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Toshiba MOSFET, canale N, 1,2 e+006 Ω, 300 mA, US6, Montaggio superficiale

Toshiba MOSFET, canale N, 1,2 e+006 Ω, 300 mA, US6, Montaggio superficiale, MPN: SSM6N7002KFU,LF(T

EUR 0.05

1

Toshiba MOSFET, canale N, 1,2 e+006 Ω, 300 mA, US6, Montaggio superficiale

Toshiba MOSFET, canale N, 1,2 e+006 Ω, 300 mA, US6, Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 60 V, Tensione di soglia gate massima: 2.1V, Materiale del transistor: Silicone, MPN: SSM6N7002KFU,LF(T

EUR 0.04

1

Toshiba MOSFET, canale N, 1,2 e+006 Ω, 300 mA, US6, Montaggio superficiale

Toshiba MOSFET, canale N, 1,2 e+006 Ω, 300 mA, US6, Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 60 V, Tensione di soglia gate massima: 2.1V, Materiale del transistor: Silicone, MPN: SSM6N7002KFU,LF(T

EUR 0.05

1

Toshiba MOSFET, canale N, 1,3 mΩ, 300 A, DSOP, Montaggio superficiale

Toshiba MOSFET, canale N, 1,3 mΩ, 300 A, DSOP, Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 30 V, Numero pin: 8, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 2.3V, Tensione di soglia gate minima: 1.3V, Dissipazione di potenza massima: 142 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: ±20 V, Tensione diretta del diodo: 1.2V, MPN: TPWR8503NL

EUR 1.07

1

Toshiba MOSFET, canale N, 300 mΩ, 11,5 A, TO-220, Su foro

Toshiba MOSFET, canale N, 300 mΩ, 11,5 A, TO-220, Su foro, Tensione massima drain source: 600 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 3.7V, Dissipazione di potenza massima: 110 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -30 V, +30 V, Altezza: 15.1mm, Lunghezza: 10.16mm, MPN: TK12E60W,S1VX(S

EUR 1.05

1

Toshiba MOSFET, canale N, 1,75 Ω, 300 mA, SOT-363, Montaggio superficiale

Toshiba MOSFET, canale N, 1,75 Ω, 300 mA, SOT-363, Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 60 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 2.1V, Tensione di soglia gate minima: 1.1V, Dissipazione di potenza massima: 500 mW, Tensione massima gate source: ±20 V, Lunghezza: 2mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, MPN: SSM6N7002KFU

EUR 0.06

1

Toshiba MOSFET, canale N, 1,75 Ω, 300 mA, SOT-363, Montaggio superficiale

Toshiba MOSFET, canale N, 1,75 Ω, 300 mA, SOT-363, Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 60 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 2.1V, Tensione di soglia gate minima: 1.1V, Dissipazione di potenza massima: 500 mW, Tensione massima gate source: ±20 V, Lunghezza: 2mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, MPN: SSM6N7002KFU

EUR 0.10

1

Toshiba MOSFET, canale N, 1,75 Ω, 300 mA, SOT-363, Montaggio superficiale

Toshiba MOSFET, canale N, 1,75 Ω, 300 mA, SOT-363, Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 60 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 2.1V, Tensione di soglia gate minima: 1.1V, Dissipazione di potenza massima: 500 mW, Tensione massima gate source: ±20 V, Standard per uso automobilistico: AEC-Q101, MPN: SSM6N7002KFU

EUR 0.08

1

Toshiba MOSFET, canale N, 1,3 mΩ, 300 A, DSOP, Montaggio superficiale

Toshiba MOSFET, canale N, 1,3 mΩ, 300 A, DSOP, Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 30 V, Numero pin: 8, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 2.3V, Tensione di soglia gate minima: 1.3V, Dissipazione di potenza massima: 142 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: ±20 V, Lunghezza: 5mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, MPN: TPWR8503NL

EUR 1.07

1

Toshiba MOSFET, canale N, 300 mΩ, 11,5 A, TO-220, Su foro

Toshiba MOSFET, canale N, 300 mΩ, 11,5 A, TO-220, Su foro, Tensione massima drain source: 600 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 3.7V, Dissipazione di potenza massima: 110 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -30 V, +30 V, Lunghezza: 10.16mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, MPN: TK12E60W,S1VX(S

EUR 1.01

1

Toshiba MOSFET, canale N, 300 mΩ, 11,5 A, TO-220, Su foro

Toshiba MOSFET, canale N, 300 mΩ, 11,5 A, TO-220, Su foro, Tensione massima drain source: 600 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 3.7V, Dissipazione di potenza massima: 110 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -30 V, +30 V, Lunghezza: 10.16mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, MPN: TK12E60W,S1VX(S

EUR 1.31

1

Toshiba Fotoaccoppiatore, Montaggio superficiale, uscita Transistor, 4 Pin

Toshiba Fotoaccoppiatore, Montaggio superficiale, uscita Transistor, 4 Pin, Corrente massima diretta: 1.4V, Tipo di package: SOIC, Tipo di corrente di ingresso: c.c., Tempo di salita: 2µs, Corrente massima di ingresso: 50 mA, Tensione di isolamento: 3750 Vrms, Rapporto di trasferimento corrente massima: 300%, Tempo di caduta: 3µs, MPN: TLP293(GR

EUR 0.26

1

Toshiba Fotoaccoppiatore, Montaggio superficiale, uscita Transistor, 4 Pin

Toshiba Fotoaccoppiatore, Montaggio superficiale, uscita Transistor, 4 Pin, Corrente massima diretta: 1.4V, Tipo di package: SOIC, Tipo di corrente di ingresso: c.c., Tempo di salita: 5µs, Corrente massima di ingresso: 10 mA, Tensione di isolamento: 3750 Vrms, Rapporto di trasferimento corrente massima: 300%, Tempo di caduta: 9µs, MPN: TLP185(GR

EUR 0.09

1

Toshiba Fotoaccoppiatore, Montaggio superficiale, uscita Transistor, 4 Pin

Toshiba Fotoaccoppiatore, Montaggio superficiale, uscita Transistor, 4 Pin, Corrente massima diretta: 1.4V, Tipo di package: SOIC, Tipo di corrente di ingresso: c.c., Tempo di salita: 4µs, Corrente massima di ingresso: 50 mA, Tensione di isolamento: 3,75 kVrms, Rapporto di trasferimento corrente massima: 300%, Tempo di caduta: 7µs, MPN: TLP291(GR

EUR 0.14

1

Toshiba Fotoaccoppiatore, Montaggio superficiale, uscita Transistor, 4 Pin

Toshiba Fotoaccoppiatore, Montaggio superficiale, uscita Transistor, 4 Pin, Corrente massima diretta: 1.4V, Tipo di package: SOIC, Tipo di corrente di ingresso: c.c., Tempo di salita: 5µs, Corrente massima di ingresso: 10 mA, Tensione di isolamento: 3,75 kVrms, Rapporto di trasferimento corrente massima: 300%, Tempo di caduta: 9µs, MPN: TLP185(GR

EUR 0.16

1

Toshiba Fotoaccoppiatore, Montaggio superficiale, uscita Transistor, 4 Pin

Toshiba Fotoaccoppiatore, Montaggio superficiale, uscita Transistor, 4 Pin, Corrente massima diretta: 1.4V, Tipo di package: SOIC, Tipo di corrente di ingresso: c.c., Tempo di salita: 4µs, Corrente massima di ingresso: 50 mA, Tensione di isolamento: 3,75 kVrms, Rapporto di trasferimento corrente massima: 300%, Tempo di caduta: 7µs, MPN: TLP291(GR

EUR 0.15

1

Toshiba Fotoaccoppiatore, Montaggio superficiale, uscita Transistor, 4 Pin

Toshiba Fotoaccoppiatore, Montaggio superficiale, uscita Transistor, 4 Pin, Corrente massima diretta: 1.4V, Tipo di package: SOIC, Tipo di corrente di ingresso: c.c., Tempo di salita: 5µs, Corrente massima di ingresso: 10 mA, Tensione di isolamento: 3750 Vrms, Rapporto di trasferimento corrente massima: 300%, Tempo di caduta: 9µs, MPN: TLP185(GR

EUR 0.21

1

Toshiba Fotoaccoppiatore, Montaggio superficiale, uscita Transistor, 4 Pin

Toshiba Fotoaccoppiatore, Montaggio superficiale, uscita Transistor, 4 Pin, Corrente massima diretta: 1.4V, Tipo di package: SOIC, Tipo di corrente di ingresso: c.c., Tempo di salita: 4µs, Corrente massima di ingresso: 50 mA, Tensione di isolamento: 3,75 kVrms, Rapporto di trasferimento corrente massima: 300%, Tempo di caduta: 7µs, MPN: TLP291(GR

EUR 0.15

1

Toshiba Fotoaccoppiatore, Montaggio superficiale, uscita Transistor, 4 Pin

Toshiba Fotoaccoppiatore, Montaggio superficiale, uscita Transistor, 4 Pin, Corrente massima diretta: 1.4V, Tipo di package: SOIC, Tipo di corrente di ingresso: c.c., Tempo di salita: 2µs, Corrente massima di ingresso: 50 mA, Tensione di isolamento: 3,75 kVrms, Rapporto di trasferimento corrente massima: 300%, Tempo di caduta: 3µs, MPN: TLP293(GR

EUR 0.20

1

Toshiba Fotoaccoppiatore, Montaggio superficiale, uscita Transistor, 4 Pin

Toshiba Fotoaccoppiatore, Montaggio superficiale, uscita Transistor, 4 Pin, Corrente massima diretta: 1.4V, Tipo di package: SOIC, Tipo di corrente di ingresso: c.c., Tempo di salita: 2µs, Corrente massima di ingresso: 50 mA, Tensione di isolamento: 3750 Vrms, Rapporto di trasferimento corrente massima: 300%, Tempo di caduta: 3µs, MPN: TLP293(GR

EUR 0.26

1

Toshiba Fotoaccoppiatore, Montaggio superficiale, uscita Transistor, 4 Pin

Toshiba Fotoaccoppiatore, Montaggio superficiale, uscita Transistor, 4 Pin, Corrente massima diretta: 1.3V, Tipo di package: DIL, Tipo di corrente di ingresso: c.c., Tempo di salita: 2µs, Corrente massima di ingresso: 10 mA, Tensione di isolamento: 5 kVrms, Rapporto di trasferimento corrente massima: 300%, Tempo di caduta: 3µs, MPN: TLP785F(GR-LF7,F(C

EUR 0.15

1

Toshiba Fotoaccoppiatore, Montaggio superficiale, uscita Transistor, 4 Pin

Toshiba Fotoaccoppiatore, Montaggio superficiale, uscita Transistor, 4 Pin, Corrente massima diretta: 1.3V, Tipo di package: DIL, Tipo di corrente di ingresso: c.c., Tempo di salita: 2µs, Corrente massima di ingresso: 10 mA, Tensione di isolamento: 5000 V rms, Rapporto di trasferimento corrente massima: 300%, Tempo di caduta: 3µs, MPN: TLP785F(GR-LF7,F(C

EUR 0.18

1

Toshiba Fotoaccoppiatore, Montaggio superficiale, uscita Transistor, 4 Pin

Toshiba Fotoaccoppiatore, Montaggio superficiale, uscita Transistor, 4 Pin, Corrente massima diretta: 1.4V, Tipo di package: SOIC, Tipo di corrente di ingresso: c.c., Tempo di salita: 5µs, Corrente massima di ingresso: 50 mA, Tensione di isolamento: 3,75 kVrms, Rapporto di trasferimento corrente massima: 300%, Rapporto trasferimento di corrente minimo: 100 %, Tempo di caduta: 9µs, MPN: TLP185(GR,E(O

EUR 0.18

1

Toshiba Fotoaccoppiatore, Montaggio superficiale, uscita Transistor, 4 Pin

Toshiba Fotoaccoppiatore, Montaggio superficiale, uscita Transistor, 4 Pin, Corrente massima diretta: 1.4V, Tipo di package: SOIC, Tipo di corrente di ingresso: c.c., Tempo di salita: 5µs, Corrente massima di ingresso: 50 mA, Tensione di isolamento: 3,75 kVrms, Rapporto di trasferimento corrente massima: 300%, Rapporto trasferimento di corrente minimo: 100 %, Tempo di caduta: 9µs, MPN: TLP185(GR,E(O

EUR 0.42

1

Toshiba Fotoaccoppiatore, Montaggio superficiale, uscita Transistor, 4 Pin

Toshiba Fotoaccoppiatore, Montaggio superficiale, uscita Transistor, 4 Pin, Corrente massima diretta: 1.4V, Tipo di package: SOIC, Tipo di corrente di ingresso: c.c., Tempo di salita: 5µs, Corrente massima di ingresso: 50 mA, Tensione di isolamento: 3,75 kVrms, Rapporto di trasferimento corrente massima: 300%, Rapporto trasferimento di corrente minimo: 100 %, Tempo di caduta: 9µs, MPN: TLP185(GR,E(O

EUR 0.16

1

Marque

Genre

Marchand

Prix (EUR)

Toshiba MOSFET, canale N, 1,2 e+006 Ω, 300 mA, US6, Montaggio superficiale

Toshiba MOSFET, canale N, 1,2 e+006 Ω, 300 mA, US6, Montaggio superficiale

Toshiba MOSFET, canale N, 1,2 e+006 Ω, 300 mA, US6, Montaggio superficiale

Toshiba MOSFET, canale N, 1,3 mΩ, 300 A, DSOP, Montaggio superficiale

Toshiba MOSFET, canale N, 300 mΩ, 11,5 A, TO-220, Su foro

Toshiba MOSFET, canale N, 1,75 Ω, 300 mA, SOT-363, Montaggio superficiale

Toshiba MOSFET, canale N, 1,75 Ω, 300 mA, SOT-363, Montaggio superficiale

Toshiba MOSFET, canale N, 1,75 Ω, 300 mA, SOT-363, Montaggio superficiale

Toshiba MOSFET, canale N, 1,3 mΩ, 300 A, DSOP, Montaggio superficiale

Toshiba MOSFET, canale N, 300 mΩ, 11,5 A, TO-220, Su foro

Toshiba MOSFET, canale N, 300 mΩ, 11,5 A, TO-220, Su foro

Toshiba Fotoaccoppiatore, Montaggio superficiale, uscita Transistor, 4 Pin

Toshiba Fotoaccoppiatore, Montaggio superficiale, uscita Transistor, 4 Pin

Toshiba Fotoaccoppiatore, Montaggio superficiale, uscita Transistor, 4 Pin

Toshiba Fotoaccoppiatore, Montaggio superficiale, uscita Transistor, 4 Pin

Toshiba Fotoaccoppiatore, Montaggio superficiale, uscita Transistor, 4 Pin

Toshiba Fotoaccoppiatore, Montaggio superficiale, uscita Transistor, 4 Pin

Toshiba Fotoaccoppiatore, Montaggio superficiale, uscita Transistor, 4 Pin

Toshiba Fotoaccoppiatore, Montaggio superficiale, uscita Transistor, 4 Pin

Toshiba Fotoaccoppiatore, Montaggio superficiale, uscita Transistor, 4 Pin

Toshiba Fotoaccoppiatore, Montaggio superficiale, uscita Transistor, 4 Pin

Toshiba Fotoaccoppiatore, Montaggio superficiale, uscita Transistor, 4 Pin

Toshiba Fotoaccoppiatore, Montaggio superficiale, uscita Transistor, 4 Pin

Toshiba Fotoaccoppiatore, Montaggio superficiale, uscita Transistor, 4 Pin

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