44 Résultats (0,14695 Secondes)

Afficher tous les filtres

Marque

Genre

Marchand

Prix (EUR)

Effacer les filtres

Produits
De
Boutiques

STMicroelectronics MOSFET, canale N, 950 mΩ, 7 A, TO-220FP, Su foro

STMicroelectronics MOSFET, canale N, 950 mΩ, 7 A, TO-220FP, Su foro

STMicroelectronics MOSFET, canale N, 950 mΩ, 7 A, TO-220FP, Su foro, Tensione massima drain source: 600 V, Numero pin: 3, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 4.5V, Tensione di soglia gate minima: 3V, Dissipazione di potenza massima: 30 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -30 V, +30 V, Lunghezza: 10.4mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, MPN: STP9NK60ZFP

EUR 1.47
1

STMicroelectronics MOSFET, canale N, 950 mΩ, 5 A, TO-220, Su foro

STMicroelectronics MOSFET, canale N, 950 mΩ, 5 A, TO-220, Su foro

STMicroelectronics MOSFET, canale N, 950 mΩ, 5 A, TO-220, Su foro, Tensione massima drain source: 650 V, Numero pin: 3, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 4V, Tensione di soglia gate minima: 2V, Dissipazione di potenza massima: 60 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -25 V, +25 V, Lunghezza: 10.4mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, MPN: STP7N60M2

EUR 1.44
1

STMicroelectronics MOSFET, canale N, 950 mΩ, 5 A, TO-220, Su foro

STMicroelectronics MOSFET, canale N, 950 mΩ, 5 A, TO-220, Su foro

STMicroelectronics MOSFET, canale N, 950 mΩ, 5 A, TO-220, Su foro, Tensione massima drain source: 650 V, Numero pin: 3, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 4V, Tensione di soglia gate minima: 2V, Dissipazione di potenza massima: 60 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -25 V, +25 V, Lunghezza: 10.4mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, MPN: STP7N60M2

EUR 1.29
1

STMicroelectronics MOSFET, canale N, 950 mΩ, 7 A, TO-220, Su foro

STMicroelectronics MOSFET, canale N, 950 mΩ, 7 A, TO-220, Su foro

STMicroelectronics MOSFET, canale N, 950 mΩ, 7 A, TO-220, Su foro, Tensione massima drain source: 600 V, Numero pin: 3, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 4.5V, Tensione di soglia gate minima: 3V, Dissipazione di potenza massima: 125 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -30 V, +30 V, Lunghezza: 10.4mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, MPN: STP9NK60Z

EUR 2.38
1

STMicroelectronics MOSFET, canale N, 950 mΩ, 7 A, TO-220FP, Su foro

STMicroelectronics MOSFET, canale N, 950 mΩ, 7 A, TO-220FP, Su foro

STMicroelectronics MOSFET, canale N, 950 mΩ, 7 A, TO-220FP, Su foro, Tensione massima drain source: 600 V, Numero pin: 3, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 4.5V, Tensione di soglia gate minima: 3V, Dissipazione di potenza massima: 30 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -30 V, +30 V, Lunghezza: 10.4mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, MPN: STP9NK60ZFP

EUR 1.32
1

STMicroelectronics MOSFET, canale N, 950 mΩ, 7 A, TO-220, Su foro

STMicroelectronics MOSFET, canale N, 950 mΩ, 7 A, TO-220, Su foro

STMicroelectronics MOSFET, canale N, 950 mΩ, 7 A, TO-220, Su foro, Tensione massima drain source: 600 V, Numero pin: 3, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 4.5V, Tensione di soglia gate minima: 3V, Dissipazione di potenza massima: 125 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -30 V, +30 V, Lunghezza: 10.4mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, MPN: STP9NK60Z

EUR 2.80
1

STMicroelectronics MOSFET, canale N, 950 mΩ, 6 A, TO-220, Su foro

STMicroelectronics MOSFET, canale N, 950 mΩ, 6 A, TO-220, Su foro

STMicroelectronics MOSFET, canale N, 950 mΩ, 6 A, TO-220, Su foro, Tensione massima drain source: 800 V, Numero pin: 3, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 5V, Tensione di soglia gate minima: 3V, Dissipazione di potenza massima: 110 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -30 V, +30 V, Lunghezza: 10.4mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, MPN: STP8N80K5

EUR 1.74
1

STMicroelectronics MOSFET, canale N, 950 mΩ, 7 A, D2PAK (TO-263), Montaggio superficiale

STMicroelectronics MOSFET, canale N, 950 mΩ, 7 A, D2PAK (TO-263), Montaggio superficiale

STMicroelectronics MOSFET, canale N, 950 mΩ, 7 A, D2PAK (TO-263), Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 600 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 4.5V, Tensione di soglia gate minima: 3V, Dissipazione di potenza massima: 125 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -30 V, +30 V, Lunghezza: 10.4mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, MPN: STB9NK60ZT4

EUR 0.39
1

STMicroelectronics MOSFET, canale N, 950 mΩ, 6 A, IPAK (TO-251), Su foro

STMicroelectronics MOSFET, canale N, 950 mΩ, 6 A, IPAK (TO-251), Su foro

STMicroelectronics MOSFET, canale N, 950 mΩ, 6 A, IPAK (TO-251), Su foro, Tensione massima drain source: 800 V, Numero pin: 3, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 5V, Tensione di soglia gate minima: 3V, Dissipazione di potenza massima: 110 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -30 V, +30 V, Lunghezza: 6.6mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, MPN: STU8N80K5

EUR 2.07
1

STMicroelectronics MOSFET, canale N, 950 mΩ, 6 A, IPAK (TO-251), Su foro

STMicroelectronics MOSFET, canale N, 950 mΩ, 6 A, IPAK (TO-251), Su foro

STMicroelectronics MOSFET, canale N, 950 mΩ, 6 A, IPAK (TO-251), Su foro, Tensione massima drain source: 800 V, Numero pin: 3, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 5V, Tensione di soglia gate minima: 3V, Dissipazione di potenza massima: 110 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -30 V, +30 V, Lunghezza: 6.6mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, MPN: STU8N80K5

EUR 2.44
1

STMicroelectronics MOSFET, canale N, 850 mΩ, 10 A, TO-220, Su foro

STMicroelectronics MOSFET, canale N, 850 mΩ, 10 A, TO-220, Su foro

STMicroelectronics MOSFET, canale N, 850 mΩ, 10 A, TO-220, Su foro, Tensione massima drain source: 950 V, Numero pin: 3, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 5V, Tensione di soglia gate minima: 3V, Dissipazione di potenza massima: 190 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -30 V, +30 V, Lunghezza: 10.4mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, MPN: STP13N95K3

EUR 1.13
1

STMicroelectronics MOSFET, canale N, 5 Ω, 2 A, DPAK (TO-252), Montaggio superficiale

STMicroelectronics MOSFET, canale N, 5 Ω, 2 A, DPAK (TO-252), Montaggio superficiale

STMicroelectronics MOSFET, canale N, 5 Ω, 2 A, DPAK (TO-252), Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 950 V, Numero pin: 3, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 5V, Tensione di soglia gate minima: 3V, Dissipazione di potenza massima: 45 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: +30 V, Lunghezza: 6.6mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, MPN: STD2N95K5

EUR 0.70
1