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STMicroelectronics MOSFET, canale N, 2,3 mΩ, 180 A, H2PAK, Montaggio superficiale

STMicroelectronics MOSFET, canale N, 2,3 mΩ, 180 A, H2PAK, Montaggio superficiale

STMicroelectronics MOSFET, canale N, 2,3 mΩ, 180 A, H2PAK, Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 100 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 4.5V, Tensione di soglia gate minima: 2.5V, Dissipazione di potenza massima: 315 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -20 V, +20 V, Lunghezza: 15.8mm, Massima temperatura operativa: +175 °C, MPN: STH310N10F7-2

EUR 2.85
1

STMicroelectronics MOSFET, canale N, 2,3 mΩ, 180 A, H2PAK, Montaggio superficiale

STMicroelectronics MOSFET, canale N, 2,3 mΩ, 180 A, H2PAK, Montaggio superficiale

STMicroelectronics MOSFET, canale N, 2,3 mΩ, 180 A, H2PAK, Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 100 V, Numero pin: 7, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 4.5V, Tensione di soglia gate minima: 2.5V, Dissipazione di potenza massima: 315 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -20 V, +20 V, Lunghezza: 15.25mm, Massima temperatura operativa: +175 °C, MPN: STH310N10F7-6

EUR 3.27
1

STMicroelectronics MOSFET, canale N, 2,7 mΩ, 180 A, TO-220, Su foro

STMicroelectronics MOSFET, canale N, 2,7 mΩ, 180 A, TO-220, Su foro

STMicroelectronics MOSFET, canale N, 2,7 mΩ, 180 A, TO-220, Su foro, Tensione massima drain source: 100 V, Numero pin: 3, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 4.5V, Tensione di soglia gate minima: 2.5V, Dissipazione di potenza massima: 315 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -20 V, +20 V, Lunghezza: 10.4mm, Massima temperatura operativa: +175 °C, MPN: STP310N10F7

EUR 4.29
1

STMicroelectronics MOSFET canal N,, H2PAK 180 A 100 V, 7 broches

STMicroelectronics MOSFET canal N,, H2PAK 180 A 100 V, 7 broches

STMicroelectronics MOSFET canal N,, H2PAK 180 A 100 V, 7 broches, Type de montage: CMS, Résistance Drain Source maximum: 2,3 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 4.5V, Tension de seuil minimale de la grille: 2.5V, Dissipation de puissance maximum: 315 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: -20 V, +20 V, Longueur: 15.25mm, Température d'utilisation maximum: +175 °C, MPN: STH310N10F7-6

EUR 3.27
1

STMicroelectronics MOSFET canal N,, H2PAK 180 A 100 V, 3 broches

STMicroelectronics MOSFET canal N,, H2PAK 180 A 100 V, 3 broches

STMicroelectronics MOSFET canal N,, H2PAK 180 A 100 V, 3 broches, Type de montage: CMS, Résistance Drain Source maximum: 2,3 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 4.5V, Tension de seuil minimale de la grille: 2.5V, Dissipation de puissance maximum: 315 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: -20 V, +20 V, Longueur: 15.8mm, Température d'utilisation maximum: +175 °C, MPN: STH310N10F7-2

EUR 2.85
1

STMicroelectronics MOSFET, canale N, 21 mΩ, 180 A, H2PAK-2, Montaggio superficiale

STMicroelectronics MOSFET, canale N, 21 mΩ, 180 A, H2PAK-2, Montaggio superficiale

STMicroelectronics MOSFET, canale N, 21 mΩ, 180 A, H2PAK-2, Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 80 V, Numero pin: 3, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 4V, Tensione di soglia gate minima: 2V, Dissipazione di potenza massima: 315 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -20 V, +20 V, Lunghezza: 10.4mm, Massima temperatura operativa: +175 °C, MPN: STH270N8F7-2

EUR 4.17
1

STMicroelectronics MOSFET, canale N, 21 mΩ, 180 A, H2PAK-2, Montaggio superficiale

STMicroelectronics MOSFET, canale N, 21 mΩ, 180 A, H2PAK-2, Montaggio superficiale

STMicroelectronics MOSFET, canale N, 21 mΩ, 180 A, H2PAK-2, Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 80 V, Numero pin: 3, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 4V, Tensione di soglia gate minima: 2V, Dissipazione di potenza massima: 315 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -20 V, +20 V, Lunghezza: 10.4mm, Massima temperatura operativa: +175 °C, MPN: STH270N8F7-2

EUR 2.27
1

STMicroelectronics MOSFET canal N,, H2PAK-2 180 A 80 V, 3 broches

STMicroelectronics MOSFET canal N,, H2PAK-2 180 A 80 V, 3 broches

STMicroelectronics MOSFET canal N,, H2PAK-2 180 A 80 V, 3 broches, Type de montage: CMS, Résistance Drain Source maximum: 21 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 4V, Tension de seuil minimale de la grille: 2V, Dissipation de puissance maximum: 315 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: -20 V, +20 V, Longueur: 10.4mm, Température d'utilisation maximum: +175 °C, MPN: STH270N8F7-2

EUR 2.27
1

STMicroelectronics MOSFET canal N,, A-220 180 A 100 V, 3 broches

STMicroelectronics MOSFET canal N,, A-220 180 A 100 V, 3 broches

STMicroelectronics MOSFET canal N,, A-220 180 A 100 V, 3 broches, Type de montage: Traversant, Résistance Drain Source maximum: 2,7 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 4.5V, Tension de seuil minimale de la grille: 2.5V, Dissipation de puissance maximum: 315 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: -20 V, +20 V, Longueur: 10.4mm, Température d'utilisation maximum: +175 °C, MPN: STP310N10F7

EUR 4.29
1