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Toshiba MOSFET, 2SK3564,S5Q(J, N-Canal-Canal, 3 A, 900 V, 3-Pin, SC-67 2SK Simple Si

Toshiba MOSFET, N-Canal-Canal, 3 A, 900 V, 3-Pin, SC-67 2SK Simple Si, Tipo de Montaje: Montaje en orificio pasante, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 4,3 Ω, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 4V, Disipación de Potencia Máxima: 40 W, Tensión Máxima Puerta-Fuente: -30 V, +30 V, Longitud: 10mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +150 °C, MPN: 2SK3564,S5Q(J

EUR 1.98

1

Toshiba Transistor JFET, 2SK209-GR(TE85L,F), N-Canal, S-MINI, 3-Pines

Toshiba Transistor JFET, N-Canal, S-MINI, 3-Pines, MPN: 2SK209-GR(TE85L,F)

EUR 0.29

1

Toshiba Sensor de efecto Hall, TCS40DPR,LF(T, SOT-23F 3 pines Magnetómetro

Toshiba Sensor de efecto Hall, SOT-23F 3 pines Magnetómetro, MPN: TCS40DPR,LF(T

EUR 0.15

1

Toshiba Transistor bipolar, TBC847B,LM(T, NPN 200 mA 50 V SOT-23, 3 pines

Toshiba Transistor bipolar, NPN 200 mA 50 V SOT-23, 3 pines, MPN: TBC847B,LM(T

EUR 0.01

1

Toshiba Sensor de efecto Hall, TCS40DPR,LF(T, SOT-23F 3 pines Magnetómetro

Toshiba Sensor de efecto Hall, SOT-23F 3 pines Magnetómetro, Tecnología: Digital, Tipo de Montaje: Montaje superficial, MPN: TCS40DPR,LF(T

EUR 0.17

1

Toshiba Sensor de efecto Hall, TCS40DPR,LF(T, SOT-23F 3 pines Magnetómetro

Toshiba Sensor de efecto Hall, SOT-23F 3 pines Magnetómetro, Tecnología: Digital, Tipo de Montaje: Montaje superficial, MPN: TCS40DPR,LF(T

EUR 0.12

1

Toshiba MOSFET, SSM3J338R,LF(T, P-Canal, 6 A, 12 V, 3-Pin, SOT-23F Silicio

Toshiba MOSFET, P-Canal, 6 A, 12 V, 3-Pin, SOT-23F Silicio, MPN: SSM3J338R,LF(T

EUR 0.14

1

Toshiba MOSFET, SSM3J356R,LF(T, P-Canal, 2 A, 60 V, 3-Pin, SOT-23F Silicio

Toshiba MOSFET, P-Canal, 2 A, 60 V, 3-Pin, SOT-23F Silicio, MPN: SSM3J356R,LF(T

EUR 0.12

1

Toshiba MOSFET, SSM3J328R,LF(T, P-Canal, 6 A, 20 V, 3-Pin, SOT-23F Silicio

Toshiba MOSFET, P-Canal, 6 A, 20 V, 3-Pin, SOT-23F Silicio, MPN: SSM3J328R,LF(T

EUR 0.11

1

Toshiba MOSFET, SSM3J351R,LF(T, P-Canal, 3,5 A, 60 V, 3-Pin, SOT-23F Silicio

Toshiba MOSFET, P-Canal, 3,5 A, 60 V, 3-Pin, SOT-23F Silicio, MPN: SSM3J351R,LF(T

EUR 0.19

1

Toshiba MOSFET, SSM3K339R,LF(T, N-Canal-Canal, 2 A, 40 V, 3-Pin, SOT-23F Silicio

Toshiba MOSFET, N-Canal-Canal, 2 A, 40 V, 3-Pin, SOT-23F Silicio, MPN: SSM3K339R,LF(T

EUR 0.09

1

Toshiba MOSFET, SSM3K329R,LF(T, N-Canal-Canal, 3,5 A, 30 V, 3-Pin, SOT-23F Silicio

Toshiba MOSFET, N-Canal-Canal, 3,5 A, 30 V, 3-Pin, SOT-23F Silicio, MPN: SSM3K329R,LF(T

EUR 0.12

1

Toshiba MOSFET, T2N7002AK,LM(T, N-Canal-Canal, 200 mA, 60 V, 3-Pin, SOT-23F Silicio

Toshiba MOSFET, N-Canal-Canal, 200 mA, 60 V, 3-Pin, SOT-23F Silicio, MPN: T2N7002AK,LM(T

EUR 0.02

1

Toshiba MOSFET, SSM3K341R,LF(T, N-Canal-Canal, 6 A, 60 V, 3-Pin, SOT-23F Silicio

Toshiba MOSFET, N-Canal-Canal, 6 A, 60 V, 3-Pin, SOT-23F Silicio, MPN: SSM3K341R,LF(T

EUR 0.26

1

Toshiba Transistor JFET, 2SK209-GR(TE85L,F), N-Canal, S-MINI, 3-Pines

Toshiba Transistor JFET, N-Canal, S-MINI, 3-Pines, Corriente de desconexión de drenaje de tensión Idss: 14mA, Tensión Máxima Puerta-Fuente: -50 V, MPN: 2SK209-GR(TE85L,F)

EUR 0.30

1

Toshiba Transistor JFET, 2SK209-GR(TE85L,F), N-Canal, S-MINI, 3-Pines

Toshiba Transistor JFET, N-Canal, S-MINI, 3-Pines, Corriente de desconexión de drenaje de tensión Idss: 14mA, Tensión Máxima Puerta-Fuente: -50 V, MPN: 2SK209-GR(TE85L,F)

EUR 0.22

1

Toshiba Transistor bipolar, TBC847B,LM(T, NPN 200 mA 50 V SOT-23, 3 pines

Toshiba Transistor bipolar, NPN 200 mA 50 V SOT-23, 3 pines, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Número de Elementos por Chip: 1, MPN: TBC847B,LM(T

EUR 0.01

1

Toshiba Transistor bipolar, TBC847B,LM(T, NPN 200 mA 50 V SOT-23, 3 pines

Toshiba Transistor bipolar, NPN 200 mA 50 V SOT-23, 3 pines, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Número de Elementos por Chip: 1, MPN: TBC847B,LM(T

EUR 0.01

1

Toshiba MOSFET, 2SK3074(TE12L,F), N-Canal-Canal, 1 A, 30 V, 3-Pin, PW Mini 2SK Simple Si

Toshiba MOSFET, N-Canal-Canal, 1 A, 30 V, 3-Pin, PW Mini 2SK Simple Si, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 2.4V, Disipación de Potencia Máxima: 3 W, Tensión Máxima Puerta-Fuente: +25 V, Longitud: 4.6mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +150 °C, MPN: 2SK3074(TE12L,F)

EUR 1.44

1

Toshiba MOSFET, 2SK3074(TE12L,F), N-Canal-Canal, 1 A, 30 V, 3-Pin, PW Mini 2SK Simple Si

Toshiba MOSFET, N-Canal-Canal, 1 A, 30 V, 3-Pin, PW Mini 2SK Simple Si, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 2.4V, Disipación de Potencia Máxima: 3 W, Tensión Máxima Puerta-Fuente: +25 V, Altura: 1.6mm, Longitud: 4.6mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +150 °C, MPN: 2SK3074(TE12L,F)

EUR 1.54

1

Toshiba MOSFET, 2SK3074(TE12L,F), N-Canal-Canal, 1 A, 30 V, 3-Pin, PW Mini 2SK Simple Si

Toshiba MOSFET, N-Canal-Canal, 1 A, 30 V, 3-Pin, PW Mini 2SK Simple Si, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 2.4V, Disipación de Potencia Máxima: 3 W, Tensión Máxima Puerta-Fuente: +25 V, Longitud: 4.6mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +150 °C, MPN: 2SK3074(TE12L,F)

EUR 1.54

1

Toshiba MOSFET, SSM3J351R,LF(T, P-Canal, 3,5 A, 60 V, 3-Pin, SOT-23F Silicio

Toshiba MOSFET, P-Canal, 3,5 A, 60 V, 3-Pin, SOT-23F Silicio, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 1,29e+008 Ω, Tensión de umbral de puerta máxima: 2V, MPN: SSM3J351R,LF(T

EUR 0.22

1

Toshiba MOSFET, SSM3J328R,LF(T, P-Canal, 6 A, 20 V, 3-Pin, SOT-23F Silicio

Toshiba MOSFET, P-Canal, 6 A, 20 V, 3-Pin, SOT-23F Silicio, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 8,84e+007 Ω, Tensión de umbral de puerta máxima: 1V, MPN: SSM3J328R,LF(T

EUR 0.09

1

Toshiba MOSFET, SSM3J351R,LF(T, P-Canal, 3,5 A, 60 V, 3-Pin, SOT-23F Silicio

Toshiba MOSFET, P-Canal, 3,5 A, 60 V, 3-Pin, SOT-23F Silicio, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 1,29e+008 Ω, Tensión de umbral de puerta máxima: 2V, MPN: SSM3J351R,LF(T

EUR 0.16

1

Toshiba MOSFET, SSM3J338R,LF(T, P-Canal, 6 A, 12 V, 3-Pin, SOT-23F Silicio

Toshiba MOSFET, P-Canal, 6 A, 12 V, 3-Pin, SOT-23F Silicio, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 2,63e+007 Ω, Tensión de umbral de puerta máxima: 1V, MPN: SSM3J338R,LF(T

EUR 0.16

1

Marque

Genre

Marchand

Prix (EUR)

Toshiba MOSFET, 2SK3564,S5Q(J, N-Canal-Canal, 3 A, 900 V, 3-Pin, SC-67 2SK Simple Si

Toshiba Transistor JFET, 2SK209-GR(TE85L,F), N-Canal, S-MINI, 3-Pines

Toshiba Sensor de efecto Hall, TCS40DPR,LF(T, SOT-23F 3 pines Magnetómetro

Toshiba Transistor bipolar, TBC847B,LM(T, NPN 200 mA 50 V SOT-23, 3 pines

Toshiba Sensor de efecto Hall, TCS40DPR,LF(T, SOT-23F 3 pines Magnetómetro

Toshiba Sensor de efecto Hall, TCS40DPR,LF(T, SOT-23F 3 pines Magnetómetro

Toshiba MOSFET, SSM3J338R,LF(T, P-Canal, 6 A, 12 V, 3-Pin, SOT-23F Silicio

Toshiba MOSFET, SSM3J356R,LF(T, P-Canal, 2 A, 60 V, 3-Pin, SOT-23F Silicio

Toshiba MOSFET, SSM3J328R,LF(T, P-Canal, 6 A, 20 V, 3-Pin, SOT-23F Silicio

Toshiba MOSFET, SSM3J351R,LF(T, P-Canal, 3,5 A, 60 V, 3-Pin, SOT-23F Silicio

Toshiba MOSFET, SSM3K339R,LF(T, N-Canal-Canal, 2 A, 40 V, 3-Pin, SOT-23F Silicio

Toshiba MOSFET, SSM3K329R,LF(T, N-Canal-Canal, 3,5 A, 30 V, 3-Pin, SOT-23F Silicio

Toshiba MOSFET, T2N7002AK,LM(T, N-Canal-Canal, 200 mA, 60 V, 3-Pin, SOT-23F Silicio

Toshiba MOSFET, SSM3K341R,LF(T, N-Canal-Canal, 6 A, 60 V, 3-Pin, SOT-23F Silicio

Toshiba Transistor JFET, 2SK209-GR(TE85L,F), N-Canal, S-MINI, 3-Pines

Toshiba Transistor JFET, 2SK209-GR(TE85L,F), N-Canal, S-MINI, 3-Pines

Toshiba Transistor bipolar, TBC847B,LM(T, NPN 200 mA 50 V SOT-23, 3 pines

Toshiba Transistor bipolar, TBC847B,LM(T, NPN 200 mA 50 V SOT-23, 3 pines

Toshiba MOSFET, 2SK3074(TE12L,F), N-Canal-Canal, 1 A, 30 V, 3-Pin, PW Mini 2SK Simple Si

Toshiba MOSFET, 2SK3074(TE12L,F), N-Canal-Canal, 1 A, 30 V, 3-Pin, PW Mini 2SK Simple Si

Toshiba MOSFET, 2SK3074(TE12L,F), N-Canal-Canal, 1 A, 30 V, 3-Pin, PW Mini 2SK Simple Si

Toshiba MOSFET, SSM3J351R,LF(T, P-Canal, 3,5 A, 60 V, 3-Pin, SOT-23F Silicio

Toshiba MOSFET, SSM3J328R,LF(T, P-Canal, 6 A, 20 V, 3-Pin, SOT-23F Silicio

Toshiba MOSFET, SSM3J351R,LF(T, P-Canal, 3,5 A, 60 V, 3-Pin, SOT-23F Silicio

Toshiba MOSFET, SSM3J338R,LF(T, P-Canal, 6 A, 12 V, 3-Pin, SOT-23F Silicio

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