K339R

EUR 0.18

1

Toshiba MOSFET, canale N, 390 mΩ, 2 A, SOT-23F, Montaggio superficiale

Toshiba MOSFET, canale N, 390 mΩ, 2 A, SOT-23F, Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 40 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 1.2V, Dissipazione di potenza massima: 2 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: ±12 V, Lunghezza: 2.9mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, MPN: SSM3K339R

EUR 0.10

1

Toshiba MOSFET, canale N, 42 mΩ, 6 A, SOT-23F, Montaggio superficiale

Toshiba MOSFET, canale N, 42 mΩ, 6 A, SOT-23F, Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 30 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 2.5V, Tensione di soglia gate minima: 1.3V, Dissipazione di potenza massima: 2 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: ±20 V, Altezza: 0.8mm, MPN: SSM3K333R

EUR 0.13

1

Marque

Genre

Marchand

Prix (EUR)

Toshiba MOSFET, canale N, 390 mΩ, 2 A, SOT-23F, Montaggio superficiale

Toshiba IGBT, VCE 600 V, IC 30 A, canale N, TO-3P

Toshiba IGBT, VCE 600 V, IC 15 A, canale N, TO-220SIS

Toshiba IGBT, VCE 600 V, IC 50 A, canale N, TO-3P

Toshiba IGBT, VCE 600 V, IC 50 A, canale N, TO-3P

Toshiba IGBT, VCE 600 V, IC 50 A, canale N, TO-3P

Toshiba IGBT, VCE 600 V, IC 15 A, canale N, TO-220SIS

Toshiba IGBT, VCE 600 V, IC 50 A, canale N, TO-3P

Toshiba MOSFET, canale N, 8,8 mΩ, 59 A, SOP Advanced, Montaggio superficiale

Toshiba IGBT, VCE 600 V, IC 30 A, canale N, TO-3P

Toshiba MOSFET, canale N, 3,2 mΩ, 214 A, TO-220, Su foro

Toshiba MOSFET, canale N, 1,75 Ω, 400 mA, SOT-23, Montaggio superficiale

Toshiba MOSFET, canale N, 1 Ω, 10 A, TO-3PN, Su foro

Toshiba MOSFET, canale N, 4,3 mΩ, 157 A, TO-220, Su foro

Toshiba IGBT, VCE 600 V, IC 20 A, canale N, TO-220SIS

Toshiba MOSFET, canale N, 1,3 Ω, 9 A, TO-3PN, Su foro

Toshiba IGBT, VCE 600 V, IC 20 A, canale N, TO-220SIS

Toshiba MOSFET, canale N, 3,4 mΩ, 207 A, TO-220, Su foro

Toshiba MOSFET, canale N, 1 A, PW Mini, Montaggio superficiale

Toshiba MOSFET, canale N, 1 A, PW Mini, Montaggio superficiale

Toshiba MOSFET, canale N, 88 mΩ, 31 A, TO-220, Su foro

Toshiba MOSFET, canale N, 155 mΩ, 20 A, TO-3PN, Su foro

Toshiba MOSFET, canale N, 390 mΩ, 2 A, SOT-23F, Montaggio superficiale

Toshiba MOSFET, canale N, 390 mΩ, 2 A, SOT-23F, Montaggio superficiale

Toshiba MOSFET, canale N, 42 mΩ, 6 A, SOT-23F, Montaggio superficiale

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