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STMicroelectronics MOSFET, canale N, 16 Ω, 250 mA, SOT-223, Montaggio superficiale

STMicroelectronics MOSFET, canale N, 16 Ω, 250 mA, SOT-223, Montaggio superficiale

STMicroelectronics MOSFET, canale N, 16 Ω, 250 mA, SOT-223, Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 800 V, Numero pin: 3 + Tab, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 4.5V, Tensione di soglia gate minima: 3V, Dissipazione di potenza massima: 2500 mW, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -30 V, +30 V, Altezza: 1.8mm, MPN: STN1NK80Z

EUR 0.97
1

STMicroelectronics MOSFET, canale N, 250 mΩ, 14 A, TO-220, Su foro

STMicroelectronics MOSFET, canale N, 250 mΩ, 14 A, TO-220, Su foro

STMicroelectronics MOSFET, canale N, 250 mΩ, 14 A, TO-220, Su foro, Tensione massima drain source: 500 V, Numero pin: 3, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 4V, Tensione di soglia gate minima: 2V, Dissipazione di potenza massima: 110 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -25 V, +25 V, Lunghezza: 10.4mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, MPN: STP19NM50N

EUR 3.46
1

STMicroelectronics MOSFET, canale N, 250 mΩ, 14 A, TO-220, Su foro

STMicroelectronics MOSFET, canale N, 250 mΩ, 14 A, TO-220, Su foro

STMicroelectronics MOSFET, canale N, 250 mΩ, 14 A, TO-220, Su foro, Tensione massima drain source: 500 V, Numero pin: 3, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 4V, Tensione di soglia gate minima: 2V, Dissipazione di potenza massima: 110 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -25 V, +25 V, Lunghezza: 10.4mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, MPN: STP19NM50N

EUR 4.07
1

STMicroelectronics MOSFET, canale N, 250 mΩ, 15 A, TO-220FP, Su foro

STMicroelectronics MOSFET, canale N, 250 mΩ, 15 A, TO-220FP, Su foro

STMicroelectronics MOSFET, canale N, 250 mΩ, 15 A, TO-220FP, Su foro, Tensione massima drain source: 400 V, Numero pin: 3, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 4.5V, Tensione di soglia gate minima: 3V, Dissipazione di potenza massima: 35 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -30 V, +30 V, Lunghezza: 10.4mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, MPN: STP17NK40ZFP

EUR 4.18
1

STMicroelectronics MOSFET, canale N, 250 mΩ, 15 A, TO-220FP, Su foro

STMicroelectronics MOSFET, canale N, 250 mΩ, 15 A, TO-220FP, Su foro

STMicroelectronics MOSFET, canale N, 250 mΩ, 15 A, TO-220FP, Su foro, Tensione massima drain source: 400 V, Numero pin: 3, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 4.5V, Tensione di soglia gate minima: 3V, Dissipazione di potenza massima: 35 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -30 V, +30 V, Lunghezza: 10.4mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, MPN: STP17NK40ZFP

EUR 3.54
1

STMicroelectronics MOSFET, canale N, 250 mΩ, 6 A, DPAK (TO-252), Montaggio superficiale

STMicroelectronics MOSFET, canale N, 250 mΩ, 6 A, DPAK (TO-252), Montaggio superficiale

STMicroelectronics MOSFET, canale N, 250 mΩ, 6 A, DPAK (TO-252), Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 100 V, Numero pin: 3, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 4V, Tensione di soglia gate minima: 2V, Dissipazione di potenza massima: 30 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -20 V, +20 V, Altezza: 2.4mm, MPN: STD6NF10T4

EUR 0.87
1

STMicroelectronics MOSFET, canale N, 16 Ω, 250 mA, SOT-223, Montaggio superficiale

STMicroelectronics MOSFET, canale N, 16 Ω, 250 mA, SOT-223, Montaggio superficiale

STMicroelectronics MOSFET, canale N, 16 Ω, 250 mA, SOT-223, Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 800 V, Numero pin: 3 + Tab, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 4.5V, Tensione di soglia gate minima: 3V, Dissipazione di potenza massima: 2500 mW, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -30 V, +30 V, Lunghezza: 6.5mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, MPN: STN1NK80Z

EUR 1.29
1

STMicroelectronics MOSFET, canale N, 16 Ω, 250 mA, SOT-223, Montaggio superficiale

STMicroelectronics MOSFET, canale N, 16 Ω, 250 mA, SOT-223, Montaggio superficiale

STMicroelectronics MOSFET, canale N, 16 Ω, 250 mA, SOT-223, Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 800 V, Numero pin: 3 + Tab, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 4.5V, Tensione di soglia gate minima: 3V, Dissipazione di potenza massima: 2,5 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -30 V, +30 V, Lunghezza: 6.5mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, MPN: STN1NK80Z

EUR 0.61
1

STMicroelectronics MOSFET canal N,, TO-220FP 17 A 250 V, 3 broches

STMicroelectronics MOSFET canal N,, TO-220FP 17 A 250 V, 3 broches

STMicroelectronics MOSFET canal N,, TO-220FP 17 A 250 V, 3 broches, Type de montage: Traversant, Résistance Drain Source maximum: 165 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 4V, Tension de seuil minimale de la grille: 2V, Dissipation de puissance maximum: 25 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: -20 V, +20 V, Longueur: 10.4mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: STF17NF25

EUR 1.24
1

STMicroelectronics MOSFET canal N,, TO-220FP 17 A 250 V, 3 broches

STMicroelectronics MOSFET canal N,, TO-220FP 17 A 250 V, 3 broches

STMicroelectronics MOSFET canal N,, TO-220FP 17 A 250 V, 3 broches, Type de montage: Traversant, Résistance Drain Source maximum: 165 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 4V, Tension de seuil minimale de la grille: 2V, Dissipation de puissance maximum: 25 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: -20 V, +20 V, Longueur: 10.4mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: STF17NF25

EUR 1.37
1

STMicroelectronics MOSFET canal N,, SOT-223 250 mA 800 V, 3 + Tab broches

STMicroelectronics MOSFET canal N,, SOT-223 250 mA 800 V, 3 + Tab broches

STMicroelectronics MOSFET canal N,, SOT-223 250 mA 800 V, 3 + Tab broches, Type de montage: CMS, Résistance Drain Source maximum: 16 Ω, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 4.5V, Tension de seuil minimale de la grille: 3V, Dissipation de puissance maximum: 2500 mW, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: -30 V, +30 V, Hauteur: 1.8mm, MPN: STN1NK80Z

EUR 0.97
1