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Toshiba IGBT, GT30J121, N-Canal, 30 A, 600 V, TO-3P, 3-Pines, 1MHZ Simple

Toshiba IGBT, N-Canal, 30 A, 600 V, TO-3P, 3-Pines, 1MHZ Simple, Tensión Máxima Puerta-Emisor: ±20V, Disipación de Potencia Máxima: 170 W, Tipo de Montaje: Montaje en orificio pasante, Dimensiones: 15.9 x 4.8 x 20mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +150 °C, MPN: GT30J121

EUR 1.85

1

Toshiba IGBT, GT30J121, N-Canal, 30 A, 600 V, TO-3P, 3-Pines, 1MHZ Simple

Toshiba IGBT, N-Canal, 30 A, 600 V, TO-3P, 3-Pines, 1MHZ Simple, Tensión Máxima Puerta-Emisor: ±20V, Disipación de Potencia Máxima: 170 W, Tipo de Montaje: Montaje en orificio pasante, Dimensiones: 15.9 x 4.8 x 20mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +150 °C, MPN: GT30J121

EUR 2.79

1

Toshiba IGBT, GT50JR21, N-Canal, 50 A, 600 V, TO-3P, 3-Pines, 1MHZ Simple

Toshiba IGBT, N-Canal, 50 A, 600 V, TO-3P, 3-Pines, 1MHZ Simple, Tensión Máxima Puerta-Emisor: ±25V, Disipación de Potencia Máxima: 230 W, Tipo de Montaje: Montaje en orificio pasante, Dimensiones: 15.5 x 4.5 x 20mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +175 °C, MPN: GT50JR21

EUR 3.85

1

Toshiba IGBT, GT50JR22, N-Canal, 50 A, 600 V, TO-3P, 3-Pines, 1MHZ Simple

Toshiba IGBT, N-Canal, 50 A, 600 V, TO-3P, 3-Pines, 1MHZ Simple, Tensión Máxima Puerta-Emisor: ±25V, Disipación de Potencia Máxima: 230 W, Tipo de Montaje: Montaje en orificio pasante, Dimensiones: 15.5 x 4.5 x 20mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +175 °C, MPN: GT50JR22

EUR 2.66

1

Toshiba IGBT, GT15J341, N-Canal, 15 A, 600 V, TO-220SIS, 3-Pines, 100kHz Simple

Toshiba IGBT, N-Canal, 15 A, 600 V, TO-220SIS, 3-Pines, 100kHz Simple, Tensión Máxima Puerta-Emisor: ±25V, Disipación de Potencia Máxima: 30 W, Tipo de Montaje: Montaje en orificio pasante, Dimensiones: 10 x 4.5 x 15mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +150 °C, MPN: GT15J341

EUR 0.91

1

Toshiba IGBT, GT20J341, N-Canal, 20 A, 600 V, TO-220SIS, 3-Pines, 100kHz Simple

Toshiba IGBT, N-Canal, 20 A, 600 V, TO-220SIS, 3-Pines, 100kHz Simple, Tensión Máxima Puerta-Emisor: ±25V, Disipación de Potencia Máxima: 45 W, Tipo de Montaje: Montaje en orificio pasante, Dimensiones: 10 x 4.5 x 15mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +150 °C, MPN: GT20J341

EUR 1.90

1

Toshiba IGBT, GT50JR22, N-Canal, 50 A, 600 V, TO-3P, 3-Pines, 1MHZ Simple

Toshiba IGBT, N-Canal, 50 A, 600 V, TO-3P, 3-Pines, 1MHZ Simple, Tensión Máxima Puerta-Emisor: ±25V, Disipación de Potencia Máxima: 230 W, Tipo de Montaje: Montaje en orificio pasante, Dimensiones: 15.5 x 4.5 x 20mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +175 °C, MPN: GT50JR22

EUR 4.55

1

Toshiba IGBT, GT20J341, N-Canal, 20 A, 600 V, TO-220SIS, 3-Pines, 100kHz Simple

Toshiba IGBT, N-Canal, 20 A, 600 V, TO-220SIS, 3-Pines, 100kHz Simple, Tensión Máxima Puerta-Emisor: ±25V, Disipación de Potencia Máxima: 45 W, Tipo de Montaje: Montaje en orificio pasante, Dimensiones: 10 x 4.5 x 15mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +150 °C, MPN: GT20J341

EUR 1.03

1

Toshiba IGBT, GT50JR21, N-Canal, 50 A, 600 V, TO-3P, 3-Pines, 1MHZ Simple

Toshiba IGBT, N-Canal, 50 A, 600 V, TO-3P, 3-Pines, 1MHZ Simple, Tensión Máxima Puerta-Emisor: ±25V, Disipación de Potencia Máxima: 230 W, Tipo de Montaje: Montaje en orificio pasante, Dimensiones: 15.5 x 4.5 x 20mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +175 °C, MPN: GT50JR21

EUR 2.66

1

Toshiba IGBT, GT15J341, N-Canal, 15 A, 600 V, TO-220SIS, 3-Pines, 100kHz Simple

Toshiba IGBT, N-Canal, 15 A, 600 V, TO-220SIS, 3-Pines, 100kHz Simple, Tensión Máxima Puerta-Emisor: ±25V, Disipación de Potencia Máxima: 30 W, Tipo de Montaje: Montaje en orificio pasante, Dimensiones: 10 x 4.5 x 15mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +150 °C, MPN: GT15J341

EUR 1.34

1

Toshiba Transistor, 2SC5200N(S1,E,S), NPN 15 A 230 V TO-3P, 3 pines, Simple

Toshiba Transistor, NPN 15 A 230 V TO-3P, 3 pines, Simple, Tipo de Montaje: Montaje en orificio pasante, Disipación de Potencia Máxima: 150 W, Tensión Máxima Emisor-Base: 5 V, Dimensiones: 15.5 x 4.5 x 20mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +150 °C, MPN: 2SC5200N(S1,E,S)

EUR 2.11

1

Toshiba Transistor, 2SC5200-O(S1,F,S), NPN 15 A 230 V TO-3PL, 3 pines, Simple

Toshiba Transistor, NPN 15 A 230 V TO-3PL, 3 pines, Simple, Tipo de Montaje: Montaje en orificio pasante, Disipación de Potencia Máxima: 150 W, Tensión Máxima Emisor-Base: 5 V, Dimensiones: 20.5 x 26 x 5.2mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +150 °C, MPN: 2SC5200-O(S1,F,S)

EUR 2.63

1

Toshiba IGBT, GT30J121, N-Canal, 30 A, 600 V, TO-3P, 3-Pines, 1MHZ Simple

Toshiba IGBT, N-Canal, 30 A, 600 V, TO-3P, 3-Pines, 1MHZ Simple, Tensión Máxima Puerta-Emisor: ±20V, Disipación de Potencia Máxima: 170 W, Tipo de Montaje: Montaje en orificio pasante, Longitud: 15.9mm, Ancho: 4.8mm, Altura: 20mm, Dimensiones: 15.9 x 4.8 x 20mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +150 °C, MPN: GT30J121

EUR 2.64

1

Toshiba IGBT, GT50JR21, N-Canal, 50 A, 600 V, TO-3P, 3-Pines, 1MHZ Simple

Toshiba IGBT, N-Canal, 50 A, 600 V, TO-3P, 3-Pines, 1MHZ Simple, Tensión Máxima Puerta-Emisor: ±25V, Disipación de Potencia Máxima: 230 W, Tipo de Montaje: Montaje en orificio pasante, Longitud: 15.5mm, Ancho: 4.5mm, Altura: 20mm, Dimensiones: 15.5 x 4.5 x 20mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +175 °C, MPN: GT50JR21

EUR 3.85

1

Toshiba MOSFET, SSM3K339R, N-Canal-Canal, 2 A, 40 V, 3-Pin, SOT-23F Simple

Toshiba MOSFET, N-Canal-Canal, 2 A, 40 V, 3-Pin, SOT-23F Simple, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 390 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 1.2V, Disipación de Potencia Máxima: 2 W, Tensión Máxima Puerta-Fuente: ±12 V, Altura: 0.7mm, MPN: SSM3K339R

EUR 0.15

1

Toshiba IGBT, GT15J341, N-Canal, 15 A, 600 V, TO-220SIS, 3-Pines, 100kHz Simple

Toshiba IGBT, N-Canal, 15 A, 600 V, TO-220SIS, 3-Pines, 100kHz Simple, Tensión Máxima Puerta-Emisor: ±25V, Disipación de Potencia Máxima: 30 W, Tipo de Montaje: Montaje en orificio pasante, Longitud: 10mm, Ancho: 4.5mm, Altura: 15mm, Dimensiones: 10 x 4.5 x 15mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +150 °C, MPN: GT15J341

EUR 1.14

1

Toshiba IGBT, GT50JR22, N-Canal, 50 A, 600 V, TO-3P, 3-Pines, 1MHZ Simple

Toshiba IGBT, N-Canal, 50 A, 600 V, TO-3P, 3-Pines, 1MHZ Simple, Tensión Máxima Puerta-Emisor: ±25V, Disipación de Potencia Máxima: 230 W, Tipo de Montaje: Montaje en orificio pasante, Longitud: 15.5mm, Ancho: 4.5mm, Altura: 20mm, Dimensiones: 15.5 x 4.5 x 20mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +175 °C, MPN: GT50JR22

EUR 2.89

1

Toshiba IGBT, GT20J341, N-Canal, 20 A, 600 V, TO-220SIS, 3-Pines, 100kHz Simple

Toshiba IGBT, N-Canal, 20 A, 600 V, TO-220SIS, 3-Pines, 100kHz Simple, Tensión Máxima Puerta-Emisor: ±25V, Disipación de Potencia Máxima: 45 W, Tipo de Montaje: Montaje en orificio pasante, Longitud: 10mm, Ancho: 4.5mm, Altura: 15mm, Dimensiones: 10 x 4.5 x 15mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +150 °C, MPN: GT20J341

EUR 1.80

1

Toshiba Transistor, 2SA1943N(S1,E,S), PNP 15 A 230 V TO-3P, 3 pines, Simple

Toshiba Transistor, PNP 15 A 230 V TO-3P, 3 pines, Simple, Tipo de Montaje: Montaje en orificio pasante, Disipación de Potencia Máxima: 150 W, Tensión Base Máxima del Colector: -230 V, Tensión Máxima Emisor-Base: -5 V, Dimensiones: 15.5 x 4.5 x 20mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +150 °C, MPN: 2SA1943N(S1,E,S)

EUR 2.49

1

Toshiba MOSFET, TPCA8052-H, N-Canal-Canal, 20 A, 40 V, 8-Pin, SOP avanzado TPC Simple Si

Toshiba MOSFET, N-Canal-Canal, 20 A, 40 V, 8-Pin, SOP avanzado TPC Simple Si, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 13,1 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 2.3V, Disipación de Potencia Máxima: 30 W, Tensión Máxima Puerta-Fuente: -20 V, +20 V, Altura: 0.95mm, MPN: TPCA8052-H

EUR 0.45

1

Toshiba AEC-Q101 MOSFET, TJ60S04M3L, P-Canal, 60 A, 40 V, 3-Pin, DPAK Simple

Toshiba AEC-Q101 MOSFET, P-Canal, 60 A, 40 V, 3-Pin, DPAK Simple, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 9,4 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 3V, Tensión de umbral de puerta mínima: 2V, Disipación de Potencia Máxima: 90 W, Tensión Máxima Puerta-Fuente: -20 V, +10 V, MPN: TJ60S04M3L

EUR 1.61

1

Toshiba Transistor, 2SA1943-O(Q), PNP 15 A 230 V TO-3PL, 3 pines, 30 MHz, Simple

Toshiba Transistor, PNP 15 A 230 V TO-3PL, 3 pines, 30 MHz, Simple, Tipo de Montaje: Montaje en orificio pasante, Disipación de Potencia Máxima: 150 W, Ganancia Mínima de Corriente DC: 35, Tensión Base Máxima del Colector: -230 V, Tensión Máxima Emisor-Base: -5 V, Dimensiones: 20.5 x 5.2 x 26mm, MPN: 2SA1943-O(Q)

EUR 2.11

1

Toshiba MOSFET, SSM3K333R, N-Canal-Canal, 6 A, 30 V, 3-Pin, SOT-23F Simple

Toshiba MOSFET, N-Canal-Canal, 6 A, 30 V, 3-Pin, SOT-23F Simple, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 42 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 2.5V, Tensión de umbral de puerta mínima: 1.3V, Disipación de Potencia Máxima: 2 W, Tensión Máxima Puerta-Fuente: ±20 V, Altura: 0.8mm, MPN: SSM3K333R

EUR 0.13

1

Toshiba AEC-Q101 MOSFET, TK33S10N1Z, N-Canal-Canal, 33 A, 100 V, 3-Pin, DPAK Simple

Toshiba AEC-Q101 MOSFET, N-Canal-Canal, 33 A, 100 V, 3-Pin, DPAK Simple, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 9,7 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 4V, Tensión de umbral de puerta mínima: 2V, Disipación de Potencia Máxima: 125 W, Tensión Máxima Puerta-Fuente: ±20 V, MPN: TK33S10N1Z

EUR 2.10

1

Toshiba AEC-Q101 MOSFET, TK55S10N1, N-Canal-Canal, 55 A, 100 V, 3-Pin, DPAK Simple

Toshiba AEC-Q101 MOSFET, N-Canal-Canal, 55 A, 100 V, 3-Pin, DPAK Simple, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 6,5 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 4V, Tensión de umbral de puerta mínima: 2V, Disipación de Potencia Máxima: 157 W, Tensión Máxima Puerta-Fuente: ±20 V, MPN: TK55S10N1

EUR 1.07

1

Marque

Genre

Marchand

Prix (EUR)

Toshiba IGBT, GT30J121, N-Canal, 30 A, 600 V, TO-3P, 3-Pines, 1MHZ Simple

Toshiba IGBT, GT30J121, N-Canal, 30 A, 600 V, TO-3P, 3-Pines, 1MHZ Simple

Toshiba IGBT, GT50JR21, N-Canal, 50 A, 600 V, TO-3P, 3-Pines, 1MHZ Simple

Toshiba IGBT, GT50JR22, N-Canal, 50 A, 600 V, TO-3P, 3-Pines, 1MHZ Simple

Toshiba IGBT, GT15J341, N-Canal, 15 A, 600 V, TO-220SIS, 3-Pines, 100kHz Simple

Toshiba IGBT, GT20J341, N-Canal, 20 A, 600 V, TO-220SIS, 3-Pines, 100kHz Simple

Toshiba IGBT, GT50JR22, N-Canal, 50 A, 600 V, TO-3P, 3-Pines, 1MHZ Simple

Toshiba IGBT, GT20J341, N-Canal, 20 A, 600 V, TO-220SIS, 3-Pines, 100kHz Simple

Toshiba IGBT, GT50JR21, N-Canal, 50 A, 600 V, TO-3P, 3-Pines, 1MHZ Simple

Toshiba IGBT, GT15J341, N-Canal, 15 A, 600 V, TO-220SIS, 3-Pines, 100kHz Simple

Toshiba Transistor, 2SC5200N(S1,E,S), NPN 15 A 230 V TO-3P, 3 pines, Simple

Toshiba Transistor, 2SC5200-O(S1,F,S), NPN 15 A 230 V TO-3PL, 3 pines, Simple

Toshiba IGBT, GT30J121, N-Canal, 30 A, 600 V, TO-3P, 3-Pines, 1MHZ Simple

Toshiba IGBT, GT50JR21, N-Canal, 50 A, 600 V, TO-3P, 3-Pines, 1MHZ Simple

Toshiba MOSFET, SSM3K339R, N-Canal-Canal, 2 A, 40 V, 3-Pin, SOT-23F Simple

Toshiba IGBT, GT15J341, N-Canal, 15 A, 600 V, TO-220SIS, 3-Pines, 100kHz Simple

Toshiba IGBT, GT50JR22, N-Canal, 50 A, 600 V, TO-3P, 3-Pines, 1MHZ Simple

Toshiba IGBT, GT20J341, N-Canal, 20 A, 600 V, TO-220SIS, 3-Pines, 100kHz Simple

Toshiba Transistor, 2SA1943N(S1,E,S), PNP 15 A 230 V TO-3P, 3 pines, Simple

Toshiba MOSFET, TPCA8052-H, N-Canal-Canal, 20 A, 40 V, 8-Pin, SOP avanzado TPC Simple Si

Toshiba AEC-Q101 MOSFET, TJ60S04M3L, P-Canal, 60 A, 40 V, 3-Pin, DPAK Simple

Toshiba Transistor, 2SA1943-O(Q), PNP 15 A 230 V TO-3PL, 3 pines, 30 MHz, Simple

Toshiba MOSFET, SSM3K333R, N-Canal-Canal, 6 A, 30 V, 3-Pin, SOT-23F Simple

Toshiba AEC-Q101 MOSFET, TK33S10N1Z, N-Canal-Canal, 33 A, 100 V, 3-Pin, DPAK Simple

Toshiba AEC-Q101 MOSFET, TK55S10N1, N-Canal-Canal, 55 A, 100 V, 3-Pin, DPAK Simple

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