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Toshiba Transistor, 2SA1943N(S1,E,S), PNP 15 A 230 V TO-3P, 3 pines, Simple

Toshiba Transistor, PNP 15 A 230 V TO-3P, 3 pines, Simple, Tipo de Montaje: Montaje en orificio pasante, Disipación de Potencia Máxima: 150 W, Tensión Base Máxima del Colector: -230 V, Tensión Máxima Emisor-Base: -5 V, Dimensiones: 15.5 x 4.5 x 20mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +150 °C, MPN: 2SA1943N(S1,E,S)

EUR 2.49

1

Toshiba Transistor, 2SA1943-O(Q), PNP 15 A 230 V TO-3PL, 3 pines, 30 MHz, Simple

Toshiba Transistor, PNP 15 A 230 V TO-3PL, 3 pines, 30 MHz, Simple, Tipo de Montaje: Montaje en orificio pasante, Disipación de Potencia Máxima: 150 W, Ganancia Mínima de Corriente DC: 35, Tensión Base Máxima del Colector: -230 V, Tensión Máxima Emisor-Base: -5 V, Dimensiones: 20.5 x 5.2 x 26mm, MPN: 2SA1943-O(Q)

EUR 2.11

1

Toshiba Transistor, 2SA1943-O(Q), PNP 15 A 230 V TO-3PL, 3 pines, 30 MHz, Simple

Toshiba Transistor, PNP 15 A 230 V TO-3PL, 3 pines, 30 MHz, Simple, Tipo de Montaje: Montaje en orificio pasante, Disipación de Potencia Máxima: 150 W, Tensión Base Máxima del Colector: -230 V, Tensión Máxima Emisor-Base: -5 V, Dimensiones: 20.5 x 5.2 x 26mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +150 °C, MPN: 2SA1943-O(Q)

EUR 2.84

1

Toshiba Transistor, 2SA1943-O(Q), PNP 15 A 230 V TO-3PL, 3 pines, 30 MHz, Simple

Toshiba Transistor, PNP 15 A 230 V TO-3PL, 3 pines, 30 MHz, Simple, Tipo de Montaje: Montaje en orificio pasante, Disipación de Potencia Máxima: 150 W, Tensión Base Máxima del Colector: -230 V, Tensión Máxima Emisor-Base: -5 V, Dimensiones: 20.5 x 5.2 x 26mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +150 °C, MPN: 2SA1943-O(Q)

EUR 2.10

1

Toshiba Transistor, 2SC5200N(S1,E,S), NPN 15 A 230 V TO-3P, 3 pines, Simple

Toshiba Transistor, NPN 15 A 230 V TO-3P, 3 pines, Simple, Tipo de Montaje: Montaje en orificio pasante, Disipación de Potencia Máxima: 150 W, Tensión Máxima Emisor-Base: 5 V, Dimensiones: 15.5 x 4.5 x 20mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +150 °C, MPN: 2SC5200N(S1,E,S)

EUR 2.11

1

Toshiba Transistor, 2SC5200-O(S1,F,S), NPN 15 A 230 V TO-3PL, 3 pines, Simple

Toshiba Transistor, NPN 15 A 230 V TO-3PL, 3 pines, Simple, Tipo de Montaje: Montaje en orificio pasante, Disipación de Potencia Máxima: 150 W, Tensión Máxima Emisor-Base: 5 V, Dimensiones: 20.5 x 26 x 5.2mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +150 °C, MPN: 2SC5200-O(S1,F,S)

EUR 2.63

1

Toshiba IGBT, GT50JR21, N-Canal, 50 A, 600 V, TO-3P, 3-Pines, 1MHZ Simple

Toshiba IGBT, N-Canal, 50 A, 600 V, TO-3P, 3-Pines, 1MHZ Simple, Tensión Máxima Puerta-Emisor: ±25V, Disipación de Potencia Máxima: 230 W, Tipo de Montaje: Montaje en orificio pasante, Dimensiones: 15.5 x 4.5 x 20mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +175 °C, MPN: GT50JR21

EUR 3.85

1

Toshiba IGBT, GT50JR22, N-Canal, 50 A, 600 V, TO-3P, 3-Pines, 1MHZ Simple

Toshiba IGBT, N-Canal, 50 A, 600 V, TO-3P, 3-Pines, 1MHZ Simple, Tensión Máxima Puerta-Emisor: ±25V, Disipación de Potencia Máxima: 230 W, Tipo de Montaje: Montaje en orificio pasante, Dimensiones: 15.5 x 4.5 x 20mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +175 °C, MPN: GT50JR22

EUR 2.66

1

Toshiba IGBT, GT50JR22, N-Canal, 50 A, 600 V, TO-3P, 3-Pines, 1MHZ Simple

Toshiba IGBT, N-Canal, 50 A, 600 V, TO-3P, 3-Pines, 1MHZ Simple, Tensión Máxima Puerta-Emisor: ±25V, Disipación de Potencia Máxima: 230 W, Tipo de Montaje: Montaje en orificio pasante, Dimensiones: 15.5 x 4.5 x 20mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +175 °C, MPN: GT50JR22

EUR 4.55

1

Toshiba IGBT, GT50JR21, N-Canal, 50 A, 600 V, TO-3P, 3-Pines, 1MHZ Simple

Toshiba IGBT, N-Canal, 50 A, 600 V, TO-3P, 3-Pines, 1MHZ Simple, Tensión Máxima Puerta-Emisor: ±25V, Disipación de Potencia Máxima: 230 W, Tipo de Montaje: Montaje en orificio pasante, Dimensiones: 15.5 x 4.5 x 20mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +175 °C, MPN: GT50JR21

EUR 2.66

1

Toshiba IGBT, GT50JR21, N-Canal, 50 A, 600 V, TO-3P, 3-Pines, 1MHZ Simple

Toshiba IGBT, N-Canal, 50 A, 600 V, TO-3P, 3-Pines, 1MHZ Simple, Tensión Máxima Puerta-Emisor: ±25V, Disipación de Potencia Máxima: 230 W, Tipo de Montaje: Montaje en orificio pasante, Longitud: 15.5mm, Ancho: 4.5mm, Altura: 20mm, Dimensiones: 15.5 x 4.5 x 20mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +175 °C, MPN: GT50JR21

EUR 3.85

1

Toshiba IGBT, GT50JR22, N-Canal, 50 A, 600 V, TO-3P, 3-Pines, 1MHZ Simple

Toshiba IGBT, N-Canal, 50 A, 600 V, TO-3P, 3-Pines, 1MHZ Simple, Tensión Máxima Puerta-Emisor: ±25V, Disipación de Potencia Máxima: 230 W, Tipo de Montaje: Montaje en orificio pasante, Longitud: 15.5mm, Ancho: 4.5mm, Altura: 20mm, Dimensiones: 15.5 x 4.5 x 20mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +175 °C, MPN: GT50JR22

EUR 2.89

1

Toshiba MOSFET, TK31E60W,S1VX(S, N-Canal-Canal, 31 A, 600 V, 3-Pin, TO-220 TK Simple Si

Toshiba MOSFET, N-Canal-Canal, 31 A, 600 V, 3-Pin, TO-220 TK Simple Si, Tipo de Montaje: Montaje en orificio pasante, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 88 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 3.7V, Disipación de Potencia Máxima: 230 W, Tensión Máxima Puerta-Fuente: -30 V, +30 V, Altura: 15.1mm, Longitud: 10.16mm, MPN: TK31E60W,S1VX(S

EUR 5.91

1

Toshiba MOSFET, TK16A60W5,S4VX(M, N-Canal-Canal, 15,8 A, 600 V, 3-Pin, TO-220SIS TK Simple Si

Toshiba MOSFET, N-Canal-Canal, 15,8 A, 600 V, 3-Pin, TO-220SIS TK Simple Si, Tipo de Montaje: Montaje en orificio pasante, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 230 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 3.7V, Disipación de Potencia Máxima: 40 W, Tensión Máxima Puerta-Fuente: -30 V, +30 V, Altura: 15mm, Longitud: 10mm, MPN: TK16A60W5,S4VX(M

EUR 1.92

1

Toshiba MOSFET, TK16A60W5,S4VX(M, N-Canal-Canal, 15,8 A, 600 V, 3-Pin, TO-220SIS TK Simple Si

Toshiba MOSFET, N-Canal-Canal, 15,8 A, 600 V, 3-Pin, TO-220SIS TK Simple Si, Tipo de Montaje: Montaje en orificio pasante, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 230 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 3.7V, Disipación de Potencia Máxima: 40 W, Tensión Máxima Puerta-Fuente: -30 V, +30 V, Longitud: 10mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +150 °C, MPN: TK16A60W5,S4VX(M

EUR 2.51

1

Toshiba MOSFET, TK31E60W,S1VX(S, N-Canal-Canal, 31 A, 600 V, 3-Pin, TO-220 TK Simple Si

Toshiba MOSFET, N-Canal-Canal, 31 A, 600 V, 3-Pin, TO-220 TK Simple Si, Tipo de Montaje: Montaje en orificio pasante, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 88 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 3.7V, Disipación de Potencia Máxima: 230 W, Tensión Máxima Puerta-Fuente: -30 V, +30 V, Longitud: 10.16mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +150 °C, MPN: TK31E60W,S1VX(S

EUR 7.05

1

Toshiba MOSFET, TK31E60W,S1VX(S, N-Canal-Canal, 31 A, 600 V, 3-Pin, TO-220 TK Simple Si

Toshiba MOSFET, N-Canal-Canal, 31 A, 600 V, 3-Pin, TO-220 TK Simple Si, Tipo de Montaje: Montaje en orificio pasante, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 88 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 3.7V, Disipación de Potencia Máxima: 230 W, Tensión Máxima Puerta-Fuente: -30 V, +30 V, Longitud: 10.16mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +150 °C, MPN: TK31E60W,S1VX(S

EUR 4.11

1

Toshiba MOSFET, TK16A60W5,S4VX(M, N-Canal-Canal, 15,8 A, 600 V, 3-Pin, TO-220SIS TK Simple Si

Toshiba MOSFET, N-Canal-Canal, 15,8 A, 600 V, 3-Pin, TO-220SIS TK Simple Si, Tipo de Montaje: Montaje en orificio pasante, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 230 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 3.7V, Disipación de Potencia Máxima: 40 W, Tensión Máxima Puerta-Fuente: -30 V, +30 V, Longitud: 10mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +150 °C, MPN: TK16A60W5,S4VX(M

EUR 1.92

1

Marque

Genre

Marchand

Prix (EUR)

Toshiba Transistor, 2SA1943N(S1,E,S), PNP 15 A 230 V TO-3P, 3 pines, Simple

Toshiba Transistor, 2SA1943-O(Q), PNP 15 A 230 V TO-3PL, 3 pines, 30 MHz, Simple

Toshiba Transistor, 2SA1943-O(Q), PNP 15 A 230 V TO-3PL, 3 pines, 30 MHz, Simple

Toshiba Transistor, 2SA1943-O(Q), PNP 15 A 230 V TO-3PL, 3 pines, 30 MHz, Simple

Toshiba Transistor, 2SC5200N(S1,E,S), NPN 15 A 230 V TO-3P, 3 pines, Simple

Toshiba Transistor, 2SC5200-O(S1,F,S), NPN 15 A 230 V TO-3PL, 3 pines, Simple

Toshiba IGBT, GT50JR21, N-Canal, 50 A, 600 V, TO-3P, 3-Pines, 1MHZ Simple

Toshiba IGBT, GT50JR22, N-Canal, 50 A, 600 V, TO-3P, 3-Pines, 1MHZ Simple

Toshiba IGBT, GT50JR22, N-Canal, 50 A, 600 V, TO-3P, 3-Pines, 1MHZ Simple

Toshiba IGBT, GT50JR21, N-Canal, 50 A, 600 V, TO-3P, 3-Pines, 1MHZ Simple

Toshiba IGBT, GT50JR21, N-Canal, 50 A, 600 V, TO-3P, 3-Pines, 1MHZ Simple

Toshiba IGBT, GT50JR22, N-Canal, 50 A, 600 V, TO-3P, 3-Pines, 1MHZ Simple

Toshiba MOSFET, TK31E60W,S1VX(S, N-Canal-Canal, 31 A, 600 V, 3-Pin, TO-220 TK Simple Si

Toshiba MOSFET, TK16A60W5,S4VX(M, N-Canal-Canal, 15,8 A, 600 V, 3-Pin, TO-220SIS TK Simple Si

Toshiba MOSFET, TK16A60W5,S4VX(M, N-Canal-Canal, 15,8 A, 600 V, 3-Pin, TO-220SIS TK Simple Si

Toshiba MOSFET, TK31E60W,S1VX(S, N-Canal-Canal, 31 A, 600 V, 3-Pin, TO-220 TK Simple Si

Toshiba MOSFET, TK31E60W,S1VX(S, N-Canal-Canal, 31 A, 600 V, 3-Pin, TO-220 TK Simple Si

Toshiba MOSFET, TK16A60W5,S4VX(M, N-Canal-Canal, 15,8 A, 600 V, 3-Pin, TO-220SIS TK Simple Si

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