STMicroelectronics IGBT, VCE 600 V, IC 6 A, N2DIP-26L TIPO Z
STMicroelectronics IGBT, VCE 600 V, IC 6 A, N2DIP-26L TIPO Z, Tensione massima gate emitter: 600V, Dissipazione di potenza massima: 12,5 W, Configurazione transistor: Serie, MPN: STGIPQ4C60T-HZ