18 Résultats (0,15553 Secondes)

Afficher tous les filtres

Marque

Genre

Marchand

Prix (EUR)

Effacer les filtres

Produits
De
Boutiques

STMicroelectronics MOSFET canal N,, A-220 17,5 A 950 V, 3 broches

STMicroelectronics MOSFET canal N,, A-220 17,5 A 950 V, 3 broches

STMicroelectronics MOSFET canal N,, A-220 17,5 A 950 V, 3 broches, Type de montage: Traversant, Résistance Drain Source maximum: 330 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 5V, Tension de seuil minimale de la grille: 3V, Dissipation de puissance maximum: 250 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: -30 V, +30 V, Longueur: 10.4mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: STP20N95K5

EUR 7.29
1

STMicroelectronics MOSFET canal N,, A-220 17,5 A 950 V, 3 broches

STMicroelectronics MOSFET canal N,, A-220 17,5 A 950 V, 3 broches

STMicroelectronics MOSFET canal N,, A-220 17,5 A 950 V, 3 broches, Type de montage: Traversant, Résistance Drain Source maximum: 330 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 5V, Tension de seuil minimale de la grille: 3V, Dissipation de puissance maximum: 250 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: -30 V, +30 V, Longueur: 10.4mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: STP20N95K5

EUR 6.19
1

STMicroelectronics MOSFET canal N,, A-247 17,5 A 950 V, 3 broches

STMicroelectronics MOSFET canal N,, A-247 17,5 A 950 V, 3 broches

STMicroelectronics MOSFET canal N,, A-247 17,5 A 950 V, 3 broches, Type de montage: Traversant, Résistance Drain Source maximum: 330 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 5V, Tension de seuil minimale de la grille: 3V, Dissipation de puissance maximum: 250 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: -30 V, +30 V, Tension directe de la diode: 1.5V, MPN: STW20N95K5

EUR 6.83
1

STMicroelectronics MOSFET canal N,, A-220 17,5 A 950 V, 3 broches

STMicroelectronics MOSFET canal N,, A-220 17,5 A 950 V, 3 broches

STMicroelectronics MOSFET canal N,, A-220 17,5 A 950 V, 3 broches, Type de montage: Traversant, Résistance Drain Source maximum: 330 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 5V, Tension de seuil minimale de la grille: 3V, Dissipation de puissance maximum: 250 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: -30 V, +30 V, Tension directe de la diode: 1.5V, MPN: STP20N95K5

EUR 6.28
1

STMicroelectronics MOSFET canal N,, A-247 17,5 A 950 V, 3 broches

STMicroelectronics MOSFET canal N,, A-247 17,5 A 950 V, 3 broches

STMicroelectronics MOSFET canal N,, A-247 17,5 A 950 V, 3 broches, Type de montage: Traversant, Résistance Drain Source maximum: 330 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 5V, Tension de seuil minimale de la grille: 3V, Dissipation de puissance maximum: 250 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: -30 V, +30 V, Longueur: 15.75mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: STW20N95K5

EUR 6.93
1

STMicroelectronics MOSFET canal N,, A-247 17,5 A 950 V, 3 broches

STMicroelectronics MOSFET canal N,, A-247 17,5 A 950 V, 3 broches

STMicroelectronics MOSFET canal N,, A-247 17,5 A 950 V, 3 broches, Type de montage: Traversant, Résistance Drain Source maximum: 330 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 5V, Tension de seuil minimale de la grille: 3V, Dissipation de puissance maximum: 250 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: -30 V, +30 V, Longueur: 15.75mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: STW20N95K5

EUR 8.03
1

STMicroelectronics MOSFET, STW20N95K5, N-Canal-Canal, 17,5 A, 950 V, 3-Pin, TO-247 MDmesh, SuperMESH Simple Si

STMicroelectronics MOSFET, STW20N95K5, N-Canal-Canal, 17,5 A, 950 V, 3-Pin, TO-247 MDmesh, SuperMESH Simple Si

STMicroelectronics MOSFET, N-Canal-Canal, 17,5 A, 950 V, 3-Pin, TO-247 MDmesh, SuperMESH Simple Si, Tipo de Montaje: Montaje en orificio pasante, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 330 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 5V, Tensión de umbral de puerta mínima: 3V, Disipación de Potencia Máxima: 250 W, Tensión Máxima Puerta-Fuente: -30 V, +30 V, Tensión de diodo directa: 1.5V, MPN: STW20N95K5

EUR 6.83
1

STMicroelectronics MOSFET, STP20N95K5, N-Canal-Canal, 17,5 A, 950 V, 3-Pin, TO-220 MDmesh, SuperMESH Simple Si

STMicroelectronics MOSFET, STP20N95K5, N-Canal-Canal, 17,5 A, 950 V, 3-Pin, TO-220 MDmesh, SuperMESH Simple Si

STMicroelectronics MOSFET, N-Canal-Canal, 17,5 A, 950 V, 3-Pin, TO-220 MDmesh, SuperMESH Simple Si, Tipo de Montaje: Montaje en orificio pasante, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 330 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 5V, Tensión de umbral de puerta mínima: 3V, Disipación de Potencia Máxima: 250 W, Tensión Máxima Puerta-Fuente: -30 V, +30 V, Tensión de diodo directa: 1.5V, MPN: STP20N95K5

EUR 6.28
1

STMicroelectronics MOSFET, STW20N95K5, N-Canal-Canal, 17,5 A, 950 V, 3-Pin, TO-247 MDmesh, SuperMESH Simple Si

STMicroelectronics MOSFET, STW20N95K5, N-Canal-Canal, 17,5 A, 950 V, 3-Pin, TO-247 MDmesh, SuperMESH Simple Si

STMicroelectronics MOSFET, N-Canal-Canal, 17,5 A, 950 V, 3-Pin, TO-247 MDmesh, SuperMESH Simple Si, Tipo de Montaje: Montaje en orificio pasante, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 330 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 5V, Tensión de umbral de puerta mínima: 3V, Disipación de Potencia Máxima: 250 W, Tensión Máxima Puerta-Fuente: -30 V, +30 V, Longitud: 15.75mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +150 °C, MPN: STW20N95K5

EUR 8.03
1

STMicroelectronics MOSFET, STP20N95K5, N-Canal-Canal, 17,5 A, 950 V, 3-Pin, TO-220 MDmesh, SuperMESH Simple Si

STMicroelectronics MOSFET, STP20N95K5, N-Canal-Canal, 17,5 A, 950 V, 3-Pin, TO-220 MDmesh, SuperMESH Simple Si

STMicroelectronics MOSFET, N-Canal-Canal, 17,5 A, 950 V, 3-Pin, TO-220 MDmesh, SuperMESH Simple Si, Tipo de Montaje: Montaje en orificio pasante, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 330 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 5V, Tensión de umbral de puerta mínima: 3V, Disipación de Potencia Máxima: 250 W, Tensión Máxima Puerta-Fuente: -30 V, +30 V, Longitud: 10.4mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +150 °C, MPN: STP20N95K5

EUR 7.29
1

STMicroelectronics MOSFET, STW20N95K5, N-Canal-Canal, 17,5 A, 950 V, 3-Pin, TO-247 MDmesh, SuperMESH Simple Si

STMicroelectronics MOSFET, STW20N95K5, N-Canal-Canal, 17,5 A, 950 V, 3-Pin, TO-247 MDmesh, SuperMESH Simple Si

STMicroelectronics MOSFET, N-Canal-Canal, 17,5 A, 950 V, 3-Pin, TO-247 MDmesh, SuperMESH Simple Si, Tipo de Montaje: Montaje en orificio pasante, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 330 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 5V, Tensión de umbral de puerta mínima: 3V, Disipación de Potencia Máxima: 250 W, Tensión Máxima Puerta-Fuente: -30 V, +30 V, Longitud: 15.75mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +150 °C, MPN: STW20N95K5

EUR 6.93
1

STMicroelectronics MOSFET, STP20N95K5, N-Canal-Canal, 17,5 A, 950 V, 3-Pin, TO-220 MDmesh, SuperMESH Simple Si

STMicroelectronics MOSFET, STP20N95K5, N-Canal-Canal, 17,5 A, 950 V, 3-Pin, TO-220 MDmesh, SuperMESH Simple Si

STMicroelectronics MOSFET, N-Canal-Canal, 17,5 A, 950 V, 3-Pin, TO-220 MDmesh, SuperMESH Simple Si, Tipo de Montaje: Montaje en orificio pasante, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 330 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 5V, Tensión de umbral de puerta mínima: 3V, Disipación de Potencia Máxima: 250 W, Tensión Máxima Puerta-Fuente: -30 V, +30 V, Longitud: 10.4mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +150 °C, MPN: STP20N95K5

EUR 6.19
1