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STMicroelectronics MOSFET, canale N, 950 mΩ, 7 A, TO-220FP, Su foro

STMicroelectronics MOSFET, canale N, 950 mΩ, 7 A, TO-220FP, Su foro

STMicroelectronics MOSFET, canale N, 950 mΩ, 7 A, TO-220FP, Su foro, Tensione massima drain source: 600 V, Numero pin: 3, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 4.5V, Tensione di soglia gate minima: 3V, Dissipazione di potenza massima: 30 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -30 V, +30 V, Lunghezza: 10.4mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, MPN: STP9NK60ZFP

EUR 1.47
1

STMicroelectronics MOSFET, canale N, 950 mΩ, 5 A, TO-220, Su foro

STMicroelectronics MOSFET, canale N, 950 mΩ, 5 A, TO-220, Su foro

STMicroelectronics MOSFET, canale N, 950 mΩ, 5 A, TO-220, Su foro, Tensione massima drain source: 650 V, Numero pin: 3, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 4V, Tensione di soglia gate minima: 2V, Dissipazione di potenza massima: 60 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -25 V, +25 V, Lunghezza: 10.4mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, MPN: STP7N60M2

EUR 1.44
1

STMicroelectronics MOSFET, canale N, 950 mΩ, 5 A, TO-220, Su foro

STMicroelectronics MOSFET, canale N, 950 mΩ, 5 A, TO-220, Su foro

STMicroelectronics MOSFET, canale N, 950 mΩ, 5 A, TO-220, Su foro, Tensione massima drain source: 650 V, Numero pin: 3, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 4V, Tensione di soglia gate minima: 2V, Dissipazione di potenza massima: 60 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -25 V, +25 V, Lunghezza: 10.4mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, MPN: STP7N60M2

EUR 1.29
1

STMicroelectronics MOSFET, canale N, 950 mΩ, 7 A, TO-220, Su foro

STMicroelectronics MOSFET, canale N, 950 mΩ, 7 A, TO-220, Su foro

STMicroelectronics MOSFET, canale N, 950 mΩ, 7 A, TO-220, Su foro, Tensione massima drain source: 600 V, Numero pin: 3, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 4.5V, Tensione di soglia gate minima: 3V, Dissipazione di potenza massima: 125 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -30 V, +30 V, Lunghezza: 10.4mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, MPN: STP9NK60Z

EUR 2.38
1

STMicroelectronics MOSFET, canale N, 950 mΩ, 7 A, TO-220FP, Su foro

STMicroelectronics MOSFET, canale N, 950 mΩ, 7 A, TO-220FP, Su foro

STMicroelectronics MOSFET, canale N, 950 mΩ, 7 A, TO-220FP, Su foro, Tensione massima drain source: 600 V, Numero pin: 3, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 4.5V, Tensione di soglia gate minima: 3V, Dissipazione di potenza massima: 30 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -30 V, +30 V, Lunghezza: 10.4mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, MPN: STP9NK60ZFP

EUR 1.32
1

STMicroelectronics MOSFET, canale N, 950 mΩ, 7 A, TO-220, Su foro

STMicroelectronics MOSFET, canale N, 950 mΩ, 7 A, TO-220, Su foro

STMicroelectronics MOSFET, canale N, 950 mΩ, 7 A, TO-220, Su foro, Tensione massima drain source: 600 V, Numero pin: 3, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 4.5V, Tensione di soglia gate minima: 3V, Dissipazione di potenza massima: 125 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -30 V, +30 V, Lunghezza: 10.4mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, MPN: STP9NK60Z

EUR 2.80
1

STMicroelectronics MOSFET, canale N, 950 mΩ, 6 A, TO-220, Su foro

STMicroelectronics MOSFET, canale N, 950 mΩ, 6 A, TO-220, Su foro

STMicroelectronics MOSFET, canale N, 950 mΩ, 6 A, TO-220, Su foro, Tensione massima drain source: 800 V, Numero pin: 3, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 5V, Tensione di soglia gate minima: 3V, Dissipazione di potenza massima: 110 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -30 V, +30 V, Lunghezza: 10.4mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, MPN: STP8N80K5

EUR 1.74
1

STMicroelectronics MOSFET canal N,, A-220 2 A 950 V, 3 broches

STMicroelectronics MOSFET canal N,, A-220 2 A 950 V, 3 broches

STMicroelectronics MOSFET canal N,, A-220 2 A 950 V, 3 broches, Type de montage: Traversant, Résistance Drain Source maximum: 5 Ω, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 5V, Tension de seuil minimale de la grille: 3V, Dissipation de puissance maximum: 45 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: +30 V, Nombre d'éléments par circuit: 1, Hauteur: 15.75mm, MPN: STP2N95K5

EUR 1.02
1

STMicroelectronics MOSFET canal N,, TO-220FP 2 A 950 V, 3 broches

STMicroelectronics MOSFET canal N,, TO-220FP 2 A 950 V, 3 broches

STMicroelectronics MOSFET canal N,, TO-220FP 2 A 950 V, 3 broches, Type de montage: Traversant, Résistance Drain Source maximum: 5 Ω, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 5V, Tension de seuil minimale de la grille: 3V, Dissipation de puissance maximum: 20 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: +30 V, Nombre d'éléments par circuit: 1, Hauteur: 16.4mm, MPN: STF2N95K5

EUR 1.02
1

STMicroelectronics MOSFET, canale N, 950 mΩ, 7 A, D2PAK (TO-263), Montaggio superficiale

STMicroelectronics MOSFET, canale N, 950 mΩ, 7 A, D2PAK (TO-263), Montaggio superficiale

STMicroelectronics MOSFET, canale N, 950 mΩ, 7 A, D2PAK (TO-263), Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 600 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 4.5V, Tensione di soglia gate minima: 3V, Dissipazione di potenza massima: 125 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -30 V, +30 V, Lunghezza: 10.4mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, MPN: STB9NK60ZT4

EUR 0.39
1

STMicroelectronics MOSFET canal N,, TO-220 10 A 950 V, 3 broches

STMicroelectronics MOSFET canal N,, TO-220 10 A 950 V, 3 broches

STMicroelectronics MOSFET canal N,, TO-220 10 A 950 V, 3 broches, Type de montage: Traversant, Résistance Drain Source maximum: 850 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 5V, Tension de seuil minimale de la grille: 3V, Dissipation de puissance maximum: 190 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: -30 V, +30 V, Longueur: 10.4mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: STP13N95K3

EUR 1.22
1

STMicroelectronics MOSFET canal N,, A-220 12 A 950 V, 3 broches

STMicroelectronics MOSFET canal N,, A-220 12 A 950 V, 3 broches

STMicroelectronics MOSFET canal N,, A-220 12 A 950 V, 3 broches, Type de montage: Traversant, Résistance Drain Source maximum: 500 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 5V, Tension de seuil minimale de la grille: 3V, Dissipation de puissance maximum: 170 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: -30 V, +30 V, Longueur: 10.4mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: STP15N95K5

EUR 3.92
1

STMicroelectronics MOSFET canal N,, TO-220FP 12 A 950 V, 3 broches

STMicroelectronics MOSFET canal N,, TO-220FP 12 A 950 V, 3 broches

STMicroelectronics MOSFET canal N,, TO-220FP 12 A 950 V, 3 broches, Type de montage: Traversant, Résistance Drain Source maximum: 500 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 5V, Tension de seuil minimale de la grille: 3V, Dissipation de puissance maximum: 30 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: -30 V, +30 V, Longueur: 10.4mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: STF15N95K5

EUR 1.54
1

STMicroelectronics MOSFET canal N,, A-220 7,2 A 950 V, 3 broches

STMicroelectronics MOSFET canal N,, A-220 7,2 A 950 V, 3 broches

STMicroelectronics MOSFET canal N,, A-220 7,2 A 950 V, 3 broches, Type de montage: Traversant, Résistance Drain Source maximum: 1,35 Ω, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 5V, Tension de seuil minimale de la grille: 3V, Dissipation de puissance maximum: 150 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: -30 V, +30 V, Longueur: 10.4mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: STP7N95K3

EUR 0.67
1