71 Résultats (0,13823 Secondes)

Afficher tous les filtres

Marque

Genre

Marchand

Prix (EUR)

Effacer les filtres

Produits
De
Boutiques

STMicroelectronics MOSFET, canale N, 69 mΩ, 22 A, PowerFLAT HV, Montaggio superficiale

STMicroelectronics MOSFET, canale N, 69 mΩ, 22 A, PowerFLAT HV, Montaggio superficiale

STMicroelectronics MOSFET, canale N, 69 mΩ, 22 A, PowerFLAT HV, Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 710 V, Numero pin: 5, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 5V, Tensione di soglia gate minima: 3V, Dissipazione di potenza massima: 2,8 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -25 V, +25 V, Altezza: 0.95mm, MPN: STL57N65M5

EUR 11.31
1

STMicroelectronics MOSFET, canale N, 150 mΩ, 22 A, TO-220, Su foro

STMicroelectronics MOSFET, canale N, 150 mΩ, 22 A, TO-220, Su foro

STMicroelectronics MOSFET, canale N, 150 mΩ, 22 A, TO-220, Su foro, Tensione massima drain source: 650 V, Numero pin: 3, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 4V, Tensione di soglia gate minima: 2V, Dissipazione di potenza massima: 170 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -25 V, +25 V, Lunghezza: 10.4mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, MPN: STP28N60M2

EUR 2.89
1

STMicroelectronics MOSFET, canale N, 148 mΩ, 22 A, TO-220, Su foro

STMicroelectronics MOSFET, canale N, 148 mΩ, 22 A, TO-220, Su foro

STMicroelectronics MOSFET, canale N, 148 mΩ, 22 A, TO-220, Su foro, Tensione massima drain source: 710 V, Numero pin: 3, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 5V, Tensione di soglia gate minima: 3V, Dissipazione di potenza massima: 150 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -25 V, +25 V, Lunghezza: 10.4mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, MPN: STP31N65M5

EUR 1.15
1

STMicroelectronics MOSFET, canale N, 160 mΩ, 22 A, TO-247, Su foro

STMicroelectronics MOSFET, canale N, 160 mΩ, 22 A, TO-247, Su foro

STMicroelectronics MOSFET, canale N, 160 mΩ, 22 A, TO-247, Su foro, Tensione massima drain source: 650 V, Numero pin: 3, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 5V, Tensione di soglia gate minima: 3V, Dissipazione di potenza massima: 190 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -25 V, +25 V, Lunghezza: 15.75mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, MPN: STW28N60DM2

EUR 4.14
1

STMicroelectronics MOSFET, canale N, 150 mΩ, 22 A, TO-247, Su foro

STMicroelectronics MOSFET, canale N, 150 mΩ, 22 A, TO-247, Su foro

STMicroelectronics MOSFET, canale N, 150 mΩ, 22 A, TO-247, Su foro, Tensione massima drain source: 650 V, Numero pin: 3, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 4V, Tensione di soglia gate minima: 2V, Dissipazione di potenza massima: 170 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -25 V, +25 V, Lunghezza: 15.75mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, MPN: STW28N60M2

EUR 3.50
1

STMicroelectronics MOSFET, canale N, 148 mΩ, 22 A, TO-220, Su foro

STMicroelectronics MOSFET, canale N, 148 mΩ, 22 A, TO-220, Su foro

STMicroelectronics MOSFET, canale N, 148 mΩ, 22 A, TO-220, Su foro, Tensione massima drain source: 710 V, Numero pin: 3, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 5V, Tensione di soglia gate minima: 3V, Dissipazione di potenza massima: 150 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -25 V, +25 V, Lunghezza: 10.4mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, MPN: STP31N65M5

EUR 1.17
1

STMicroelectronics MOSFET, canale N, 90 mΩ, 22 A, PowerFLAT HV, Montaggio superficiale

STMicroelectronics MOSFET, canale N, 90 mΩ, 22 A, PowerFLAT HV, Montaggio superficiale

STMicroelectronics MOSFET, canale N, 90 mΩ, 22 A, PowerFLAT HV, Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 600 V, Numero pin: 5, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 5V, Tensione di soglia gate minima: 3V, Dissipazione di potenza massima: 2,8 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -25 V, +25 V, Lunghezza: 8mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, MPN: STL36N55M5

EUR 6.66
1

STMicroelectronics MOSFET, canale N, 150 mΩ, 22 A, TO-220, Su foro

STMicroelectronics MOSFET, canale N, 150 mΩ, 22 A, TO-220, Su foro

STMicroelectronics MOSFET, canale N, 150 mΩ, 22 A, TO-220, Su foro, Tensione massima drain source: 650 V, Numero pin: 3, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 4V, Tensione di soglia gate minima: 2V, Dissipazione di potenza massima: 170 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -25 V, +25 V, Lunghezza: 10.4mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, MPN: STP28N60M2

EUR 3.41
1

STMicroelectronics MOSFET, canale N, 69 mΩ, 22 A, PowerFLAT HV, Montaggio superficiale

STMicroelectronics MOSFET, canale N, 69 mΩ, 22 A, PowerFLAT HV, Montaggio superficiale

STMicroelectronics MOSFET, canale N, 69 mΩ, 22 A, PowerFLAT HV, Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 710 V, Numero pin: 5, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 5V, Tensione di soglia gate minima: 3V, Dissipazione di potenza massima: 2,8 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -25 V, +25 V, Lunghezza: 8mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, MPN: STL57N65M5

EUR 12.81
1

STMicroelectronics MOSFET, canale N, 160 mΩ, 22 A, TO-247, Su foro

STMicroelectronics MOSFET, canale N, 160 mΩ, 22 A, TO-247, Su foro

STMicroelectronics MOSFET, canale N, 160 mΩ, 22 A, TO-247, Su foro, Tensione massima drain source: 650 V, Numero pin: 3, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 5V, Tensione di soglia gate minima: 3V, Dissipazione di potenza massima: 190 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -25 V, +25 V, Lunghezza: 15.75mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, MPN: STW28N60DM2

EUR 3.54
1

STMicroelectronics MOSFET, canale N, 69 mΩ, 22 A, PowerFLAT HV, Montaggio superficiale

STMicroelectronics MOSFET, canale N, 69 mΩ, 22 A, PowerFLAT HV, Montaggio superficiale

STMicroelectronics MOSFET, canale N, 69 mΩ, 22 A, PowerFLAT HV, Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 710 V, Numero pin: 5, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 5V, Tensione di soglia gate minima: 3V, Dissipazione di potenza massima: 2,8 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -25 V, +25 V, Lunghezza: 8mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, MPN: STL57N65M5

EUR 7.82
1

STMicroelectronics MOSFET, canale N, 150 mΩ, 22 A, TO-247, Su foro

STMicroelectronics MOSFET, canale N, 150 mΩ, 22 A, TO-247, Su foro

STMicroelectronics MOSFET, canale N, 150 mΩ, 22 A, TO-247, Su foro, Tensione massima drain source: 650 V, Numero pin: 3, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 4V, Tensione di soglia gate minima: 2V, Dissipazione di potenza massima: 170 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -25 V, +25 V, Lunghezza: 15.75mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, MPN: STW28N60M2

EUR 3.05
1

STMicroelectronics Regolatore di fattore di potenza L6562D, 22 V, SOIC, 8-Pin

STMicroelectronics Regolatore di fattore di potenza L6562D, 22 V, SOIC, 8-Pin

STMicroelectronics Regolatore di fattore di potenza L6562D, 22 V, SOIC, 8-Pin, Corrente di avviamento: 0.04mA, Corrente massima di source: 10mA, Corrente massima dissipata: 10000µA, Corrente di alimentazione massima: 16 mA, Tipo di montaggio: Montaggio superficiale, Dimensioni: 5 x 4 x 1.25mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, Tensione di alimentazione operativa minima: 10,3 V, Minima temperatura operativa: -40 °C, Larghezza: 4mm

EUR 0.69
1

STMicroelectronics MOSFET, canale N, 90 mΩ, 22 A, PowerFLAT HV, Montaggio superficiale

STMicroelectronics MOSFET, canale N, 90 mΩ, 22 A, PowerFLAT HV, Montaggio superficiale

STMicroelectronics MOSFET, canale N, 90 mΩ, 22 A, PowerFLAT HV, Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 600 V, Numero pin: 5, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 5V, Tensione di soglia gate minima: 3V, Dissipazione di potenza massima: 2,8 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -25 V, +25 V, Lunghezza: 8mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, MPN: STL36N55M5

EUR 3.66
1