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Taiwan Semiconductor Pont redresseur Monophasé, 35A, 1000V, 4 broches, GBPC-W

Taiwan Semiconductor Pont redresseur Monophasé, 35A, 1000V, 4 broches, GBPC-W

Taiwan Semiconductor Pont redresseur Monophasé, 35A, 1000V, 4 broches, GBPC-W, Type de montage: Traversant, Configuration: Simple, courant direct de surcharge non-répétitif de crête: 400A, Température d'utilisation maximum: +150 °C, Température de fonctionnement minimum: -50 °C, Tension directe de crête: 1.1V, Courant inverse crête: 5µA, Dimensions: 29 x 29 x 11.23mm, Longueur: 29mm, MPN: GBPC3510W

EUR 5.34
1

Taiwan Semiconductor Pont redresseur Monophasé, 15A, 1000V, 4 broches, GBPC-W

Taiwan Semiconductor Pont redresseur Monophasé, 15A, 1000V, 4 broches, GBPC-W

Taiwan Semiconductor Pont redresseur Monophasé, 15A, 1000V, 4 broches, GBPC-W, Type de montage: Traversant, Configuration: Simple, courant direct de surcharge non-répétitif de crête: 300A, Température d'utilisation maximum: +150 °C, Température de fonctionnement minimum: -50 °C, Tension directe de crête: 1.1V, Courant inverse crête: 5µA, Dimensions: 29 x 29 x 11.23mm, Longueur: 29mm, MPN: GBPC1510W

EUR 4.53
1

Taiwan Semiconductor Pont redresseur Monophasé, 15A, 800V, 4 broches, GBPC-W

Taiwan Semiconductor Pont redresseur Monophasé, 15A, 800V, 4 broches, GBPC-W

Taiwan Semiconductor Pont redresseur Monophasé, 15A, 800V, 4 broches, GBPC-W, Type de montage: Traversant, Configuration: Simple, courant direct de surcharge non-répétitif de crête: 300A, Température d'utilisation maximum: +150 °C, Température de fonctionnement minimum: -50 °C, Tension directe de crête: 1.1V, Courant inverse crête: 5µA, Dimensions: 29 x 29 x 11.23mm, Longueur: 29mm, MPN: GBPC1508W T0

EUR 4.53
1

Taiwan Semiconductor Pont redresseur Monophasé, 35A, 600V, 4 broches, GBPC-W

Taiwan Semiconductor Pont redresseur Monophasé, 35A, 600V, 4 broches, GBPC-W

Taiwan Semiconductor Pont redresseur Monophasé, 35A, 600V, 4 broches, GBPC-W, Type de montage: Traversant, Configuration: Simple, courant direct de surcharge non-répétitif de crête: 400A, Température d'utilisation maximum: +150 °C, Température de fonctionnement minimum: -50 °C, Tension directe de crête: 1.1V, Courant inverse crête: 5µA, Dimensions: 29 x 29 x 11.23mm, Longueur: 29mm, MPN: GBPC3506W

EUR 5.34
1

Taiwan Semiconductor Pont redresseur Monophasé, 15A, 400V, 4 broches, GBPC-W

Taiwan Semiconductor Pont redresseur Monophasé, 15A, 400V, 4 broches, GBPC-W

Taiwan Semiconductor Pont redresseur Monophasé, 15A, 400V, 4 broches, GBPC-W, Type de montage: Traversant, Configuration: Simple, courant direct de surcharge non-répétitif de crête: 300A, Température d'utilisation maximum: +150 °C, Température de fonctionnement minimum: -50 °C, Tension directe de crête: 1.1V, Courant inverse crête: 5µA, Dimensions: 29 x 29 x 11.23mm, Longueur: 29mm, MPN: GBPC1504W

EUR 4.53
1

Taiwan Semiconductor Pont redresseur Monophasé, 25A, 800V, 4 broches, GBPC-W

Taiwan Semiconductor Pont redresseur Monophasé, 25A, 800V, 4 broches, GBPC-W

Taiwan Semiconductor Pont redresseur Monophasé, 25A, 800V, 4 broches, GBPC-W, Type de montage: Traversant, Configuration: Simple, courant direct de surcharge non-répétitif de crête: 300A, Température d'utilisation maximum: +150 °C, Température de fonctionnement minimum: -50 °C, Tension directe de crête: 1.1V, Courant inverse crête: 5µA, Dimensions: 29 x 29 x 11.23mm, Longueur: 29mm, MPN: GBPC2508W

EUR 4.53
1

Taiwan Semiconductor Pont redresseur Monophasé, 25A, 200V, 4 broches, GBPC-W

Taiwan Semiconductor Pont redresseur Monophasé, 25A, 200V, 4 broches, GBPC-W

Taiwan Semiconductor Pont redresseur Monophasé, 25A, 200V, 4 broches, GBPC-W, Type de montage: Traversant, Configuration: Simple, courant direct de surcharge non-répétitif de crête: 300A, Température d'utilisation maximum: +150 °C, Température de fonctionnement minimum: -50 °C, Tension directe de crête: 1.1V, Courant inverse crête: 5µA, Dimensions: 29 x 29 x 11.23mm, Longueur: 29mm, MPN: GBPC2502W

EUR 3.10
1

Taiwan Semiconductor Pont redresseur Monophasé, 35A, 400V, 4 broches, GBPC-W

Taiwan Semiconductor Pont redresseur Monophasé, 35A, 400V, 4 broches, GBPC-W

Taiwan Semiconductor Pont redresseur Monophasé, 35A, 400V, 4 broches, GBPC-W, Type de montage: Traversant, Configuration: Simple, courant direct de surcharge non-répétitif de crête: 400A, Température d'utilisation maximum: +150 °C, Température de fonctionnement minimum: -50 °C, Tension directe de crête: 1.1V, Courant inverse crête: 5µA, Dimensions: 29 x 29 x 11.23mm, Longueur: 29mm, MPN: GBPC3504W T0

EUR 5.34
1

Taiwan Semiconductor Pont redresseur Monophasé, 25A, 600V, 4 broches, GBPC-W

Taiwan Semiconductor Pont redresseur Monophasé, 25A, 600V, 4 broches, GBPC-W

Taiwan Semiconductor Pont redresseur Monophasé, 25A, 600V, 4 broches, GBPC-W, Type de montage: Traversant, Configuration: Simple, courant direct de surcharge non-répétitif de crête: 300A, Température d'utilisation maximum: +150 °C, Température de fonctionnement minimum: -50 °C, Tension directe de crête: 1.1V, Courant inverse crête: 5µA, Dimensions: 29 x 29 x 11.23mm, Longueur: 29mm, MPN: GBPC2506W

EUR 4.53
1

Taiwan Semiconductor Diode Zener, 24V, Traversant, dissip. ≤ 1 W DO-41

Taiwan Semiconductor Diode Zener, 24V, Traversant, dissip. ≤ 1 W DO-41

Taiwan Semiconductor Diode Zener, 24V, Traversant, dissip. ≤ 1 W DO-41, Configuration de diode: Simple, Type de zener: Régulateur de tension, Tolérance de la tension zener: 5%, Courant de test: 10.5mA, Impédance zener maximum: 25Ω, Courant de fuite inverse maximum: 5µA, Dimensions: 5.2 x 2.7 x 2.7mm, Température d'utilisation maximum: +200 °C, Température de fonctionnement minimum: -65 °C, MPN: 1N4749A R0

EUR 0.10
1

Taiwan Semiconductor Diode Zener, 12V, Traversant, dissip. ≤ 1 W DO-41

Taiwan Semiconductor Diode Zener, 12V, Traversant, dissip. ≤ 1 W DO-41

Taiwan Semiconductor Diode Zener, 12V, Traversant, dissip. ≤ 1 W DO-41, Configuration de diode: Simple, Type de zener: Régulateur de tension, Tolérance de la tension zener: 5%, Courant de test: 21mA, Impédance zener maximum: 9Ω, Courant de fuite inverse maximum: 5µA, Dimensions: 5.2 x 2.7 x 2.7mm, Température d'utilisation maximum: +200 °C, Température de fonctionnement minimum: -65 °C, MPN: 1N4742A R0

EUR 0.10
1

Taiwan Semiconductor Pont redresseur Monophasé, 15A, 400V, 4 broches, GBPC-W

Taiwan Semiconductor Pont redresseur Monophasé, 15A, 400V, 4 broches, GBPC-W

Taiwan Semiconductor Pont redresseur Monophasé, 15A, 400V, 4 broches, GBPC-W, Type de montage: Traversant, Technologie de diode: Jonction au silicium, Configuration: Simple, courant direct de surcharge non-répétitif de crête: 300A, Température d'utilisation maximum: +150 °C, Température de fonctionnement minimum: -50 °C, Tension directe de crête: 1.1V, Courant inverse crête: 5µA, Dimensions: 29 x 29 x 11.23mm, Longueur: 29mm, MPN: GBPC1504W T0

EUR 3.33
1

Taiwan Semiconductor Pont redresseur Monophasé, 15A, 1000V, 4 broches, GBPC-W

Taiwan Semiconductor Pont redresseur Monophasé, 15A, 1000V, 4 broches, GBPC-W

Taiwan Semiconductor Pont redresseur Monophasé, 15A, 1000V, 4 broches, GBPC-W, Type de montage: Traversant, Technologie de diode: Jonction au silicium, Configuration: Simple, courant direct de surcharge non-répétitif de crête: 300A, Température d'utilisation maximum: +150 °C, Température de fonctionnement minimum: -50 °C, Tension directe de crête: 1.1V, Courant inverse crête: 5µA, Dimensions: 29 x 29 x 11.23mm, Longueur: 29mm, MPN: GBPC1510W T0

EUR 3.33
1

Taiwan Semiconductor Diode Zener, 20V, Traversant, dissip. ≤ 1 W DO-41

Taiwan Semiconductor Diode Zener, 20V, Traversant, dissip. ≤ 1 W DO-41

Taiwan Semiconductor Diode Zener, 20V, Traversant, dissip. ≤ 1 W DO-41, Configuration de diode: Simple, Type de zener: Régulateur de tension, Tolérance de la tension zener: 5%, Courant de test: 12.5mA, Impédance zener maximum: 22Ω, Courant de fuite inverse maximum: 5µA, Dimensions: 5.2 x 2.7 x 2.7mm, Température d'utilisation maximum: +200 °C, Température de fonctionnement minimum: -65 °C, MPN: 1N4747A R0

EUR 0.10
1

Taiwan Semiconductor Pont redresseur Monophasé, 35A, 400V, 4 broches, GBPC-W

Taiwan Semiconductor Pont redresseur Monophasé, 35A, 400V, 4 broches, GBPC-W

Taiwan Semiconductor Pont redresseur Monophasé, 35A, 400V, 4 broches, GBPC-W, Type de montage: Traversant, Technologie de diode: Jonction au silicium, Configuration: Simple, courant direct de surcharge non-répétitif de crête: 400A, Température d'utilisation maximum: +150 °C, Température de fonctionnement minimum: -50 °C, Tension directe de crête: 1.1V, Courant inverse crête: 5µA, Dimensions: 29 x 29 x 11.23mm, Longueur: 29mm, MPN: GBPC3504W T0

EUR 3.93
1

Taiwan Semiconductor Pont redresseur Monophasé, 25A, 600V, 4 broches, GBPC-W

Taiwan Semiconductor Pont redresseur Monophasé, 25A, 600V, 4 broches, GBPC-W

Taiwan Semiconductor Pont redresseur Monophasé, 25A, 600V, 4 broches, GBPC-W, Type de montage: Traversant, Technologie de diode: Jonction au silicium, Configuration: Simple, courant direct de surcharge non-répétitif de crête: 300A, Température d'utilisation maximum: +150 °C, Température de fonctionnement minimum: -50 °C, Tension directe de crête: 1.1V, Courant inverse crête: 5µA, Dimensions: 29 x 29 x 11.23mm, Longueur: 29mm, MPN: GBPC2506W T0

EUR 3.33
1

Taiwan Semiconductor Pont redresseur Monophasé, 25A, 800V, 4 broches, GBPC-W

Taiwan Semiconductor Pont redresseur Monophasé, 25A, 800V, 4 broches, GBPC-W

Taiwan Semiconductor Pont redresseur Monophasé, 25A, 800V, 4 broches, GBPC-W, Type de montage: Traversant, Technologie de diode: Jonction au silicium, Configuration: Simple, courant direct de surcharge non-répétitif de crête: 300A, Température d'utilisation maximum: +150 °C, Température de fonctionnement minimum: -50 °C, Tension directe de crête: 1.1V, Courant inverse crête: 5µA, Dimensions: 29 x 29 x 11.23mm, Longueur: 29mm, MPN: GBPC2508W T0

EUR 3.33
1

Taiwan Semiconductor Pont redresseur Monophasé, 35A, 600V, 4 broches, GBPC-W

Taiwan Semiconductor Pont redresseur Monophasé, 35A, 600V, 4 broches, GBPC-W

Taiwan Semiconductor Pont redresseur Monophasé, 35A, 600V, 4 broches, GBPC-W, Type de montage: Traversant, Technologie de diode: Jonction au silicium, Configuration: Simple, courant direct de surcharge non-répétitif de crête: 400A, Température d'utilisation maximum: +150 °C, Température de fonctionnement minimum: -50 °C, Tension directe de crête: 1.1V, Courant inverse crête: 5µA, Dimensions: 29 x 29 x 11.23mm, Longueur: 29mm, MPN: GBPC3506W T0

EUR 3.93
1

Taiwan Semiconductor Pont redresseur Monophasé, 25A, 200V, 4 broches, GBPC-W

Taiwan Semiconductor Pont redresseur Monophasé, 25A, 200V, 4 broches, GBPC-W

Taiwan Semiconductor Pont redresseur Monophasé, 25A, 200V, 4 broches, GBPC-W, Type de montage: Traversant, Technologie de diode: Jonction au silicium, Configuration: Simple, courant direct de surcharge non-répétitif de crête: 300A, Température d'utilisation maximum: +150 °C, Température de fonctionnement minimum: -50 °C, Tension directe de crête: 1.1V, Courant inverse crête: 5µA, Dimensions: 29 x 29 x 11.23mm, Longueur: 29mm, MPN: GBPC2502W T0

EUR 3.05
1

Taiwan Semiconductor Pont redresseur Monophasé, 35A, 1000V, 4 broches, GBPC-W

Taiwan Semiconductor Pont redresseur Monophasé, 35A, 1000V, 4 broches, GBPC-W

Taiwan Semiconductor Pont redresseur Monophasé, 35A, 1000V, 4 broches, GBPC-W, Type de montage: Traversant, Technologie de diode: Jonction au silicium, Configuration: Simple, courant direct de surcharge non-répétitif de crête: 400A, Température d'utilisation maximum: +150 °C, Température de fonctionnement minimum: -50 °C, Tension directe de crête: 1.1V, Courant inverse crête: 5µA, Dimensions: 29 x 29 x 11.23mm, Longueur: 29mm, MPN: GBPC3510W T0

EUR 2.04
1

Taiwan Semiconductor Diode Zener, 15V, Traversant, dissip. ≤ 1 W DO-41

Taiwan Semiconductor Diode Zener, 15V, Traversant, dissip. ≤ 1 W DO-41

Taiwan Semiconductor Diode Zener, 15V, Traversant, dissip. ≤ 1 W DO-41, Configuration de diode: Simple, Type de zener: Régulateur de tension, Tolérance de la tension zener: 5%, Nombre de broches: 2, Courant de test: 17mA, Impédance zener maximum: 14Ω, Courant de fuite inverse maximum: 5µA, Dimensions: 5.2 x 2.7 x 2.7mm, Température d'utilisation maximum: +200 °C, Température de fonctionnement minimum: -65 °C, MPN: 1N4744A R0

EUR 0.10
1

Taiwan Semiconductor Diode Zener, 10V, Traversant, dissip. ≤ 1,3 W DO-41

Taiwan Semiconductor Diode Zener, 10V, Traversant, dissip. ≤ 1,3 W DO-41

Taiwan Semiconductor Diode Zener, 10V, Traversant, dissip. ≤ 1,3 W DO-41, Configuration de diode: Simple, Type de zener: Régulateur de tension, Tolérance de la tension zener: 5%, Nombre de broches: 2, Courant de test: 25mA, Impédance zener maximum: 7Ω, Courant de fuite inverse maximum: 500nA, Dimensions: 2.6 (Dia.) x 4.25mm, Température d'utilisation maximum: +200 °C, Température de fonctionnement minimum: -65 °C, MPN: BZX85C10 R0

EUR 0.06
1

Taiwan Semiconductor Diode Zener, 47V, Traversant, dissip. ≤ 1 W DO-41

Taiwan Semiconductor Diode Zener, 47V, Traversant, dissip. ≤ 1 W DO-41

Taiwan Semiconductor Diode Zener, 47V, Traversant, dissip. ≤ 1 W DO-41, Configuration de diode: Simple, Type de zener: Régulateur de tension, Tolérance de la tension zener: 5%, Nombre de broches: 2, Courant de test: 5.5mA, Impédance zener maximum: 80Ω, Courant de fuite inverse maximum: 5µA, Dimensions: 5.2 x 2.7 x 2.7mm, Température d'utilisation maximum: +200 °C, Température de fonctionnement minimum: -65 °C, MPN: 1N4756A R0

EUR 0.10
1