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Toshiba MOSFET, SSM6N7002KFU,LF(T, Dual, N-Canal-Canal, 300 mA, 60 V, 6-Pin, US6 Silicio

Toshiba MOSFET, Dual, N-Canal-Canal, 300 mA, 60 V, 6-Pin, US6 Silicio, MPN: SSM6N7002KFU,LF(T

EUR 0.05

1

Toshiba MOSFET, SSM6N7002KFU,LF(T, Dual, N-Canal-Canal, 300 mA, 60 V, 6-Pin, US6 Silicio

Toshiba MOSFET, Dual, N-Canal-Canal, 300 mA, 60 V, 6-Pin, US6 Silicio, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 1,2e+006 Ω, Tensión de umbral de puerta máxima: 2.1V, MPN: SSM6N7002KFU,LF(T

EUR 0.05

1

Toshiba MOSFET, SSM6N7002KFU,LF(T, Dual, N-Canal-Canal, 300 mA, 60 V, 6-Pin, US6 Silicio

Toshiba MOSFET, Dual, N-Canal-Canal, 300 mA, 60 V, 6-Pin, US6 Silicio, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 1,2e+006 Ω, Tensión de umbral de puerta máxima: 2.1V, MPN: SSM6N7002KFU,LF(T

EUR 0.04

1

Toshiba MOSFET, TPWR8503NL, N-Canal-Canal, 300 A, 30 V, 8-Pin, DSOP Simple

Toshiba MOSFET, N-Canal-Canal, 300 A, 30 V, 8-Pin, DSOP Simple, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 1,3 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 2.3V, Tensión de umbral de puerta mínima: 1.3V, Disipación de Potencia Máxima: 142 W, Tensión Máxima Puerta-Fuente: ±20 V, Tensión de diodo directa: 1.2V, MPN: TPWR8503NL

EUR 1.07

1

Toshiba MOSFET, TPWR8503NL, N-Canal-Canal, 300 A, 30 V, 8-Pin, DSOP Simple

Toshiba MOSFET, N-Canal-Canal, 300 A, 30 V, 8-Pin, DSOP Simple, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 1,3 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 2.3V, Tensión de umbral de puerta mínima: 1.3V, Disipación de Potencia Máxima: 142 W, Tensión Máxima Puerta-Fuente: ±20 V, Longitud: 5mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +150 °C, MPN: TPWR8503NL

EUR 1.07

1

Toshiba AEC-Q101 MOSFET, SSM6N7002KFU, Dual, N-Canal-Canal, 300 mA, 60 V, 6-Pin, SOT-363

Toshiba AEC-Q101 MOSFET, Dual, N-Canal-Canal, 300 mA, 60 V, 6-Pin, SOT-363, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 1,75 Ω, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 2.1V, Tensión de umbral de puerta mínima: 1.1V, Disipación de Potencia Máxima: 500 mW, Tensión Máxima Puerta-Fuente: ±20 V, MPN: SSM6N7002KFU

EUR 0.08

1

Toshiba Transistor, 2SC3326-A(TE85L,F), NPN 300 mA 20 V SOT-346 (SC-59), 3 pines, Simple

Toshiba Transistor, NPN 300 mA 20 V SOT-346 (SC-59), 3 pines, Simple, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Disipación de Potencia Máxima: 150 mW, Tensión Base Máxima del Colector: 50 V, Tensión Máxima Emisor-Base: 25 V, Dimensiones: 2.9 x 1.5 x 1.1mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +125 °C, MPN: 2SC3326-A(TE85L,F)

EUR 0.28

1

Toshiba AEC-Q101 MOSFET, SSM6N7002KFU, Dual, N-Canal-Canal, 300 mA, 60 V, 6-Pin, SOT-363

Toshiba AEC-Q101 MOSFET, Dual, N-Canal-Canal, 300 mA, 60 V, 6-Pin, SOT-363, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 1,75 Ω, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 2.1V, Tensión de umbral de puerta mínima: 1.1V, Disipación de Potencia Máxima: 500 mW, Tensión Máxima Puerta-Fuente: ±20 V, Longitud: 2mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +150 °C, MPN: SSM6N7002KFU

EUR 0.06

1

Toshiba AEC-Q101 MOSFET, SSM6N7002KFU, Dual, N-Canal-Canal, 300 mA, 60 V, 6-Pin, SOT-363

Toshiba AEC-Q101 MOSFET, Dual, N-Canal-Canal, 300 mA, 60 V, 6-Pin, SOT-363, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 1,75 Ω, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 2.1V, Tensión de umbral de puerta mínima: 1.1V, Disipación de Potencia Máxima: 500 mW, Tensión Máxima Puerta-Fuente: ±20 V, Longitud: 2mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +150 °C, MPN: SSM6N7002KFU

EUR 0.10

1

Toshiba Optoacoplador, TLP185(GR, entrada DC, Salida Transistor, Montaje en Superficie, SOIC, 4 pines

Toshiba Optoacoplador, entrada DC, Salida Transistor, Montaje en Superficie, SOIC, 4 pines, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Tensión Directa Máxima: 1.4V, Tiempo de Subida Típico: 5µs, Corriente de Entrada Máxima: 10 mA, Tensión de Aislamiento: 3,75 kVrms, Índice de Transferencia de Corriente Máxima: 300%, Tiempo de Bajada Típico: 9µs, MPN: TLP185(GR

EUR 0.16

1

Toshiba Optoacoplador, TLP293(GR, entrada DC, Salida Transistor, Montaje en Superficie, SOIC, 4 pines

Toshiba Optoacoplador, entrada DC, Salida Transistor, Montaje en Superficie, SOIC, 4 pines, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Tensión Directa Máxima: 1.4V, Tiempo de Subida Típico: 2µs, Corriente de Entrada Máxima: 50 mA, Tensión de Aislamiento: 3.750 Vrms, Índice de Transferencia de Corriente Máxima: 300%, Tiempo de Bajada Típico: 3µs, MPN: TLP293(GR

EUR 0.26

1

Toshiba Optoacoplador, TLP185(GR, entrada DC, Salida Transistor, Montaje en Superficie, SOIC, 4 pines

Toshiba Optoacoplador, entrada DC, Salida Transistor, Montaje en Superficie, SOIC, 4 pines, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Tensión Directa Máxima: 1.4V, Tiempo de Subida Típico: 5µs, Corriente de Entrada Máxima: 10 mA, Tensión de Aislamiento: 3.750 Vrms, Índice de Transferencia de Corriente Máxima: 300%, Tiempo de Bajada Típico: 9µs, MPN: TLP185(GR

EUR 0.09

1

Toshiba Optoacoplador, TLP291(GR, entrada DC, Salida Transistor, Montaje en Superficie, SOIC, 4 pines

Toshiba Optoacoplador, entrada DC, Salida Transistor, Montaje en Superficie, SOIC, 4 pines, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Tensión Directa Máxima: 1.4V, Tiempo de Subida Típico: 4µs, Corriente de Entrada Máxima: 50 mA, Tensión de Aislamiento: 3,75 kVrms, Índice de Transferencia de Corriente Máxima: 300%, Tiempo de Bajada Típico: 7µs, MPN: TLP291(GR

EUR 0.15

1

Toshiba Optoacoplador, TLP291(GR, entrada DC, Salida Transistor, Montaje en Superficie, SOIC, 4 pines

Toshiba Optoacoplador, entrada DC, Salida Transistor, Montaje en Superficie, SOIC, 4 pines, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Tensión Directa Máxima: 1.4V, Tiempo de Subida Típico: 4µs, Corriente de Entrada Máxima: 50 mA, Tensión de Aislamiento: 3,75 kVrms, Índice de Transferencia de Corriente Máxima: 300%, Tiempo de Bajada Típico: 7µs, MPN: TLP291(GR

EUR 0.15

1

Toshiba Optoacoplador, TLP185(GR, entrada DC, Salida Transistor, Montaje en Superficie, SOIC, 4 pines

Toshiba Optoacoplador, entrada DC, Salida Transistor, Montaje en Superficie, SOIC, 4 pines, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Tensión Directa Máxima: 1.4V, Tiempo de Subida Típico: 5µs, Corriente de Entrada Máxima: 10 mA, Tensión de Aislamiento: 3.750 Vrms, Índice de Transferencia de Corriente Máxima: 300%, Tiempo de Bajada Típico: 9µs, MPN: TLP185(GR

EUR 0.21

1

Toshiba Optoacoplador, TLP291(GR, entrada DC, Salida Transistor, Montaje en Superficie, SOIC, 4 pines

Toshiba Optoacoplador, entrada DC, Salida Transistor, Montaje en Superficie, SOIC, 4 pines, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Tensión Directa Máxima: 1.4V, Tiempo de Subida Típico: 4µs, Corriente de Entrada Máxima: 50 mA, Tensión de Aislamiento: 3,75 kVrms, Índice de Transferencia de Corriente Máxima: 300%, Tiempo de Bajada Típico: 7µs, MPN: TLP291(GR

EUR 0.14

1

Toshiba Optoacoplador, TLP293(GR, entrada DC, Salida Transistor, Montaje en Superficie, SOIC, 4 pines

Toshiba Optoacoplador, entrada DC, Salida Transistor, Montaje en Superficie, SOIC, 4 pines, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Tensión Directa Máxima: 1.4V, Tiempo de Subida Típico: 2µs, Corriente de Entrada Máxima: 50 mA, Tensión de Aislamiento: 3,75 kVrms, Índice de Transferencia de Corriente Máxima: 300%, Tiempo de Bajada Típico: 3µs, MPN: TLP293(GR

EUR 0.20

1

Toshiba Optoacoplador, TLP293(GR, entrada DC, Salida Transistor, Montaje en Superficie, SOIC, 4 pines

Toshiba Optoacoplador, entrada DC, Salida Transistor, Montaje en Superficie, SOIC, 4 pines, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Tensión Directa Máxima: 1.4V, Tiempo de Subida Típico: 2µs, Corriente de Entrada Máxima: 50 mA, Tensión de Aislamiento: 3.750 Vrms, Índice de Transferencia de Corriente Máxima: 300%, Tiempo de Bajada Típico: 3µs, MPN: TLP293(GR

EUR 0.26

1

Toshiba Optoacoplador, TLP785F(GR-LF7,F(C, entrada DC, Salida Transistor, Montaje en Superficie, DIP, 4 pines

Toshiba Optoacoplador, entrada DC, Salida Transistor, Montaje en Superficie, DIP, 4 pines, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Tensión Directa Máxima: 1.3V, Tiempo de Subida Típico: 2µs, Corriente de Entrada Máxima: 10 mA, Tensión de Aislamiento: 5 kVrms, Índice de Transferencia de Corriente Máxima: 300%, Tiempo de Bajada Típico: 3µs, MPN: TLP785F(GR-LF7,F(C

EUR 0.15

1

Toshiba Optoacoplador, TLP185(GR,E(O, entrada DC, Salida Transistor 100 %, Montaje en Superficie, SOIC, 4 pines

Toshiba Optoacoplador, entrada DC, Salida Transistor 100 %, Montaje en Superficie, SOIC, 4 pines, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Tensión Directa Máxima: 1.4V, Tiempo de Subida Típico: 5µs, Corriente de Entrada Máxima: 50 mA, Tensión de Aislamiento: 3,75 kVrms, Índice de Transferencia de Corriente Máxima: 300%, Tiempo de Bajada Típico: 9µs, MPN: TLP185(GR,E(O

EUR 0.18

1

Toshiba Optoacoplador, TLP785F(GR-LF7,F(C, entrada DC, Salida Transistor, Montaje en Superficie, DIP, 4 pines

Toshiba Optoacoplador, entrada DC, Salida Transistor, Montaje en Superficie, DIP, 4 pines, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Tensión Directa Máxima: 1.3V, Tiempo de Subida Típico: 2µs, Corriente de Entrada Máxima: 10 mA, Tensión de Aislamiento: 5.000 Vrms, Índice de Transferencia de Corriente Máxima: 300%, Tiempo de Bajada Típico: 3µs, MPN: TLP785F(GR-LF7,F(C

EUR 0.18

1

Toshiba Optoacoplador, TLP185(GR,E(O, entrada DC, Salida Transistor 100 %, Montaje en Superficie, SOIC, 4 pines

Toshiba Optoacoplador, entrada DC, Salida Transistor 100 %, Montaje en Superficie, SOIC, 4 pines, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Tensión Directa Máxima: 1.4V, Tiempo de Subida Típico: 5µs, Corriente de Entrada Máxima: 50 mA, Tensión de Aislamiento: 3,75 kVrms, Índice de Transferencia de Corriente Máxima: 300%, Tiempo de Bajada Típico: 9µs, MPN: TLP185(GR,E(O

EUR 0.42

1

Toshiba Optoacoplador, TLP185(GR,E(O, entrada DC, Salida Transistor 100 %, Montaje en Superficie, SOIC, 4 pines

Toshiba Optoacoplador, entrada DC, Salida Transistor 100 %, Montaje en Superficie, SOIC, 4 pines, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Tensión Directa Máxima: 1.4V, Tiempo de Subida Típico: 5µs, Corriente de Entrada Máxima: 50 mA, Tensión de Aislamiento: 3,75 kVrms, Índice de Transferencia de Corriente Máxima: 300%, Tiempo de Bajada Típico: 9µs, MPN: TLP185(GR,E(O

EUR 0.16

1

Toshiba MOSFET, TK12E60W,S1VX(S, N-Canal-Canal, 11,5 A, 600 V, 3-Pin, TO-220 TK Simple Si

Toshiba MOSFET, N-Canal-Canal, 11,5 A, 600 V, 3-Pin, TO-220 TK Simple Si, Tipo de Montaje: Montaje en orificio pasante, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 300 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 3.7V, Disipación de Potencia Máxima: 110 W, Tensión Máxima Puerta-Fuente: -30 V, +30 V, Altura: 15.1mm, Longitud: 10.16mm, MPN: TK12E60W,S1VX(S

EUR 1.05

1

Toshiba MOSFET, TK12E60W,S1VX(S, N-Canal-Canal, 11,5 A, 600 V, 3-Pin, TO-220 TK Simple Si

Toshiba MOSFET, N-Canal-Canal, 11,5 A, 600 V, 3-Pin, TO-220 TK Simple Si, Tipo de Montaje: Montaje en orificio pasante, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 300 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 3.7V, Disipación de Potencia Máxima: 110 W, Tensión Máxima Puerta-Fuente: -30 V, +30 V, Longitud: 10.16mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +150 °C, MPN: TK12E60W,S1VX(S

EUR 1.01

1

Marque

Genre

Marchand

Prix (EUR)

Toshiba MOSFET, SSM6N7002KFU,LF(T, Dual, N-Canal-Canal, 300 mA, 60 V, 6-Pin, US6 Silicio

Toshiba MOSFET, SSM6N7002KFU,LF(T, Dual, N-Canal-Canal, 300 mA, 60 V, 6-Pin, US6 Silicio

Toshiba MOSFET, SSM6N7002KFU,LF(T, Dual, N-Canal-Canal, 300 mA, 60 V, 6-Pin, US6 Silicio

Toshiba MOSFET, TPWR8503NL, N-Canal-Canal, 300 A, 30 V, 8-Pin, DSOP Simple

Toshiba MOSFET, TPWR8503NL, N-Canal-Canal, 300 A, 30 V, 8-Pin, DSOP Simple

Toshiba AEC-Q101 MOSFET, SSM6N7002KFU, Dual, N-Canal-Canal, 300 mA, 60 V, 6-Pin, SOT-363

Toshiba Transistor, 2SC3326-A(TE85L,F), NPN 300 mA 20 V SOT-346 (SC-59), 3 pines, Simple

Toshiba AEC-Q101 MOSFET, SSM6N7002KFU, Dual, N-Canal-Canal, 300 mA, 60 V, 6-Pin, SOT-363

Toshiba AEC-Q101 MOSFET, SSM6N7002KFU, Dual, N-Canal-Canal, 300 mA, 60 V, 6-Pin, SOT-363

Toshiba Optoacoplador, TLP185(GR, entrada DC, Salida Transistor, Montaje en Superficie, SOIC, 4 pines

Toshiba Optoacoplador, TLP293(GR, entrada DC, Salida Transistor, Montaje en Superficie, SOIC, 4 pines

Toshiba Optoacoplador, TLP185(GR, entrada DC, Salida Transistor, Montaje en Superficie, SOIC, 4 pines

Toshiba Optoacoplador, TLP291(GR, entrada DC, Salida Transistor, Montaje en Superficie, SOIC, 4 pines

Toshiba Optoacoplador, TLP291(GR, entrada DC, Salida Transistor, Montaje en Superficie, SOIC, 4 pines

Toshiba Optoacoplador, TLP185(GR, entrada DC, Salida Transistor, Montaje en Superficie, SOIC, 4 pines

Toshiba Optoacoplador, TLP291(GR, entrada DC, Salida Transistor, Montaje en Superficie, SOIC, 4 pines

Toshiba Optoacoplador, TLP293(GR, entrada DC, Salida Transistor, Montaje en Superficie, SOIC, 4 pines

Toshiba Optoacoplador, TLP293(GR, entrada DC, Salida Transistor, Montaje en Superficie, SOIC, 4 pines

Toshiba Optoacoplador, TLP785F(GR-LF7,F(C, entrada DC, Salida Transistor, Montaje en Superficie, DIP, 4 pines

Toshiba Optoacoplador, TLP185(GR,E(O, entrada DC, Salida Transistor 100 %, Montaje en Superficie, SOIC, 4 pines

Toshiba Optoacoplador, TLP785F(GR-LF7,F(C, entrada DC, Salida Transistor, Montaje en Superficie, DIP, 4 pines

Toshiba Optoacoplador, TLP185(GR,E(O, entrada DC, Salida Transistor 100 %, Montaje en Superficie, SOIC, 4 pines

Toshiba Optoacoplador, TLP185(GR,E(O, entrada DC, Salida Transistor 100 %, Montaje en Superficie, SOIC, 4 pines

Toshiba MOSFET, TK12E60W,S1VX(S, N-Canal-Canal, 11,5 A, 600 V, 3-Pin, TO-220 TK Simple Si

Toshiba MOSFET, TK12E60W,S1VX(S, N-Canal-Canal, 11,5 A, 600 V, 3-Pin, TO-220 TK Simple Si

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