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Toshiba MOSFET, SSM6N35FE Dual, N-Canal, 180 mA, 20 V, 6-Pin, SOT-563

Toshiba MOSFET Dual, N-Canal, 180 mA, 20 V, 6-Pin, SOT-563, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 20 Ω, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 1V, Tensión de umbral de puerta mínima: 0.4V, Disipación de Potencia Máxima: 150 mW, Tensión Máxima Puerta-Fuente: ±10 V, Altura: 0.55mm, Longitud: 1.2mm, MPN: SSM6N35FE

EUR 0.04

1

Toshiba MOSFET, SSM6N35FE Dual, N-Canal, 180 mA, 20 V, 6-Pin, SOT-563

Toshiba MOSFET Dual, N-Canal, 180 mA, 20 V, 6-Pin, SOT-563, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 20 Ω, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 1V, Tensión de umbral de puerta mínima: 0.4V, Disipación de Potencia Máxima: 150 mW, Tensión Máxima Puerta-Fuente: ±10 V, Longitud: 1.2mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +150 °C, MPN: SSM6N35FE

EUR 0.04

1

Toshiba MOSFET, SSM6N35FE Dual, N-Canal, 180 mA, 20 V, 6-Pin, SOT-563

Toshiba MOSFET Dual, N-Canal, 180 mA, 20 V, 6-Pin, SOT-563, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 20 Ω, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 1V, Tensión de umbral de puerta mínima: 0.4V, Disipación de Potencia Máxima: 150 mW, Tensión Máxima Puerta-Fuente: ±10 V, Longitud: 1.2mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +150 °C, MPN: SSM6N35FE

EUR 0.04

1

Toshiba AEC-Q101 MOSFET, TK100S04N1L, N-Canal-Canal, 100 A, 40 V, 3-Pin, DPAK Simple

Toshiba AEC-Q101 MOSFET, N-Canal-Canal, 100 A, 40 V, 3-Pin, DPAK Simple, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 4,5 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 2.5V, Tensión de umbral de puerta mínima: 1.5V, Disipación de Potencia Máxima: 180 W, Tensión Máxima Puerta-Fuente: ±20 V, MPN: TK100S04N1L

EUR 1.77

1

Toshiba AEC-Q101 MOSFET, TK100S04N1L, N-Canal-Canal, 100 A, 40 V, 3-Pin, DPAK Simple

Toshiba AEC-Q101 MOSFET, N-Canal-Canal, 100 A, 40 V, 3-Pin, DPAK Simple, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 4,5 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 2.5V, Tensión de umbral de puerta mínima: 1.5V, Disipación de Potencia Máxima: 180 W, Tensión Máxima Puerta-Fuente: ±20 V, Longitud: 6.5mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +175 °C, MPN: TK100S04N1L

EUR 0.61

1

Toshiba AEC-Q101 MOSFET, TK100S04N1L, N-Canal-Canal, 100 A, 40 V, 3-Pin, DPAK Simple

Toshiba AEC-Q101 MOSFET, N-Canal-Canal, 100 A, 40 V, 3-Pin, DPAK Simple, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 4,5 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 2.5V, Tensión de umbral de puerta mínima: 1.5V, Disipación de Potencia Máxima: 180 W, Tensión Máxima Puerta-Fuente: ±20 V, Longitud: 6.5mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +175 °C, MPN: TK100S04N1L

EUR 0.62

1

Toshiba MOSFET, TK25E60X,S1X(S, N-Canal-Canal, 25 A, 600 V, 3-Pin, TO-220 DTMOSIV Si

Toshiba MOSFET, N-Canal-Canal, 25 A, 600 V, 3-Pin, TO-220 DTMOSIV Si, Tipo de Montaje: Montaje en orificio pasante, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 125 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 3.5V, Tensión de umbral de puerta mínima: 2.5V, Disipación de Potencia Máxima: 180 W, Tensión Máxima Puerta-Fuente: -30 V, +30 V, Longitud: 10.16mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +150 °C, MPN: TK25E60X,S1X(S

EUR 1.73

1

Marque

Genre

Marchand

Prix (EUR)

Toshiba MOSFET, SSM6N35FE Dual, N-Canal, 180 mA, 20 V, 6-Pin, SOT-563

Toshiba MOSFET, SSM6N35FE Dual, N-Canal, 180 mA, 20 V, 6-Pin, SOT-563

Toshiba MOSFET, SSM6N35FE Dual, N-Canal, 180 mA, 20 V, 6-Pin, SOT-563

Toshiba AEC-Q101 MOSFET, TK100S04N1L, N-Canal-Canal, 100 A, 40 V, 3-Pin, DPAK Simple

Toshiba AEC-Q101 MOSFET, TK100S04N1L, N-Canal-Canal, 100 A, 40 V, 3-Pin, DPAK Simple

Toshiba AEC-Q101 MOSFET, TK100S04N1L, N-Canal-Canal, 100 A, 40 V, 3-Pin, DPAK Simple

Toshiba MOSFET, TK25E60X,S1X(S, N-Canal-Canal, 25 A, 600 V, 3-Pin, TO-220 DTMOSIV Si

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