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STMicroelectronics Contrôleur de facteur de puissance 8 broches CMS 22 V SOIC

STMicroelectronics Contrôleur de facteur de puissance 8 broches CMS 22 V SOIC

STMicroelectronics Contrôleur de facteur de puissance 8 broches CMS 22 V SOIC, Courant d'alimentation de démarrage: 0.04mA, Courant de source maximum: 10mA, Courant d'écoulement maximum: 10000µA, Courant d'alimentation maximum: 16 mA, Dimensions: 5 x 4 x 1.25mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, Tension d'alimentation de fonctionnement minimum: 10,3 V, Température de fonctionnement minimum: -40 °C, Largeur: 4mm, MPN: L6562D

EUR 0.69
1

STMicroelectronics MOSFET canal N,, I2PAK 22 A 650 V, 3 broches

STMicroelectronics MOSFET canal N,, I2PAK 22 A 650 V, 3 broches

STMicroelectronics MOSFET canal N,, I2PAK 22 A 650 V, 3 broches, Type de montage: Traversant, Résistance Drain Source maximum: 150 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 4V, Tension de seuil minimale de la grille: 2V, Dissipation de puissance maximum: 170 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: +25 V, Longueur: 10.4mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: STI28N60M2

EUR 2.91
1

STMicroelectronics MOSFET canal N,, I2PAK 22 A 650 V, 3 broches

STMicroelectronics MOSFET canal N,, I2PAK 22 A 650 V, 3 broches

STMicroelectronics MOSFET canal N,, I2PAK 22 A 650 V, 3 broches, Type de montage: Traversant, Résistance Drain Source maximum: 150 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 4V, Tension de seuil minimale de la grille: 2V, Dissipation de puissance maximum: 170 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: +25 V, Longueur: 10.4mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: STI28N60M2

EUR 3.42
1

STMicroelectronics Contrôleur de facteur de puissance 14 broches CMS 22 V SOIC

STMicroelectronics Contrôleur de facteur de puissance 14 broches CMS 22 V SOIC

STMicroelectronics Contrôleur de facteur de puissance 14 broches CMS 22 V SOIC, Courant d'alimentation de démarrage: 0.05mA, Type de CI: Power Factor Controller, Courant de source maximum: -5mA, Courant d'écoulement maximum: 4500µA, Courant d'alimentation maximum: 0,09 mA, Détection Zero Power: Oui, Dimensions: 8.75 x 4 x 1.65mm, Longueur: 8.75mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, Tension d'alimentation de fonctionnement minimum: 10,3 V, MPN: L6563

EUR 1.31
1

STMicroelectronics Contrôleur de facteur de puissance 8 broches CMS 22 V SOIC

STMicroelectronics Contrôleur de facteur de puissance 8 broches CMS 22 V SOIC

STMicroelectronics Contrôleur de facteur de puissance 8 broches CMS 22 V SOIC, Courant d'alimentation de démarrage: 0.04mA, Type de CI: Power Factor Controller, Courant de source maximum: 10mA, Courant d'écoulement maximum: 10000µA, Courant d'alimentation maximum: 16 mA, Dimensions: 5 x 4 x 1.25mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, Tension d'alimentation de fonctionnement minimum: 10,3 V, Température de fonctionnement minimum: -40 °C, MPN: L6562D

EUR 0.69
1

STMicroelectronics Contrôleur de facteur de puissance 14 broches CMS 22 V SOIC

STMicroelectronics Contrôleur de facteur de puissance 14 broches CMS 22 V SOIC

STMicroelectronics Contrôleur de facteur de puissance 14 broches CMS 22 V SOIC, Courant d'alimentation de démarrage: 0.05mA, Type de CI: Power Factor Controller, Courant de source maximum: -5mA, Courant d'écoulement maximum: 4500µA, Courant d'alimentation maximum: 0,09 mA, Détection Zero Power: Oui, Dimensions: 8.75 x 4 x 1.65mm, Longueur: 8.75mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, Tension d'alimentation de fonctionnement minimum: 10,3 V, MPN: L6563

EUR 1.39
1

STMicroelectronics MOSFET canal N,, A-220 22 A 710 V, 3 broches

STMicroelectronics MOSFET canal N,, A-220 22 A 710 V, 3 broches

STMicroelectronics MOSFET canal N,, A-220 22 A 710 V, 3 broches, Type de montage: Traversant, Résistance Drain Source maximum: 148 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 5V, Tension de seuil minimale de la grille: 3V, Dissipation de puissance maximum: 150 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: -25 V, +25 V, Longueur: 10.4mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: STP31N65M5

EUR 1.17
1

STMicroelectronics MOSFET canal N,, A-247 22 A 650 V, 3 broches

STMicroelectronics MOSFET canal N,, A-247 22 A 650 V, 3 broches

STMicroelectronics MOSFET canal N,, A-247 22 A 650 V, 3 broches, Type de montage: Traversant, Résistance Drain Source maximum: 150 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 4V, Tension de seuil minimale de la grille: 2V, Dissipation de puissance maximum: 170 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: -25 V, +25 V, Longueur: 15.75mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: STW28N60M2

EUR 3.50
1

STMicroelectronics MOSFET canal N,, A-247 22 A 650 V, 3 broches

STMicroelectronics MOSFET canal N,, A-247 22 A 650 V, 3 broches

STMicroelectronics MOSFET canal N,, A-247 22 A 650 V, 3 broches, Type de montage: Traversant, Résistance Drain Source maximum: 160 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 5V, Tension de seuil minimale de la grille: 3V, Dissipation de puissance maximum: 190 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: -25 V, +25 V, Longueur: 15.75mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: STW28N60DM2

EUR 3.54
1

STMicroelectronics MOSFET canal N,, A-220 22 A 650 V, 3 broches

STMicroelectronics MOSFET canal N,, A-220 22 A 650 V, 3 broches

STMicroelectronics MOSFET canal N,, A-220 22 A 650 V, 3 broches, Type de montage: Traversant, Résistance Drain Source maximum: 150 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 4V, Tension de seuil minimale de la grille: 2V, Dissipation de puissance maximum: 170 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: -25 V, +25 V, Longueur: 10.4mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: STP28N60M2

EUR 3.41
1

STMicroelectronics MOSFET canal N,, A-247 22 A 650 V, 3 broches

STMicroelectronics MOSFET canal N,, A-247 22 A 650 V, 3 broches

STMicroelectronics MOSFET canal N,, A-247 22 A 650 V, 3 broches, Type de montage: Traversant, Résistance Drain Source maximum: 150 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 4V, Tension de seuil minimale de la grille: 2V, Dissipation de puissance maximum: 170 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: -25 V, +25 V, Longueur: 15.75mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: STW28N60M2

EUR 3.05
1

STMicroelectronics MOSFET canal N,, TO-247 22 A 650 V, 3 broches

STMicroelectronics MOSFET canal N,, TO-247 22 A 650 V, 3 broches

STMicroelectronics MOSFET canal N,, TO-247 22 A 650 V, 3 broches, Type de montage: Traversant, Résistance Drain Source maximum: 139 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 5V, Tension de seuil minimale de la grille: 3V, Dissipation de puissance maximum: 140 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: -25 V, +25 V, Longueur: 15.75mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: STW30N65M5

EUR 6.94
1

STMicroelectronics MOSFET canal N,, HV PowerFLAT 22 A 600 V, 5 broches

STMicroelectronics MOSFET canal N,, HV PowerFLAT 22 A 600 V, 5 broches

STMicroelectronics MOSFET canal N,, HV PowerFLAT 22 A 600 V, 5 broches, Type de montage: CMS, Résistance Drain Source maximum: 90 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 5V, Tension de seuil minimale de la grille: 3V, Dissipation de puissance maximum: 2,8 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: -25 V, +25 V, Longueur: 8mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: STL36N55M5

EUR 6.66
1

STMicroelectronics MOSFET canal N,, A-247 22 A 650 V, 3 broches

STMicroelectronics MOSFET canal N,, A-247 22 A 650 V, 3 broches

STMicroelectronics MOSFET canal N,, A-247 22 A 650 V, 3 broches, Type de montage: Traversant, Résistance Drain Source maximum: 160 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 5V, Tension de seuil minimale de la grille: 3V, Dissipation de puissance maximum: 190 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: -25 V, +25 V, Longueur: 15.75mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: STW28N60DM2

EUR 4.14
1

STMicroelectronics MOSFET canal N,, A-247 22 A 650 V, 3 broches

STMicroelectronics MOSFET canal N,, A-247 22 A 650 V, 3 broches

STMicroelectronics MOSFET canal N,, A-247 22 A 650 V, 3 broches, Type de montage: Traversant, Résistance Drain Source maximum: 139 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 5V, Tension de seuil minimale de la grille: 3V, Dissipation de puissance maximum: 140 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: -25 V, +25 V, Longueur: 15.75mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: STW30N65M5

EUR 5.92
1

STMicroelectronics MOSFET canal N,, A-220 22 A 650 V, 3 broches

STMicroelectronics MOSFET canal N,, A-220 22 A 650 V, 3 broches

STMicroelectronics MOSFET canal N,, A-220 22 A 650 V, 3 broches, Type de montage: Traversant, Résistance Drain Source maximum: 150 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 4V, Tension de seuil minimale de la grille: 2V, Dissipation de puissance maximum: 170 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: -25 V, +25 V, Longueur: 10.4mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: STP28N60M2

EUR 2.89
1

STMicroelectronics MOSFET canal N,, A-247 22 A 650 V, 3 broches

STMicroelectronics MOSFET canal N,, A-247 22 A 650 V, 3 broches

STMicroelectronics MOSFET canal N,, A-247 22 A 650 V, 3 broches, Type de montage: Traversant, Résistance Drain Source maximum: 160 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 5V, Tension de seuil minimale de la grille: 3V, Dissipation de puissance maximum: 190 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: -25 V, +25 V, Tension directe de la diode: 1.6V, MPN: STW28N60DM2

EUR 3.51
1

STMicroelectronics MOSFET canal N,, HV PowerFLAT 22 A 710 V, 5 broches

STMicroelectronics MOSFET canal N,, HV PowerFLAT 22 A 710 V, 5 broches

STMicroelectronics MOSFET canal N,, HV PowerFLAT 22 A 710 V, 5 broches, Type de montage: CMS, Résistance Drain Source maximum: 69 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 5V, Tension de seuil minimale de la grille: 3V, Dissipation de puissance maximum: 2,8 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: -25 V, +25 V, Longueur: 8mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: STL57N65M5

EUR 7.82
1