42 Résultats (0,19490 Secondes)

Afficher tous les filtres

Marque

Genre

Marchand

Prix (EUR)

Effacer les filtres

Produits
De
Boutiques

STMicroelectronics MOSFET canal N,, A-220 2 A 950 V, 3 broches

STMicroelectronics MOSFET canal N,, A-220 2 A 950 V, 3 broches

STMicroelectronics MOSFET canal N,, A-220 2 A 950 V, 3 broches, Type de montage: Traversant, Résistance Drain Source maximum: 5 Ω, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 5V, Tension de seuil minimale de la grille: 3V, Dissipation de puissance maximum: 45 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: +30 V, Nombre d'éléments par circuit: 1, Hauteur: 15.75mm, MPN: STP2N95K5

EUR 1.02
1

STMicroelectronics MOSFET canal N,, TO-220FP 2 A 950 V, 3 broches

STMicroelectronics MOSFET canal N,, TO-220FP 2 A 950 V, 3 broches

STMicroelectronics MOSFET canal N,, TO-220FP 2 A 950 V, 3 broches, Type de montage: Traversant, Résistance Drain Source maximum: 5 Ω, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 5V, Tension de seuil minimale de la grille: 3V, Dissipation de puissance maximum: 20 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: +30 V, Nombre d'éléments par circuit: 1, Hauteur: 16.4mm, MPN: STF2N95K5

EUR 1.02
1

STMicroelectronics MOSFET canal N,, A-247 17,5 A 950 V, 3 broches

STMicroelectronics MOSFET canal N,, A-247 17,5 A 950 V, 3 broches

STMicroelectronics MOSFET canal N,, A-247 17,5 A 950 V, 3 broches, Type de montage: Traversant, Résistance Drain Source maximum: 330 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 5V, Tension de seuil minimale de la grille: 3V, Dissipation de puissance maximum: 250 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: -30 V, +30 V, Longueur: 15.75mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: STW20N95K5

EUR 6.93
1

STMicroelectronics MOSFET canal N,, A-220 10 A 950 V, 3 broches

STMicroelectronics MOSFET canal N,, A-220 10 A 950 V, 3 broches

STMicroelectronics MOSFET canal N,, A-220 10 A 950 V, 3 broches, Type de montage: Traversant, Résistance Drain Source maximum: 850 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 5V, Tension de seuil minimale de la grille: 3V, Dissipation de puissance maximum: 190 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: -30 V, +30 V, Longueur: 10.4mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: STP13N95K3

EUR 1.13
1

STMicroelectronics MOSFET canal N,, A-220 12 A 950 V, 3 broches

STMicroelectronics MOSFET canal N,, A-220 12 A 950 V, 3 broches

STMicroelectronics MOSFET canal N,, A-220 12 A 950 V, 3 broches, Type de montage: Traversant, Résistance Drain Source maximum: 500 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 5V, Tension de seuil minimale de la grille: 3V, Dissipation de puissance maximum: 170 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: -30 V, +30 V, Longueur: 10.4mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: STP15N95K5

EUR 3.92
1

STMicroelectronics MOSFET canal N,, TO-220 10 A 950 V, 3 broches

STMicroelectronics MOSFET canal N,, TO-220 10 A 950 V, 3 broches

STMicroelectronics MOSFET canal N,, TO-220 10 A 950 V, 3 broches, Type de montage: Traversant, Résistance Drain Source maximum: 850 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 5V, Tension de seuil minimale de la grille: 3V, Dissipation de puissance maximum: 190 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: -30 V, +30 V, Longueur: 10.4mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: STP13N95K3

EUR 1.22
1

STMicroelectronics MOSFET canal N,, A-220 8 A 950 V, 3 broches

STMicroelectronics MOSFET canal N,, A-220 8 A 950 V, 3 broches

STMicroelectronics MOSFET canal N,, A-220 8 A 950 V, 3 broches, Type de montage: Traversant, Résistance Drain Source maximum: 800 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 5V, Tension de seuil minimale de la grille: 3V, Dissipation de puissance maximum: 130 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: -30 V, +30 V, Longueur: 10.4mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: STP10N95K5

EUR 3.53
1

STMicroelectronics MOSFET canal N,, A-220 12 A 950 V, 3 broches

STMicroelectronics MOSFET canal N,, A-220 12 A 950 V, 3 broches

STMicroelectronics MOSFET canal N,, A-220 12 A 950 V, 3 broches, Type de montage: Traversant, Résistance Drain Source maximum: 500 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 5V, Tension de seuil minimale de la grille: 3V, Dissipation de puissance maximum: 170 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: -30 V, +30 V, Longueur: 10.4mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: STP15N95K5

EUR 4.60
1

STMicroelectronics MOSFET canal N,, TO-220FP 12 A 950 V, 3 broches

STMicroelectronics MOSFET canal N,, TO-220FP 12 A 950 V, 3 broches

STMicroelectronics MOSFET canal N,, TO-220FP 12 A 950 V, 3 broches, Type de montage: Traversant, Résistance Drain Source maximum: 500 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 5V, Tension de seuil minimale de la grille: 3V, Dissipation de puissance maximum: 30 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: -30 V, +30 V, Longueur: 10.4mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: STF15N95K5

EUR 1.51
1

STMicroelectronics MOSFET canal N,, A-247 17,5 A 950 V, 3 broches

STMicroelectronics MOSFET canal N,, A-247 17,5 A 950 V, 3 broches

STMicroelectronics MOSFET canal N,, A-247 17,5 A 950 V, 3 broches, Type de montage: Traversant, Résistance Drain Source maximum: 330 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 5V, Tension de seuil minimale de la grille: 3V, Dissipation de puissance maximum: 250 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: -30 V, +30 V, Longueur: 15.75mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: STW20N95K5

EUR 8.03
1

STMicroelectronics MOSFET canal N,, A-220 8 A 950 V, 3 broches

STMicroelectronics MOSFET canal N,, A-220 8 A 950 V, 3 broches

STMicroelectronics MOSFET canal N,, A-220 8 A 950 V, 3 broches, Type de montage: Traversant, Résistance Drain Source maximum: 800 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 5V, Tension de seuil minimale de la grille: 3V, Dissipation de puissance maximum: 130 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: -30 V, +30 V, Longueur: 10.4mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: STP10N95K5

EUR 3.00
1

STMicroelectronics MOSFET canal N,, TO-220FP 12 A 950 V, 3 broches

STMicroelectronics MOSFET canal N,, TO-220FP 12 A 950 V, 3 broches

STMicroelectronics MOSFET canal N,, TO-220FP 12 A 950 V, 3 broches, Type de montage: Traversant, Résistance Drain Source maximum: 500 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 5V, Tension de seuil minimale de la grille: 3V, Dissipation de puissance maximum: 30 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: -30 V, +30 V, Longueur: 10.4mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: STF15N95K5

EUR 1.54
1

STMicroelectronics MOSFET canal N,, A-247 17,5 A 950 V, 3 broches

STMicroelectronics MOSFET canal N,, A-247 17,5 A 950 V, 3 broches

STMicroelectronics MOSFET canal N,, A-247 17,5 A 950 V, 3 broches, Type de montage: Traversant, Résistance Drain Source maximum: 330 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 5V, Tension de seuil minimale de la grille: 3V, Dissipation de puissance maximum: 250 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: -30 V, +30 V, Tension directe de la diode: 1.5V, MPN: STW20N95K5

EUR 6.83
1

STMicroelectronics MOSFET canal N,, A-220 17,5 A 950 V, 3 broches

STMicroelectronics MOSFET canal N,, A-220 17,5 A 950 V, 3 broches

STMicroelectronics MOSFET canal N,, A-220 17,5 A 950 V, 3 broches, Type de montage: Traversant, Résistance Drain Source maximum: 330 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 5V, Tension de seuil minimale de la grille: 3V, Dissipation de puissance maximum: 250 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: -30 V, +30 V, Longueur: 10.4mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: STP20N95K5

EUR 6.19
1

STMicroelectronics MOSFET canal N,, A-220 17,5 A 950 V, 3 broches

STMicroelectronics MOSFET canal N,, A-220 17,5 A 950 V, 3 broches

STMicroelectronics MOSFET canal N,, A-220 17,5 A 950 V, 3 broches, Type de montage: Traversant, Résistance Drain Source maximum: 330 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 5V, Tension de seuil minimale de la grille: 3V, Dissipation de puissance maximum: 250 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: -30 V, +30 V, Tension directe de la diode: 1.5V, MPN: STP20N95K5

EUR 6.28
1

STMicroelectronics MOSFET canal N,, A-220 17,5 A 950 V, 3 broches

STMicroelectronics MOSFET canal N,, A-220 17,5 A 950 V, 3 broches

STMicroelectronics MOSFET canal N,, A-220 17,5 A 950 V, 3 broches, Type de montage: Traversant, Résistance Drain Source maximum: 330 mΩ, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 5V, Tension de seuil minimale de la grille: 3V, Dissipation de puissance maximum: 250 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: -30 V, +30 V, Longueur: 10.4mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: STP20N95K5

EUR 7.29
1

STMicroelectronics MOSFET canal N,, TO-220 7.2 A 950 V, 3 broches

STMicroelectronics MOSFET canal N,, TO-220 7.2 A 950 V, 3 broches

STMicroelectronics MOSFET canal N,, TO-220 7.2 A 950 V, 3 broches, Type de montage: Traversant, Résistance Drain Source maximum: 1,35 Ω, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 5V, Tension de seuil minimale de la grille: 3V, Dissipation de puissance maximum: 150 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: -30 V, +30 V, Longueur: 10.4mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: STP7N95K3

EUR 0.67
1

STMicroelectronics MOSFET canal N,, A-220 7,2 A 950 V, 3 broches

STMicroelectronics MOSFET canal N,, A-220 7,2 A 950 V, 3 broches

STMicroelectronics MOSFET canal N,, A-220 7,2 A 950 V, 3 broches, Type de montage: Traversant, Résistance Drain Source maximum: 1,35 Ω, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 5V, Tension de seuil minimale de la grille: 3V, Dissipation de puissance maximum: 150 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: -30 V, +30 V, Longueur: 10.4mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: STP7N95K3

EUR 0.67
1

STMicroelectronics MOSFET canal N,, DPAK (TO-252) 2 A 950 V, 3 broches

STMicroelectronics MOSFET canal N,, DPAK (TO-252) 2 A 950 V, 3 broches

STMicroelectronics MOSFET canal N,, DPAK (TO-252) 2 A 950 V, 3 broches, Type de montage: CMS, Résistance Drain Source maximum: 5 Ω, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 5V, Tension de seuil minimale de la grille: 3V, Dissipation de puissance maximum: 45 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: +30 V, Nombre d'éléments par circuit: 1, Hauteur: 2.4mm, MPN: STD2N95K5

EUR 1.35
1

STMicroelectronics MOSFET canal N,, DPAK (TO-252) 2 A 950 V, 3 broches

STMicroelectronics MOSFET canal N,, DPAK (TO-252) 2 A 950 V, 3 broches

STMicroelectronics MOSFET canal N,, DPAK (TO-252) 2 A 950 V, 3 broches, Type de montage: CMS, Résistance Drain Source maximum: 5 Ω, Mode de canal: Enrichissement, Tension de seuil maximale de la grille: 5V, Tension de seuil minimale de la grille: 3V, Dissipation de puissance maximum: 45 W, Configuration du transistor: Simple, Tension Grille Source maximum: +30 V, Longueur: 6.6mm, Température d'utilisation maximum: +150 °C, MPN: STD2N95K5

EUR 1.59
1